公开(公告)号：WO2023013949A1

公开(公告)日：2023-02-09

申请号：PCT/KR2022/010925

申请日：2022-07-26

Applicant: 한국화학연구원 ,  주식회사 메카로

Inventor： 정택모 ,  류지연 ,  엄태용 ,  김창균 ,  박보근 ,  박찬우 ,  김선아 ,  황정민

IPC: C07F15/00 ,  C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

Abstract: 본 발명은 루테늄 유기금속 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 화학기상증착 또는 용액공정을 통하여 박막을 제조함에 있어, 열적 안정성과 휘발성이 개선되고, 낮은 온도에서 쉽게 양질의 루테늄 박막 또는 루테늄 산화물 박막을 제조할 수 있는 루테늄 유기금속 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：WO2015060636A1

公开(公告)日：2015-04-30

申请号：PCT/KR2014/009938

申请日：2014-10-22

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 정윤장 ,  이영국 ,  최원진 ,  이정오 ,  정택모 ,  김창균

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/06

CPC classification number: C23C16/40 ,  C23C16/45525

Abstract: 본 발명은 단원자 증착(atomic layer deposition, ALD)법을 이용하여, 도핑영역층과 비도핑영역층을 구비하여 두께 방향으로 성분상에 있어서 복합 및 비대칭적인 복합박막 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 복합박막은 박막 일부에 도판트 원자층을 포함하는 도핑영역층을 구비함으로써, 박막 두께 방향으로 성분상에 있어서 복합 및 비대칭적 특성을 갖게 되고, 이는 도핑영역층과 비도핑영역층간의 밴드 구조가 달라지게 됨으로써 박막의 층 영역별로 전자기적 특성이 달라지게 되고, 기능성이 향상되어 디스플레이, 메모리, 반도체 영역 전반에 걸쳐서 사용될 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种复合薄膜，其通过原子层沉积（ALD）设置有掺杂区域层和非掺杂区域层，因此在厚度方向上的分量方面是复杂的和不对称的，并且 一种制备方法。 根据本发明的复合薄膜在薄膜的一个区域上具有包括掺杂剂原子层的掺杂区域层，从而在薄膜的厚度方向上的成分方面具有复杂且不对称的性质， 并且允许掺杂区域层和非掺杂区域层具有不同的带结构，从而对薄膜的每个层区域具有不同的电磁特性。 因此，复合薄膜具有改进的功能，可用于显示器，存储器和半导体的所有领域。

公开(公告)号：WO2013168941A1

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：PCT/KR2013/003910

申请日：2013-05-06

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 박보근 ,  정택모 ,  김창균 ,  전동주 ,  김효숙 ,  이영국 ,  안기석 ,  이선숙 ,  임종선

IPC: C01F5/00 ,  C23C16/18

CPC classification number: C23C16/403

Abstract: 본 발명은 β-다이케토네이트와 아미노알콕사이드 리간드를 갖는 산화 마그네슘 전구체에 관한 것으로, 상기 산화 마그네슘 전구체는 열적으로 안정하고 휘발성이 좋으므로 양질의 산화 마그네슘을 포함한 박막을 형성할 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及具有β-二酮酸盐和氨基 - 醇盐配体的氧化镁前体。 氧化镁前体具有良好的热稳定性和挥发性，因此可以获得改善的含氧化镁薄膜。

公开(公告)号：WO2023080505A1

公开(公告)日：2023-05-11

申请号：PCT/KR2022/016135

申请日：2022-10-21

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 정택모 ,  류지연 ,  박찬우 ,  박보근 ,  김창균 ,  엄태용

IPC: C07F3/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

Abstract: 본 발명은 유기금속 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 화학기상증착 또는 용액공정을 통하여 박막을 제조함에 있어, 열적 안정성과 휘발성이 개선되고, 낮은 온도에서 쉽게 양질의 금속 박막 또는 금속 산화물 박막을 제조할 수 있는 유기금속 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：WO2013165212A1

公开(公告)日：2013-11-07

申请号：PCT/KR2013/003866

申请日：2013-05-03

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 박보근 ,  정택모 ,  김창균 ,  조지쉐비메리 ,  이영국 ,  임종선 ,  정석종 ,  전동주 ,  안기석 ,  이선숙

IPC: C07F3/00 ,  C23C16/18

CPC classification number: C07F3/003 ,  C07F3/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/409 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45525

Abstract: 본 발명은 베타디케톤네이트 화합물을 포함하는 신규의 스트론튬 전구체에 관한 것으로, 상기 스트론튬 전구체는 열적으로 안정하고 휘발성이 좋으므로 양질의 스트론튬 박막을 형성할 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及包含β-二酮化合物的新型锶前体，其中由于其热稳定性和高挥发性，锶前体可以形成高品质的锶薄膜。

公开(公告)号：WO2013118937A1

公开(公告)日：2013-08-15

申请号：PCT/KR2012/002054

申请日：2012-03-22

Applicant: 한국화학연구원 ,  이선숙 ,  이병국 ,  정택모 ,  김창균 ,  안기석 ,  이영국 ,  정석종 ,  박보근

Inventor： 이선숙 ,  이병국 ,  정택모 ,  김창균 ,  안기석 ,  이영국 ,  정석종 ,  박보근

IPC: H01L21/365

CPC classification number: H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/7869

