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1.发明申请
公开(公告)号：WO2012148085A9
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：PCT/KR2012/002056
申请日：2012-03-22
IPC: C07F9/90 , C23C16/18 , C23C16/44 , H01L21/205
Abstract: 본 발명은 신규한 안티몬 아미노 알콕사이드 화합물과 이를 이용하여 안티몬을 포함하는 박막을 제조하는 방법에 대한 것이다. 본 발명에 따른 신규한 안티몬 아미노 알콕사이드 화합물은 Sb[O-A-NR1R2]3으로 나타낼 수 있고, 상기 식에서, A는 C1-C10 선형 또는 분지형 알킬기로 치환 또는 비치환된 C2-C5의 알킬렌이고; R1 및 R2는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이다. 본 발명에 따르면, 품질이 우수한 박막을 제조할 수 있는 안티몬 전구체를 제공할 수 있다.
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2.发明申请
公开(公告)号：WO2013165221A1
公开(公告)日：2013-11-07
申请号：PCT/KR2013/003879
申请日：2013-05-03
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C23C16/305 , C07F1/005 , C07F3/003 , C07F7/003 , C07F7/2284 , C07F9/902
Abstract: 본 발명은 아미노싸이올레이트 리간드를 이용한 금속 전구체에 관한 것으로, 상기 금속 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점이 있고 열적 안정성과 휘발성이 향상되어 양질의 황화금속 박막을 형성할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用氨基硫醇配体的金属前体，其中金属前体包含硫，并且具有在制造薄膜时不需要单独添加硫的优点，并且由于制备高质量的金属硫化物薄膜而形成 增强的热稳定性和挥发性。
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公开(公告)号：WO2013168945A1
公开(公告)日：2013-11-14
申请号：PCT/KR2013/003919
申请日：2013-05-06
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07D487/22 , H01L51/0091 , H01L51/0545
Abstract: 본 발명은 벤조포르피린 유도체의 신규한 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 벤조포르피린 유도체의 신규한 제조방법은 종래에 알려진 벤조포르피린 유도체의 제조방법에 비해 제조공정 단계를 현저히 줄임으로써 목적 화합물인 벤조포르피린 유도체를 경제적으로 얻을 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制备苯并卟啉衍生物的新方法。 根据本发明，与用于制备苯并卟啉衍生物的常规方法相比，制备苯并卟啉衍生物的新方法可以经济地获得作为目标化合物的苯并卟啉衍生物，通过显着降低制备步骤。
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公开(公告)号：WO2013165212A1
公开(公告)日：2013-11-07
申请号：PCT/KR2013/003866
申请日：2013-05-03
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F3/003 , C07F3/00 , C23C16/18 , C23C16/409 , C23C16/44 , C23C16/45525
Abstract: 본 발명은 베타디케톤네이트 화합물을 포함하는 신규의 스트론튬 전구체에 관한 것으로, 상기 스트론튬 전구체는 열적으로 안정하고 휘발성이 좋으므로 양질의 스트론튬 박막을 형성할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及包含β-二酮化合物的新型锶前体，其中由于其热稳定性和高挥发性，锶前体可以形成高品质的锶薄膜。
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公开(公告)号：WO2013118937A1
公开(公告)日：2013-08-15
申请号：PCT/KR2012/002054
申请日：2012-03-22
IPC: H01L21/365
CPC classification number: H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/0262 , H01L29/7869
Abstract: 본 발명은 아연 및 주석 전구체를 사용하여 화학 기상 증착법(chemcal vapor deposition, CVD) 또는 원자층 증착법(atomic layer deposition, ALD)으로 아연주석 산화물 박막을 형성하는 방법 및 이를 이용한 TFT(thin film transistors) 소자 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 아연주석 산화물 박막의 제조방법은 주석과 아연의 조성제어가 가능하며, 낮은 온도에서 공정이 가능하며, 삼차원 구조의 기재 상에서도 두께가 균일한 박막을 제조할 수 있고 제조된 주석 산화물은 높은 전계 효과 이동도(field effect mobility)를 가지고 있어 TFTs의 채널재료로 적용할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及通过化学气相沉积（CVD）或原子层沉积（ALD）形成使用锌和锡前体的氧化锌锡薄膜的方法，以及制造薄膜晶体管（TFT）的方法， 元素使用该方法。 根据本发明的制造锌锡氧化物薄膜的方法能够在低温下控制和加工锡锌组合物。 根据本发明的方法，可以制造具有均匀厚度的薄膜，即使在具有三维结构的基底上。 这样制造的氧化锡具有高的场效应迁移率，并且可以用作TFT通道的材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101636491B1
公开(公告)日：2016-07-05
申请号：KR1020140086145
申请日：2014-07-09
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은하기화학식 1의루테늄화합물및 이의제조방법, 박막을형성하는방법에관한것으로, 하기화학식 1의루테늄화합물은열적안정성과휘발성이우수하여양질의루테늄박막을형성할수 있다. [화학식 1]상기 R내지 R은각각독립적으로수소또는탄소수 1 내지 4의선형또는분지형의알킬기이다.
