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公开(公告)号：KR1019970027373A
公开(公告)日：1997-06-24
申请号：KR1019950041636
申请日：1995-11-16
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C30B7/10
Abstract: 목적
본원 발명은 코발트 이온이 탄산나트륨 수열용액내에서의 안정된 온도범위를 규명하고, 종자결정 표면에 남아 있는 미세결함을 제거하여 균일색상의 청색수정을 육성, 제조하는데 목적이 있다.
구성
조쇄한 천연수정 Co
3 O
4 분말을 용기에 넣어 오토클레이브의 하단부(원료용해부)에 장착하고 대류조절판을 오토클레이브의 중앙부에 얹은 후 (0001)방향의 판상 종자결정을 상단부(결정육성부)에 정착한 후 이에 탄산나트륨과 질산리튬 혼합용액을 충전후 오토클레이브를 밀폐하고 수열에칭한 다음 상단부 온도를 강하시키고 하단부 온도를 승온시킨 후 일정기간 유지하여 결정을 육성하는 청색수정의 제조방법이다.-
公开(公告)号：KR100158264B1
公开(公告)日：1998-11-16
申请号：KR1019950031860
申请日：1995-09-26
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C30B7/10
Abstract: [목적] 본원 발명은 균열이 발생하지 않고 종자결정과 성장영역 계면에 불균질한 성장충의 발생의 억제 및 불순물을 저하시키는 자수정의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
[구성] 분쇄한 천연수정과 천연철광석을 용기에 넣은 것을 오토크레이브하단부(원료 용액부)에 장착하고 그 위에 개공된 대류조절관을 얹은 후 +X축 방향을 30° 절단한(0111)방향의 판상 종자결정을 상단부(결정육성부)에 장착하고 탄산칼슘 수용액에 질산리튬을 첨가하여 조제한 액을 오토클레이브에 채운 후 이를 밀봉하고, 전기 상단부 및 하단부를 고온으로 가열한 상태에서 수열에칭 및 결정을 육성하여 자수정을 얻는다.-
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公开(公告)号：KR1020000009318A
公开(公告)日：2000-02-15
申请号：KR1019980029631
申请日：1998-07-23
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C30B7/00
CPC classification number: C30B7/00
Abstract: PURPOSE: A zinc oxide bulk single crystal is prepared which increases a growth to 1010 direction. CONSTITUTION: The zinc oxide powder is sintered and thrown into a lower part of autoclave, and zinc oxide seed crystal is thrown into an upper part of the autoclave. A mineralizer comprising 2.5- 3.5 mole of potassium hydroxide, 0.5- 1.5 mole of lithium hydroxide and 0.5- 1.0 mole of ammonium hydroxide is thrown into the autoclave and sealed. Temperatures of the upper part and lower part of the autoclave are risen to 330- 350°C and 350- 370°C respectively, and maintained at 350- 400 atm for 20 days to give the zinc oxide single crystal.
Abstract translation: 目的：制备氧化锌本体单晶，其增长到1010方向。 构成：将氧化锌粉末烧结并投入高压釜的下部，将氧化锌晶种投入高压釜的上部。 将包含2.5-3.5摩尔氢氧化钾，0.5-1.5摩尔氢氧化锂和0.5-1.0摩尔氢氧化铵的矿化剂投入高压釜中并密封。 高压釜的上部和下部的温度分别升至330-350℃和350-370℃，并保持在350-400大气压下20天，得到氧化锌单晶。
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公开(公告)号：KR1019970015794A
公开(公告)日：1997-04-28
申请号：KR1019950031860
申请日：1995-09-26
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C30B7/10
Abstract: [목적]
본원 발명은 균열이 발생하지 않고 종자결정과 성장영역 계면에 불균질한 성장층의 발생의 억제 및 불순물을 저하시키는 자수정의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
[구성]
분쇄한 천연수정과 천연철광석을 용기에 넣은 것을 오토크레이브 하단부(원료용액부)에 장착하고, 그 위에 개공된 대류조절관을 얹은 후 +X축 방향을 30。 절단한 (0111)방향의 판상 종자결정을 상단부(결정육성부)에 장착하고 탄산칼슘 수용액에 질산리튬을 첨가하여 조제한 액을 오토클레이브에 채운 후 이를 밀봉하고, 전기 상단부 및 하단부를 고온으로 가열한 상태에서 수열에칭 및 결정을 육성하여 자수정을 얻는다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100147145B1
公开(公告)日：1998-08-17
申请号：KR1019950041636
申请日：1995-11-16
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C30B7/10
Abstract: 목적 : 본원 발명은 코발트 이온이 탄산나트륨 수열용액내에서의 안정된 온도범위를 규명하고, 종자결정 표면에 남아 있는 미세결함을 제거하여 균일 색상의 청색수정을 육성, 제조하는데 목적이 있다.
