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公开(公告)号：KR101324668B1
公开(公告)日：2013-11-04
申请号：KR1020120033360
申请日：2012-03-30
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: 본 발명은 하부기판의 상면에 하부전극을 형성하는 제 1 단계; 하부전극의 상면에 P형 반도체 및 N형 반도체를 인쇄하는 제 2 단계; 하부전극, P형 반도체 및 N형 반도체의 측면에 단열재를 충진하는 제 3 단계; P형 반도체 및 N형 반도체의 상면에 상부전극을 형성하는 제 4 단계; 및 상부전극의 상면에 상부기판을 접착하는 제 5 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전모듈 제조방법 및 이에 의해 제조된 열전모듈을 구현한바, 전극, P형 반도체 및 N형 반도체가 스크린 프린팅에 의해 기판에 형성됨으로써, 전극, P형 반도체 및 N형 반도체의 두께를 미세하게 조절하여 박막화가 가능한 효과가 있다. 또한, 다양한 크기 및 형상을 가지는 열전모듈을 구현할 수 있고, 제조공정이 단순화되어 생산성이 향상되며 제조원가를 절감할 수 있는 효과가 있다. 또한, 유연한 재질의 기판을 사용하여 펠티어 소자의 자유로운 형상 제조가 가능하고, 이로 인해 대상체의 굴곡면에도 부착하는 등 대상체의 형상 자유도가 커지는 효과가 있다. 또한, 피부감지속도만큼 빠른 온도 변화를 유도함으로써 온열감제시장치와 같은 촉감제시 모듈로도 사용할 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1020130110971A
公开(公告)日：2013-10-10
申请号：KR1020120033360
申请日：2012-03-30
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: PURPOSE: A thermoelectric module manufacturing method finely adjusts the thickness of an electrode, a P-type semiconductor, and an N-type semiconductor in a thermoelectric module to be slim by forming the electrode, the P-type semiconductor, and the N-type semiconductor on a substrate by screen printing. CONSTITUTION: A bottom electrode is formed on the upper side of a bottom substrate (S100). A P-type semiconductor and an N-type semiconductor are printed on the upper side of the bottom electrode (S220). An insulating material is filled in the sides of the bottom electrode, the P-type semiconductor, and the N-type semiconductor (S300). A top electrode is formed on the upper sides of the P-type semiconductor and the N-type semiconductor (S400). A top substrate adheres to the upper side of the top electrode (S500). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S100) Bottom electrode is formed on the upper side of a bottom substrate; (S200) P-type semiconductor and an N-type semiconductor are printed on the upper side of the bottom electrode; (S300) Insulating material is filled in the sides of the bottom electrode, the P-type semiconductor, and the N-type semiconductor; (S310) Ultraviolet rays are irradiated to harden the insulating material; (S400) Top electrode is formed on the upper sides of the P-type semiconductor and the N-type semiconductor; (S510) Adhesive is sprayed on the upper side of the top electrode; (S520) Top substrate is placed and bonded on the upper side of the adhesive
Abstract translation: 目的：一种热电模块制造方法通过形成电极，P型半导体和N型半导体，将热电模块中的电极，P型半导体和N型半导体的厚度精细地调整为薄型 通过丝网印刷在衬底上的半导体。 构成：底部电极形成在底部基板的上侧（S100）。 P型半导体和N型半导体印刷在底部电极的上侧（S220）。 绝缘材料填充在底电极，P型半导体和N型半导体的侧面（S300）中。 顶部电极形成在P型半导体和N型半导体的上侧（S400）。 顶部基板粘附到顶部电极的上侧（S500）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S100）底部电极形成在底部基板的上侧; （S200）P型半导体和N型半导体印刷在底电极的上侧; （S300）绝缘材料填充在底电极，P型半导体和N型半导体的侧面; （S310）照射紫外线以硬化绝缘材料; （S400）顶电极形成在P型半导体和N型半导体的上侧; （S510）将粘合剂喷涂在顶部电极的上侧; （S520）顶部基板被放置并粘接在粘合剂的上侧
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