公开(公告)号：KR1020050006516A

公开(公告)日：2005-01-17

申请号：KR1020030046357

申请日：2003-07-09

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김윤수 ,  이선숙 ,  안기석 ,  백재윤

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A method for forming a hydroxyl monolayer on a substrate is provided to make a silicon wafer coated with only a hydroxide radical by making chlorine absorbed to the surface of the silicon wafer in a high vacuum atmosphere and by replacing the chlorine with the hydroxide radical while using water. CONSTITUTION: A halogen element of a gas state is absorbed to the surface of a substrate in a high vacuum atmosphere. Water is supplied to the surface of the substrate to which a halogen element is absorbed in a high vacuum atmosphere so that the halogen element is replaced with the hydroxide radical by reaction of water molecules and the halogen element to form a hydroxyl monolayer.

Abstract translation: 目的：提供在基板上形成羟基单层的方法，以通过在高真空气氛中将氯吸收到硅晶片的表面并通过用氢氧根自由代替氯来制造仅具有氢氧根的硅晶片 同时使用水。 构成：气体状态的卤素元素在高真空气氛中被吸收到衬底的表面。 在高真空气氛中将水供给到卤素元素被吸收的基板的表面，使得卤素元素被水分子与卤素元素反应形成羟基单层，由氢氧根自由而代替。

公开(公告)号：KR100551323B1

公开(公告)日：2006-02-13

申请号：KR1020030046357

申请日：2003-07-09

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김윤수 ,  이선숙 ,  안기석 ,  백재윤

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 기질 위에 수산화 기 단층을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 반도체 또는 금속 표면에 할로겐 원소를 흡착시킨 후 물을 이용하여 수산화 기 단층을 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 반도체 또는 금속 표면에 수산화 기 단층을 형성할 수 있고, 박막 침착 공정에서 별도로 반도체 또는 금속 표면에 산화막을 형성할 필요가 없으며 특히 원자층 침착법 (atomic layer deposition, ALD) 공정 초기의 부화 기간 (incubation period)을 줄일 수 있는 장점이 있다.
본 발명에 따른 수산화 기 단층을 형성한 반도체 및 금속의 표면은 표면 과학의 새로운 연구 대상이 될 수 있고 또한 이들을 기질로 하여 분자 단층 (molecular monolayer)을 입힐 수 있다.