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公开(公告)号：KR100266965B1
公开(公告)日：2000-09-15
申请号：KR1019970065147
申请日：1997-12-02
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C23C16/40
Abstract: PURPOSE: A method for preparing a composite oxide of lithium and 13th group metal is provided which economically and simply provides LiMO2 type composite oxide film under low pressure. CONSTITUTION: The LiMO2 type composite oxide film of lithium and 13th group metal is prepared by contacting a vapor state alkylic acid alkyl hetero metal compound of lithium and 13th group metal represented by the following formula (I): LiOR'·(R'O)MR2 with a substrate. In the formula (I), M is aluminum or gallium, and each R and R' is a C1-10 alkyl group.
Abstract translation: 目的：提供一种制备锂和第13族金属的复合氧化物的方法，其经济地且简单地在低压下提供LiMO 2型复合氧化物膜。 构成：锂和第13族金属的LiMO2型复合氧化物膜是通过将由下式（I）表示的锂和第13族金属的气态烷基烷基异金属化合物与LiOR'·（R'O） MR2与底物。 在式（I）中，M是铝或镓，R和R'各自为C 1-10烷基。
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公开(公告)号：KR100250598B1
公开(公告)日：2000-04-01
申请号：KR1019970031003
申请日：1997-07-04
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/40
Abstract: PURPOSE: A method is provided to deposit titanium dioxide using tertiary-butyric acid titanium. CONSTITUTION: The method comprises the process of contacting a gas produced by vaporizing tertiary-butyric acid titanium with a substrate which is maintained at a temperature ranging from 250 to 400 deg.C so that a titanium dioxide film is formed on the substrate by the thermo-chemical deposition.
Abstract translation: 目的：提供使用叔丁酸钛沉积二氧化钛的方法。 方案：该方法包括将叔丁酸钛汽化产生的气体与保持在250-400℃范围内的基质接触的方法，以便通过热量在基底上形成二氧化钛膜 化学沉积。
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4.发明公开
公开(公告)号：KR1019990046967A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970065147
申请日：1997-12-02
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 하기 일반식 (I)의 리튬과 13 족 금속의 알킬산알킬헤테로금속 화합물을 사용하여 리튬과 13 족 금속의 LiMO
2 형 복합 산화물을 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따르면 낮은 압력에서 간편하게 상기 복합 산화물을 얻을 수 있다.
LiOR'·(R'O)MR
2 (I)
상기 식에서,
M은 Al 또는 Ga이고;
R 및 R'은 각각 탄소수 1 내지 10 개의 알킬 기이다.-
公开(公告)号：KR100164984B1
公开(公告)日：1999-01-15
申请号：KR1019950046455
申请日：1995-12-04
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C30B29/20
CPC classification number: C23C16/403
Abstract: 본 발명은 별도의 산소 공급물질을 사용하지 않고서 상온에서도 하기식의 알킬산디알킬알루미늄을 원료로 사용하여 화학증착에 의해 기질위에 산화알루미늄막을 형성하는 방법에 관한 것이다:
R
1
2 AlOR
2
상기식에서 R
1 과 R
2 는 같거나 서로 다르며, 각각 C
1 -C
10 알킬이다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019970061903A
公开(公告)日：1997-09-12
申请号：KR1019960003367
申请日：1996-02-12
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F5/06
Abstract: 본원 발명은 일반식 Mg〔(R
1
2 Al(OR
2 )
2 〕
2 로 표현되는 알킬알루미늄알킬산마그네슘과 그의 제조 방법 및 이를 원료로 사용하여 알루민산마그네슘 막을 형성하는 방법에 대한 것이다. 알킬알루미늄알킬산마그네슘은 증기압이 높아 낮은 압력과 상온 정도의 온도에서 용이하게 기체 상태로 운반할 수 있으므로 화학증착법으로 반도체 기질 등에 알루민산마그네슘막을 형성시키기에 적합하다.-
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8.发明授权신규한 인다졸 유도체, 이의 제조방법 및 이를 유효성분으로 함유하는 암 질환의 예방 또는 치료용 약학적 조성물 有权一种新颖的吲唑衍生物，其制备方法以及用于预防或治疗癌症疾病的药物组合物以及含有该化合物作为活性成分的药物组合物
公开(公告)号：KR101796781B1
公开(公告)日：2017-11-13
申请号：KR1020160062170
申请日：2016-05-20
IPC: C07D231/56 , A61K31/416 , A61K31/18
CPC classification number: C07D231/56 , A61K31/18 , A61K31/416
Abstract: 본발명은신규한인다졸유도체, 이의제조방법및 이를유효성분으로함유하는암 질환의예방또는치료용약학적조성물에관한것으로, 본발명에따른화합물, 이의광학이성질체또는이의약학적으로허용가능한염은 TRAIL 내성을갖는암에있어, 우수한 TRAIL 내성저해활성을갖으며, 이를유효성분으로함유하는약학적조성물로사용시, 예를들어 TRAIL과병용시암의예방및 치료에유용한효과가있다.
Abstract translation: 本发明涉及新的吲唑衍生物，它们的制备，以及，根据本发明的化合物将达到约化学治疗或预防包含作为活性成分的抗癌物质组合物，其光学异构体或uiyakhak上可接受的盐是 在具有TRAIL抗性，已具有极好的耐TRAIL抑制活性的臂，作为包含该化合物作为活性成分的药物组合物，例如在使用时，在泰国的对TRAIL gwabyeong预防和治疗的有益效果。
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公开(公告)号：KR100186949B1
公开(公告)日：1999-05-15
申请号：KR1019960003367
申请日：1996-02-12
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F5/06
CPC classification number: C23C16/403 , C07F5/06
Abstract: 본원 발명은 일반식 Mg[R
1
2 Al(OR
2 )
2 ]
2 로 표현되는 알킬알루미늄알킬산마그네슘과 그의 제조 방법 및 이를 원료로 사용하여 알루민산마그네슘 막을 형성하는 방법에 대한 것이다. 알킬알루미늄알킬산마그네슘은 증기압이 높아 낮은 압력과 상온 정도의 온도에서 용이하게 기체 상태로 운반알 수 있으므로 화학증착법으로 반도체 기질 등에 알루민산마그네슘막을 형성시키기에 적합하다.-
10.发明公开2가 금속과 13족 금속의 알킬산알킬헤테로금속 화합물,이의 제조방법 및 이를 이용한 MM'2O4 형 복합 산화물 막의 제조방법 失效二价金属和第13族金属的烷基化烷基 - 杂金属化合物，其制备方法以及使用其制备MM'2O4型复合氧化物膜的方法
公开(公告)号：KR1019990015970A
公开(公告)日：1999-03-05
申请号：KR1019970038384
申请日：1997-08-12
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표현되는 2가 금속과 13족 금속의 알킬산알킬헤테로금속 화합물, 이의 제조방법 및 이를 원료로 사용하여 2가 금속과 13족 금속의 MM'
2 O
4 형 복합 산화물의 막을 제조하는 방법에 관한 것이다.
[화학식 1]
M[(μ-OR')
2 M'R
2 ]
2
이때, M은 Be, Mg, Zn 또는 Cd이고; M'은 Al 또는 Ga이며; R 및 R'은 탄소 원자 1개 내지 10개를 포함하는 알킬 기이다(단, M이 Mg일때에는 M'은 Al이 아니다).
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