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公开(公告)号：KR1020170019152A
公开(公告)日：2017-02-21
申请号：KR1020150113159
申请日：2015-08-11
Applicant: 한국항공대학교산학협력단
IPC: H01L29/786
Abstract: 박막트랜지스터제조방법이개시되며, 상기박막트랜지스터제조방법은, 기판상에비정질실리콘층을형성하는단계; 상기비정질실리콘층을결정화하여다결정실리콘층을형성하는단계; 상기다결정실리콘층상에게이트절연막을형성하는단계; 상기게이트절연막상에제1층및 제2층을갖는게이트전극을형성하는단계; 상기다결정실리콘층에소스영역및 드레인영역을형성하는단계; 상기게이트절연막및 상기게이트전극상에층간절연막을형성하는단계; 및상기층간절연막상에상기소스영역에접속하는소스전극및 상기드레인영역에접속되는드레인전극을형성하는단계를포함하되, 상기제1층의재질은구리(Cu) 및구리알로이(Alloy) 계열중 하나이상을포함하는것이고, 상기제2층의재질은알루미늄(Al)을포함하는몰리브데늄(Mo) 알로이계열이다.
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公开(公告)号：KR101796587B1
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：KR1020150113158
申请日：2015-08-11
Applicant: 한국항공대학교산학협력단
IPC: H01L21/027 , H01L21/306 , H01L21/3213
Abstract: 다중금속막식각방법이개시되며, 상기다중금속막식각방법은, 구리(Cu) 및구리합금중 하나이상을포함하는재질로이루어지는제1층및 티타늄(Ti) 및티타늄합금중 하나이상을포함하는재질로이루어지는제2층을포함하는다중금속막을식각하는방법에있어서, 상기다중금속막상에소정의패턴을갖는포토레지스트막을형성하는단계; 식각액을사용하여상기다중금속막을식각하는단계; 및상기포토레지스트막을제거하는단계를포함하되, 상기다중금속막을식각하는단계에서, 상기식각액은그의총 중량에대하여, 인산 15 중량% 내지 70 중량%; 초산 4 중량% 내지 40 중량%; 과망간산염 0.1 중량% 내지 10 중량%; 및불소-함유화합물 0.5 중량% 내지 8 중량%를포함한다.
Abstract translation: 公开了一种多金属膜刻蚀工艺，其中多金属膜刻蚀工艺包括第一层材料，该第一层材料包括铜（Cu）和铜合金中的至少一种以及钛（Ti）和钛合金中的至少一种 一种用于蚀刻多金属膜的方法，所述多金属膜包括由材料制成的第二层，所述方法包括：在所述多金属膜上形成具有预定图案的光致抗蚀剂膜; 使用蚀刻剂蚀刻多金属膜; 去除光刻胶膜，其中在蚀刻多金属膜的步骤中，蚀刻剂包括基于其总重量的15重量％至70重量％的磷酸; 从4％至40％重量的乙酸; 0.1重量％至10重量％的高锰酸盐; 并且含有0.5重量％至8重量％的含氟化合物。
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公开(公告)号：KR101737034B1
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：KR1020150113159
申请日：2015-08-11
Applicant: 한국항공대학교산학협력단
IPC: H01L29/786
Abstract: 박막트랜지스터제조방법이개시되며, 상기박막트랜지스터제조방법은, 기판상에비정질실리콘층을형성하는단계; 상기비정질실리콘층을결정화하여다결정실리콘층을형성하는단계; 상기다결정실리콘층상에게이트절연막을형성하는단계; 상기게이트절연막상에제1층및 제2층을갖는게이트전극을형성하는단계; 상기다결정실리콘층에소스영역및 드레인영역을형성하는단계; 상기게이트절연막및 상기게이트전극상에층간절연막을형성하는단계; 및상기층간절연막상에상기소스영역에접속하는소스전극및 상기드레인영역에접속되는드레인전극을형성하는단계를포함하되, 상기제1층의재질은구리(Cu) 및구리알로이(Alloy) 계열중 하나이상을포함하는것이고, 상기제2층의재질은알루미늄(Al)을포함하는몰리브데늄(Mo) 알로이계열이다.
Abstract translation: 公开了一种制造薄膜晶体管的方法，包括：在衬底上形成非晶硅层; 使非晶硅层结晶以形成多晶硅层; 在多晶硅层上形成栅绝缘膜; 在栅极绝缘膜上形成具有第一层和第二层的栅电极; 在多晶硅层中形成源极区和漏极区; 在栅极绝缘膜和栅电极上形成层间绝缘膜; 并且在层间绝缘膜上形成连接到源极区的源电极和连接到漏区的漏电极，其中第一层的材料是铜（Cu）和铜合金 而第二层的材料是包含铝（Al）的钼（Mo）合金。
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公开(公告)号：KR1020170019151A
公开(公告)日：2017-02-21
申请号：KR1020150113158
申请日：2015-08-11
Applicant: 한국항공대학교산학협력단
IPC: H01L21/027 , H01L21/306 , H01L21/3213
Abstract: 다중금속막식각방법이개시되며, 상기다중금속막식각방법은, 구리(Cu) 및구리합금중 하나이상을포함하는재질로이루어지는제1층및 티타늄(Ti) 및티타늄합금중 하나이상을포함하는재질로이루어지는제2층을포함하는다중금속막을식각하는방법에있어서, 상기다중금속막상에소정의패턴을갖는포토레지스트막을형성하는단계; 식각액을사용하여상기다중금속막을식각하는단계; 및상기포토레지스트막을제거하는단계를포함하되, 상기다중금속막을식각하는단계에서, 상기식각액은그의총 중량에대하여, 인산 15 중량% 내지 70 중량%; 초산 4 중량% 내지 40 중량%; 과망간산염 0.1 중량% 내지 10 중량%; 및불소-함유화합물 0.5 중량% 내지 8 중량%를포함한다.
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