구성 : 조쇄한 천연수정 Co
3 O
4 분말을 용기에 넣어 오토클레이브의 하단부(원료용해부)에 장착하고 대류조절판을 오토클레이브의 중앙부에 얹은 후 (0001)방향의 판상 종자결정을 상단부(결정육성부)에 장착한 후 이에 탄산나트륨과 질산리튬 혼합용액을 충전후 오토클레이브를 밀폐하고 수열에칭한 다음 상단부 온도를 강하시키고 하단부 온도를 승온시킨 수 일정기간 유지하여 결정을 육성하는 청색수정의 제조방법이다.-
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公开(公告)号：KR100274316B1
公开(公告)日：2000-12-15
申请号：KR1019980039587
申请日：1998-09-24
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C30B7/10
Abstract: 본 발명은 압전 소자용 수정 단결정의 제조방법에 관한 것으로, 원료와 종자결정을 승온하여 수열법으로 종자결정을 육성하는 수정 단결정의 제조방법에 있어서, 종자결정을 오토클레이브내에 수평으로 배치하고, 바람직하게는 승온단계시 음의 온도구배로 결정을 수열에칭하는 것을 특징으로 하는 본 발명의 수정 단결정의 제조방법에 따르면 기존의 방법에 의해 생성된 수정 단결정에 비해 성장영역 및 종자결정과 성장영역의 계면에서 발생하는 함유물 크러스터의 혼입이 현저하게 감소된 고순도 수정 단결정을 제조할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020000020807A
公开(公告)日：2000-04-15
申请号：KR1019980039587
申请日：1998-09-24
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C30B7/10
Abstract: PURPOSE: A preparation method of a crystal of high-purity by disposing a seed crystal horizontally in an autoclave and hydrothermal-etching the crystal with a gradient of negative temperature in a heat rising step is provided which can minimize the formation of a cluster. CONSTITUTION: A method for making a high-purity quartz crystal comprises: (a)disposing a seed crystal horizontally in an autoclave and hydrothermal-etching the crystal with a gradient of negative temperature in a heat rising step in which the temperature in a crystal growing part is raised to 10-20 deg.C more than in a dissolving part when the temperature in a crystal growing part reaches 200 deg.C in the heating rising step. The compound is useful as a high-purity quartz oscillator, a surface acoustic element, and an optical low pass filter.
Abstract translation: 目的：提供一种通过在高压釜中水平放置晶种并在加热步骤中以负温度梯度水热蚀刻晶体的高纯度晶体的制备方法，其可以最小化簇的形成。 构成：制造高纯度石英晶体的方法包括：（a）将晶种水平放置在高压釜中，并在晶体生长中的温度升温步骤中以负温度梯度水热蚀刻晶体 当加热上升步骤中晶体生长部分的温度达到200℃时，部分比溶解部分高10-20℃。 该化合物可用作高纯度石英振荡器，表面声学元件和光学低通滤波器。
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