Abstract: 본 발명은 아연 및 주석 전구체를 사용하여 화학 기상 증착법(chemcal vapor deposition, CVD) 또는 원자층 증착법(atomic layer deposition, ALD)으로 아연주석 산화물 박막을 형성하는 방법 및 이를 이용한 TFT(thin film transistors) 소자 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 아연주석 산화물 박막의 제조방법은 주석과 아연의 조성제어가 가능하며, 낮은 온도에서 공정이 가능하며, 삼차원 구조의 기재 상에서도 두께가 균일한 박막을 제조할 수 있고 제조된 주석 산화물은 높은 전계 효과 이동도(field effect mobility)를 가지고 있어 TFTs의 채널재료로 적용할 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及通过化学气相沉积（CVD）或原子层沉积（ALD）形成使用锌和锡前体的氧化锌锡薄膜的方法，以及制造薄膜晶体管（TFT）的方法， 元素使用该方法。 根据本发明的制造锌锡氧化物薄膜的方法能够在低温下控制和加工锡锌组合物。 根据本发明的方法，可以制造具有均匀厚度的薄膜，即使在具有三维结构的基底上。 这样制造的氧化锡具有高的场效应迁移率，并且可以用作TFT通道的材料。

公开(公告)号：WO2013002605A3

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：PCT/KR2012/005194

申请日：2012-06-29

Applicant: 한국화학연구원 ,  정선호 ,  이병석 ,  최영민 ,  류병환 ,  정택모 ,  김창균 ,  서영희 ,  조예진

Inventor： 정선호 ,  이병석 ,  최영민 ,  류병환 ,  정택모 ,  김창균 ,  서영희 ,  조예진

IPC: C01G3/00 ,  C01B19/00 ,  C01G15/00 ,  B01J2/00 ,  C23C16/06 ,  H01L31/042

Abstract: 본 발명은 태양전지 광활성층용 복합입자및 그 제조방법에 관한 것으로, 상세하게，본 발명에 따른 복합입자는 M 1 A X (M은 11족 금속에서 하나 또는 둘 이상 선택된 것이며， A는 칼코젠 원소이며， X 는 1내지 2를 만족하는 실수)을 만족하는 11족 금속 칼코젠화합물이 매질에 혼재된 태양전지 광활성층용 복합입자이다.

公开(公告)号：WO2022169232A1

公开(公告)日：2022-08-11

申请号：PCT/KR2022/001606

申请日：2022-01-28

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 정택모 ,  박보근 ,  이가연 ,  김창균 ,  김건환 ,  엄태용

IPC: C07F7/28 ,  C07F7/00 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

Abstract: 본 발명은 4족 전이금속 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여　박막을 형성하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 4족 전이금속 화합물은 열적으로 안정하고 휘발성이 우수하고 저장안정성이 높아, 이를 전구체로 이용하여 고밀도 및 고순도의 4족 전이금속함유 박막 및 이의 제조방법을 제공할 수 있다.

公开(公告)号：WO2012148085A9

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：PCT/KR2012/002056

申请日：2012-03-22

Applicant: 한국화학연구원 ,  정택모 ,  김창균 ,  이영국 ,  안기석 ,  이선숙 ,  박보근 ,  정석종 ,  정인경 ,  전동주 ,  임종선 ,  이창완

Inventor： 정택모 ,  김창균 ,  이영국 ,  안기석 ,  이선숙 ,  박보근 ,  정석종 ,  정인경 ,  전동주 ,  임종선 ,  이창완

IPC: C07F9/90 ,  C23C16/18 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

Abstract: 본 발명은 신규한 안티몬 아미노 알콕사이드 화합물과 이를 이용하여 안티몬을 포함하는 박막을 제조하는 방법에 대한 것이다. 본 발명에 따른 신규한 안티몬 아미노 알콕사이드 화합물은 Sb[O-A-NR1R2]3으로 나타낼 수 있고, 상기 식에서, A는 C1-C10 선형 또는 분지형 알킬기로 치환 또는 비치환된 C2-C5의 알킬렌이고; R1 및 R2는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이다. 본 발명에 따르면, 품질이 우수한 박막을 제조할 수 있는 안티몬 전구체를 제공할 수 있다.

公开(公告)号：WO2011102584A1

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：PCT/KR2010/006959

申请日：2010-10-12

Applicant: 한국화학연구원 ,  김창균 ,  정택모 ,  이영국 ,  안기석 ,  이선숙 ,  류병환 ,  정인경

Inventor： 김창균 ,  정택모 ,  이영국 ,  안기석 ,  이선숙 ,  류병환 ,  정인경

IPC: C07F5/00 ,  C07C229/10 ,  C07C227/18 ,  C23C16/40

CPC classification number: C07C229/10

Abstract: 본 발명은 변형된 글리신을 사용한 신규의 금속 디알킬글리신 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 수분에서 안정하고 보관이 용이하며 열적 안정성이 있는 금속 디알킬글리신 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.

Abstract translation: 本发明涉及使用改性甘氨酸的新型二烷基甘氨酸金属及其制备方法，其中二烷基甘氨酸金属在水中稳定，易于储存，并具有热稳定性。