公开(公告)号：KR1020090095861A

公开(公告)日：2009-09-10

申请号：KR1020080021062

申请日：2008-03-06

Applicant: 한국표준과학연구원

Inventor： 강상우 ,  윤주영 ,  성대진 ,  신용현 ,  정수환 ,  오유진

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C01G9/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01P2004/16

Abstract: A method for doping transition metals in zinc oxide nanowire using ultrasonic wave is provided to enable to control the concentration of transition metals included in zinc oxide nanowire. A method for doping transition metals in zinc oxide nanowire comprises the following steps of: forming a zinc film on the top of a substrate(S10); dipping the substrate in an aqueous solution containing zinc salt, reducing agent and transition metal salts(S20); and applying ultrasonic wave to the aqueous solution in order to generate the zinc oxide nanowires where the transition metals are doped and to grow them(S30). The transition metal salt represents nitrate, acetate or their mixture. The transition metal is selected from the group consisting of Mn, Fe, Co and Ni.

Abstract translation: 提供了使用超声波在氧化锌纳米线中掺杂过渡金属的方法，以能够控制包含在氧化锌纳米线中的过渡金属的浓度。 在氧化锌纳米线中掺杂过渡金属的方法包括以下步骤：在衬底的顶部形成锌膜（S10）; 将基材浸渍在含有锌盐，还原剂和过渡金属盐的水溶液中（S20）; 并向该水溶液施加超声波以产生掺杂过渡金属并生长的氧化锌纳米线（S30）。 过渡金属盐代表硝酸盐，乙酸盐或它们的混合物。 过渡金属选自Mn，Fe，Co和Ni。

公开(公告)号：KR100989140B1

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：KR1020080021062

申请日：2008-03-06

Applicant: 한국표준과학연구원

Inventor： 강상우 ,  윤주영 ,  성대진 ,  신용현 ,  정수환 ,  오유진

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명은 산화아연 나노와이어에 전이금속을 도핑하는 방법에 관한 것으로, 상세하게는 a) 기판 상부에 아연박막을 형성시키는 단계; b) 아연박막이 형성된 기판을 아연염, 환원제 및 전이금속염을 함유하는 수용액에 침지하는 단계; 및 c) 상기 수용액에 초음파를 가하여 상기 아연박막 상에 전이금속이 도핑된 산화아연 나노와이어를 생성 및 성장시키는 단계;를 포함하는 특징이 있다.
초음파, 공동효과, 산화아연, 나노와이어, 불순물, 전이금속, 도핑