公开(公告)号：WO2023277356A1

公开(公告)日：2023-01-05

申请号：PCT/KR2022/007606

申请日：2022-05-27

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 원종찬 ,  김윤호 ,  박노균 ,  소유진 ,  김진수 ,  박종민 ,  유성미 ,  강이영 ,  박현진 ,  하유미 ,  정지윤 ,  임현태 ,  서은별 ,  이지원 ,  안현정

IPC: C08G73/10

Abstract: 본 출원은 유기 용매가 아닌 물에서 폴리아믹산 중합 가능할 뿐 아니라, 저온 경화 시 높은 이미드화율을 구현하는 폴리아믹산 수용액 조성물을 제공한다.

公开(公告)号：WO2021101264A1

公开(公告)日：2021-05-27

申请号：PCT/KR2020/016356

申请日：2020-11-19

Applicant: 한국화학연구원 ,  경북대학교 산학협력단

Inventor： 가재원 ,  강혜주 ,  이미혜 ,  강이영 ,  김학린 ,  주경일

IPC: C07D211/82 ,  C07D239/26 ,  C08F220/18 ,  C08F218/08 ,  C08F226/02 ,  G11B7/24044

Abstract: 본 발명은 아조벤젠 화합물, 이를 포함하는 홀로그램 기록용 조성물, 홀로그램 기록용 매체, 이를 사용한 홀로그램 기록 재료 및 홀로그램 기록 또는 재기록 방법에 관한 것으로써, 본 발명의 아조벤젠 단량체 화합물은 장파장의 파장에서 광 이성질화가 일어나고, 적은 양의 광조사에 의해서도 굴절율 변화를 크게 할 수 있는 고복굴절율 부분을 포함하고 있어 아조벤젠 단량체 화합물을 포함하는 고분자는 레이저 조사에 의한 홀로그램 기록/재기록 소재로 유용하게 사용될 수 있다.

公开(公告)号：KR102139544B1

公开(公告)日：2020-07-30

申请号：KR1020190037192

申请日：2019-03-29

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김윤호 ,  원종찬 ,  양관수 ,  김동균 ,  김진수 ,  박노균 ,  안현정 ,  강이영 ,  소유진

IPC: C08J9/28 ,  C08J9/00 ,  C08K3/22

公开(公告)号：KR101952629B1

公开(公告)日：2019-02-28

申请号：KR1020170094980

申请日：2017-07-26

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김윤호 ,  원종찬 ,  박재연 ,  박노균 ,  강이영

IPC: C08J3/20 ,  C08K9/04 ,  C08L53/02 ,  C08K5/5317 ,  C09D11/30

公开(公告)号：KR101890849B1

公开(公告)日：2018-10-01

申请号：KR1020160094569

申请日：2016-07-26

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김윤호 ,  원종찬 ,  윤현우 ,  강이영 ,  박재연 ,  박노균 ,  김동균

IPC: B32B27/18 ,  C08K3/22 ,  B32B27/08 ,  C08L101/00 ,  H01G4/20 ,  H01L51/56

Abstract: 본발명은제1 유전성무기입자; 및상기제1 유전성무기입자표면에형성된제1 전도성물질;을포함하는제1 복합입자; 및제1 고분자매트릭스;를포함하는제1 층; 제2 유전성무기입자; 및상기제2 유전성무기입자표면에형성된제2 전도성물질;을포함하는제2 복합입자; 및제2 고분자매트릭스;를포함하는제2 층; 및상기제1 층및 제2 층사이에배치되고, 제3 유전성무기입자; 및제3 고분자매트릭스를포함하는절연층;을포함하는고분자복합체를제공한다. 본발명에따른고분자복합체는높은유전율과높은파괴전압특성을가지기때문에, 높은에너지밀도달성이가능하다. 또한, 전도성나노입자를세라믹나노입자표면에직접성장시킴으로써, 전도성나노입자의응집을최소화할수 있어, 분산성향상및 전도성경로(pathway) 형성을최소화할수 있다. 나아가, 내장형커패시터에이용될수 있는, 고유전성고분자복합필름제조가능하며, 유연박막전자소자에적용가능하다.

公开(公告)号：KR20180012353A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：KR20160094569

申请日：2016-07-26

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김윤호 ,  원종찬 ,  윤현우 ,  강이영 ,  박재연 ,  박노균 ,  김동균

IPC: B32B27/18 ,  B32B27/08 ,  C08K3/22 ,  C08L101/00 ,  H01G4/20 ,  H01L51/56

CPC classification number: B32B27/18 ,  B32B27/08 ,  C08K3/22 ,  C08K9/00 ,  C08L101/00 ,  H01G4/20 ,  H01L51/56

Abstract: 본발명은제1 유전성무기입자; 및상기제1 유전성무기입자표면에형성된제1 전도성물질;을포함하는제1 복합입자; 및제1 고분자매트릭스;를포함하는제1 층; 제2 유전성무기입자; 및상기제2 유전성무기입자표면에형성된제2 전도성물질;을포함하는제2 복합입자; 및제2 고분자매트릭스;를포함하는제2 층; 및상기제1 층및 제2 층사이에배치되고, 제3 유전성무기입자; 및제3 고분자매트릭스를포함하는절연층;을포함하는고분자복합체를제공한다. 본발명에따른고분자복합체는높은유전율과높은파괴전압특성을가지기때문에, 높은에너지밀도달성이가능하다. 또한, 전도성나노입자를세라믹나노입자표면에직접성장시킴으로써, 전도성나노입자의응집을최소화할수 있어, 분산성향상및 전도성경로(pathway) 형성을최소화할수 있다. 나아가, 내장형커패시터에이용될수 있는, 고유전성고분자복합필름제조가능하며, 유연박막전자소자에적용가능하다.

Abstract translation: 本发明涉及一种制造包含第一介电无机颗粒的磁记录介质的方法， 并且在第一介电无机颗粒的表面上形成第一导电材料; 并且第一聚合物基质; 第二介电无机颗粒; 并且在第二介电无机颗粒的表面上形成第二导电材料; 和包含第二聚合物基质的第二层; 和设置在第一和第二层之间的第三介电无机颗粒; 以及包含第三聚合物基质的绝缘层。 由于根据本发明的聚合物复合材料具有高介电常数和高击穿电压特性，所以可以实现高能量密度。 另外，通过直接在陶瓷纳米颗粒的表面上生长导电纳米颗粒，可以使导电纳米颗粒的聚集最小化，由此改善分散性并使导电通路的形成最小化。 此外，可以制造可用于嵌入式电容器的高介电聚合物复合膜，并且可应用于柔性薄膜电子器件。