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公开(公告)号：KR102226767B1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020190017882A
申请日：2019-02-15
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1608 , H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/1675
Abstract: 본 발명은 에너지 고 효율이 가능한 ReRAM의 제조 방법을 공개한다. 이 방법은 기판 상에 증착된 하부 전극층의 상부에 가변 저항막이 증착되는 단계; 및 상기 가변 저항막 상부에 상부 전극층이 증착되는 단계; 를 포함하고, 상기 상부 전극층과 상기 가변 저항막의 인터페이스 근처에서 산소 부족 층이 형성되어, 고 저항 상태를 수반하지 않고 복수개의 저 저항 상태 사이에서 저항이 전환됨에 따라 ReRAM 동작 중 소거 동작이 제거되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의할 경우, 종래의 반복적인 증분 단계 펄스 프로그래밍 / 오류 검사 및 교정 알고리즘이 멀티비트 저항 스위칭 동작 동안 시간 소모적인 문제점을 극복하고, 높은 신뢰성과 에너지 고 효율적인 저항 스위칭 동작을 달성할 수 있는 에너지 고 효율적인 멀티비트 저항 스위칭 동작이 가능하게 된다.
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公开(公告)号：KR102226791B1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020190013114A
申请日：2019-01-31
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L45/1233 , H01L45/145
Abstract: 본 발명은 소거 동작을 제거한 저항 스위칭 메모리를 공개한다. 이 장치는 하부 전극층, 가변 저항막 및 상부 전극층의 적층을 포함하는 저항 스위칭 메모리에 있어서, 멀티 비트 동작 구간 동안 상기 상부 전극층과 상기 가변 저항막의 인터페이스 근처에서 산소 부족 층이 형성되어 저항 스위칭 메모리 동작 중 소거 동작이 제거되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의할 경우, 상부 전극층이 부분적으로 산화되어, 저항 스위칭 메모리에서 요구되는 저항 스위칭 성능을 수행하기 위하여 필요한 양호한 산소 저장소 및 적절한 부하 저항 기능을 할 수 있게 된다.
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公开(公告)号：WO2013165212A1
公开(公告)日：2013-11-07
申请号：PCT/KR2013/003866
申请日：2013-05-03
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F3/003 , C07F3/00 , C23C16/18 , C23C16/409 , C23C16/44 , C23C16/45525
Abstract: 본 발명은 베타디케톤네이트 화합물을 포함하는 신규의 스트론튬 전구체에 관한 것으로, 상기 스트론튬 전구체는 열적으로 안정하고 휘발성이 좋으므로 양질의 스트론튬 박막을 형성할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及包含β-二酮化合物的新型锶前体，其中由于其热稳定性和高挥发性，锶前体可以形成高品质的锶薄膜。
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公开(公告)号：WO2013118937A1
公开(公告)日：2013-08-15
申请号：PCT/KR2012/002054
申请日：2012-03-22
IPC: H01L21/365
CPC classification number: H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/0262 , H01L29/7869
Abstract: 본 발명은 아연 및 주석 전구체를 사용하여 화학 기상 증착법(chemcal vapor deposition, CVD) 또는 원자층 증착법(atomic layer deposition, ALD)으로 아연주석 산화물 박막을 형성하는 방법 및 이를 이용한 TFT(thin film transistors) 소자 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 아연주석 산화물 박막의 제조방법은 주석과 아연의 조성제어가 가능하며, 낮은 온도에서 공정이 가능하며, 삼차원 구조의 기재 상에서도 두께가 균일한 박막을 제조할 수 있고 제조된 주석 산화물은 높은 전계 효과 이동도(field effect mobility)를 가지고 있어 TFTs의 채널재료로 적용할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及通过化学气相沉积（CVD）或原子层沉积（ALD）形成使用锌和锡前体的氧化锌锡薄膜的方法，以及制造薄膜晶体管（TFT）的方法， 元素使用该方法。 根据本发明的制造锌锡氧化物薄膜的方法能够在低温下控制和加工锡锌组合物。 根据本发明的方法，可以制造具有均匀厚度的薄膜，即使在具有三维结构的基底上。 这样制造的氧化锡具有高的场效应迁移率，并且可以用作TFT通道的材料。
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公开(公告)号：WO2020116770A1
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：PCT/KR2019/013698
申请日：2019-10-18
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F7/28 , C07F7/00 , C23C16/40 , C23C16/455 , H01L21/02 , H01L21/285
Abstract: 본 발명은 4족 전이금속 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 4족 전이금속 화합물은 열적으로 안정하고 휘발성이 우수하고 저장안정성이 높아, 이를 전구체로 이용하여 고밀도 및 고순도의 4족 전이금속함유 박막 및 이의 제조방법을 제공할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2015056944A1
公开(公告)日：2015-04-23
申请号：PCT/KR2014/009606
申请日：2014-10-14
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C23C14/5813 , C07F11/005 , C23C14/086 , C23C14/35 , C23C16/18 , C23C16/45553
Abstract: 본 발명은 몰리브데넘 화합물 또는 텅스텐 화합물에 관한 것으로, 상기 화합물은 열적으로 안정하고, 휘발성이 높아 이를 이용하여 몰리브데넘 칼코게나이드 또는 텅스텐 칼코게나이드를 포함하는 양질의 박막을 얻을 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及钼化合物或钨化合物。 该化合物是热稳定的和高挥发性的，因此可以通过使用该化合物获得包含硫族化钼或硫属钨的高质量薄膜。
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公开(公告)号：WO2020141871A1
公开(公告)日：2020-07-09
申请号：PCT/KR2019/018825
申请日：2019-12-31
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C01B32/158 , H01L41/187 , H01L41/193 , H01L41/317
Abstract: 탄소나노튜브를 시클로헥산(cyclohexane), 벤젠(benzen), 물(H 2 O), 1,4-다이옥세인(1,4-dioxane), 부틸알콜(tert-butyl alcohol), 아세톤(acetone), 클로로폼(chloroform), 및 메틸렌 클로라이드(methylene chloride)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 용매에 분산시켜 혼합용액을 제조하는 단계; 상기 혼합용액을 지지체에 도포하는 단계; 및 상기 지지체를 진공증발시키는 단계;를 포함하는 탄소나노튜브 폼의 제조방법이 개시된다.