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公开(公告)号：KR101530045B1
公开(公告)日：2015-06-18
申请号：KR1020130046350
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은하기화학식 1로표시되는갈륨전구체에관한것으로, 상기갈륨전구체는황을포함하고있는전구체로서박막제조중에별도의황을첨가시키지않아도되는장점이있고열적안정성과휘발성이향상되어양질의황화갈륨박막을형성할수 있다.[화학식 1](상기식에서, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이고, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형의알킬기또는 C1-C10의선형또는분지형의플루오르화알킬기이며, n은 1 내지 3 범위의정수에서선택된다.)
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公开(公告)号：KR1020140106248A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：KR1020130020560
申请日：2013-02-26
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: Y02P20/544 , C30B7/105
Abstract: The present invention relates to a method for continuously producing a group iii nitride crystal powder, which reduces the process of connection and transport of a reactor over an existing ammonothermal synthesis reaction; minimizes contamination from oxygen and moisture by blocking the reactor from external air; and reduces the processing hours, thereby providing a reactor with excellent productivity for ammonothermal synthesis, by continuously pouring raw materials while maintaining a constant temperature and continuously collecting the powder whose reaction is finished.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于连续生产III族氮化物晶体粉末的方法，其减少了在现有的氨热合成反应器中反应器的连接和运输过程; 通过从外部空气堵塞反应器，最大限度地减少氧气和水分的污染; 并减少加工时间，从而通过连续地浇注原料同时保持恒温并连续收集反应结束的粉末，从而为氨热合成提供了优异的生产率的反应器。
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公开(公告)号：KR101380897B1
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：KR1020120136559
申请日：2012-11-28
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F9/908 , C23C16/305
Abstract: The present invention relates to an antimony precursor denoted by chemical formula 1. The antimony precursor is a precursor which includes sulfur and does not require the addition of separate sulfur for the production of a thin film, and enables users to produce a high quality antimony thin film by having improved thermal stability and volatility. In chemical formula 1: R1 and R2 are independently a C1-C10 linear or branched alkyl group; R3 and R4 are independently a C1-C10 linear or branched alkyl or fluoroalkyl group; and n is a number selected from 1-3.
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的锑前体。锑前体是包含硫的前体，并且不需要添加分开的硫用于生产薄膜，并且能够使用户生产高质量的锑薄 膜具有改善的热稳定性和挥发性。 在化学式1中：R1和R2独立地为C1-C10直链或支链烷基; R3和R4独立地为C1-C10直链或支链烷基或氟代烷基; 并且n是选自1-3的数字。
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10.发明授权
公开(公告)号：KR101350706B1
公开(公告)日：2014-01-17
申请号：KR1020110123712
申请日：2011-11-24
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C09D11/52 , H01B1/14 , H01B1/20 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 나노사이즈 글래스 프릿이 함유된 전도성 잉크 조성물 및 이를 이용한 태양전지 전면 전극에 관한 것으로, 특히 전도성 잉크를 제조하는 단계에 있어서 사용되는 졸-겔 공정에 의한 나노 사이즈의 글래스 프릿 (glass frit)의 제조 방법을 포함한다. 글래스 프릿은 실리콘 태양전지 전면전극 재료에 필수 성분이며, 잉크젯 프린팅과 같은 비접촉 인쇄공정에 적용 가능 할 수 있도록 금속 전도성 잉크와 함께 높은 분산성을 가질 수 있다. 본 발명은 낮은 비용으로 태양전지 전극 조성물을 제조하고, 비접촉 인쇄공정을 통해 고효율 실리콘 태양전지 제조에 적용 할 수 있다.
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