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公开(公告)号：WO2014189191A1
公开(公告)日：2014-11-27
申请号：PCT/KR2013/011732
申请日：2013-12-17
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , C01B32/196 , H01L29/1606 , H01L29/66015
Abstract: 본 발명은 정전기적인 힘을 이용한 그래핀 클리닝 공정 및 이에 의해 처리된 그래핀 소자에 관한 것으로서, 구체적으로는 유기용매를 사용하여 한쪽 면에 그래핀 층이 형성되어 있는 그래핀 지지층을 제거하는 단계와 그래핀 지지층이 제거된 그래핀 층 상에 상호작용이 가능한 거리에 클리닝 부재를 위치시켜서 상기 클리닝 부재를 그래핀 층 상에서 이동시킴으로써 그래핀 지지층 잔사를 제거하는 단계를 포함하는 그래핀 클리닝 방법 및 상기 방법에 의해 클리닝 처리된 그래핀을 포함하는 소자를 제공한다. 본 발명에 따르면, 추가적인 공정이나 비용없이 대면적으로 그래핀의 성능을 균일하게 향상시킬 수 있으며, 본 발명으로 만들어진 클리닝된 그래핀 소자는 우수한 전기적 특성 및 기계적, 광학적 특성을 가진다.
Abstract translation: 本发明涉及使用静电力的石墨烯清洗工艺和由此处理的石墨烯装置。 更具体地说，本发明提供一种石墨烯清洗方法，其包括以下步骤：使用有机溶剂去除在其一面上形成有石墨烯层的石墨烯支撑层; 以及通过将石墨烯支撑层残留物去除石墨烯支撑层已去除的石墨烯层，然后将清洁部件移动到石墨烯层上，将清洁部件定位成允许相互作用的距离，以及包括石墨烯 通过过程清理。 根据本发明，可以在没有额外的工艺或成本的情况下大量地均匀地提高石墨烯的性能。 此外，在本发明中制造的清洁的石墨烯装置具有优异的电性能以及优异的机械和光学性能。
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公开(公告)号：WO2013168968A1
公开(公告)日：2013-11-14
申请号：PCT/KR2013/003961
申请日：2013-05-07
Applicant: 한국화학연구원
IPC: G02F1/1368 , H01L51/50 , H01L29/786
CPC classification number: C23C16/403 , C23C14/185 , C23C16/01 , C23C16/0281
Abstract: 기재 상에 금속 산화물/질화물/황화물 박막을 형성하고 고분자 지지층을 형성한 뒤 기재를 제거하여 수득하는 전사용 시트는, 원하는 다른 기재 상에 접착한 뒤 고분자 지지층을 제거함으로써 금속 산화물/질화물/황화물 박막을 전사 하는데 유용하게 사용될 수 있으며, 이와 같이 전사된 금속 산화물/질화물/황화물 박막은 원하는 두께로 형성될 수 있어서, 그래핀 전극 등을 사용하는 다양한 전자 소자의 제조를 보다 용이하게 할 수 있다.
Abstract translation: 通过在基板上形成金属氧化物/氮化物/硫化物薄膜，形成聚合物支撑层和除去基板而获得的转印片材可用于通过粘附到另一所需的材料上来转移金属氧化物/氮化物/硫化物薄膜 并除去聚合物支撑层。 由此转移的金属氧化物/氮化物/硫化物薄膜可以形成所需的厚度，从而便于使用石墨烯电极等制备各种电子器件。
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10.发明申请
公开(公告)号：WO2013165221A1
公开(公告)日：2013-11-07
申请号：PCT/KR2013/003879
申请日：2013-05-03
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C23C16/305 , C07F1/005 , C07F3/003 , C07F7/003 , C07F7/2284 , C07F9/902
Abstract: 본 발명은 아미노싸이올레이트 리간드를 이용한 금속 전구체에 관한 것으로, 상기 금속 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점이 있고 열적 안정성과 휘발성이 향상되어 양질의 황화금속 박막을 형성할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用氨基硫醇配体的金属前体，其中金属前体包含硫，并且具有在制造薄膜时不需要单独添加硫的优点，并且由于制备高质量的金属硫化物薄膜而形成 增强的热稳定性和挥发性。
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