Abstract:
산화 삼불화아민의 제조방법이 개시된다. 일 실시예에 따른 산화 삼불화아민의 제조방법은, SbF5 반응촉매 하에 삼불화질소 및 아산화질소를 동시에 투입하여 반응시켜 중간 생성물을 제조하는 단계와, 상기 중간 생성물을 불화 칼륨과 반응시켜 산화 삼불화아민을 제조하는 단계를 포함한다. 중간 생성물을 불화 칼륨과 반응시키는 단계는 대기압 및 상온 하에서 수행된다.
Abstract:
본 발명은 불소계 고분자 코팅막, 이를 포함한 광학용 기재 및 그 광학용 기재의 제조방법에 관한 것으로, 불소계 고분자 나노입자들로 형성되고, 상기 불소계 고분자 나노입자들이 서로 접촉하여 결합되어 있으며, 기재 상에 코팅되어 적외선 영역에서의 투과도를 향상시키는 것을 특징으로 하는, 불소계 고분자 코팅막을 제공한다. 본 발명에 따른 불소계 고분자 코팅막은 적외선 영역 투과도가 우수하게 개선되고, 불소계 고분자 나노입자의 크기를 조절함으로써 자외선 내지 적외선 영역 투과도를 조절하여 투과 파장 선택성을 개선할 수 있는 효과가 있다.
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본 발명은 전기 장치의 전기 절연 또는 아크 소호에 사용되는 절연 가스와 이를 이용하여 전기를 절연시키는 전기 장치에 관한 것이다. SF6 가스를 대체할 수 있는 본 발명의 절연 가스는, 트리플루오로메틸 트리플루오로비닐 이써(CF3OCFCF2)와 캐리어 가스의 혼합 가스로 이루어진다. 본 발명의 절연 가스는 낮은 끓는점, 높은 절연내력, 낮은 독성 및 낮은 지구온난화지수(GWP 1 이하)의 특성을 보유함에 따라 SF6를 대체할 수 있고, 높은 절연 능력과 아크 소호 능력을 유지하면서도 지구온난화지수가 낮아 온실 가스를 감축시킬 수 있다.
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본 발명은 불소계 유화제를 포함하는 불소계 단량체의 중합방법 및 이에 따라 제조되는 불소계 고분자에 관한 것이다. 보다 구체적으로는 불소계 단량체를 중합하여 불소계 고분자를 제조하는 방법에 관한 것으로, 특히, 화학식 1로 표시되는 불소계 유화제를 사용하는 수분산 유화중합방법에 관한 것이다.
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본 발명의 일 측면에서의 목적은 1.8 미만의 현저히 낮은 유전율을 나타내는 불소계 고분자 및 이를 포함하는 불소계 고분자 조성물을 제공하는 데 있다. 본 발명의 일 측면에서 제공되는 불소계 고분자 매우 낮은 유전율을 나타내며, 유해물질이 발생되지 않는 공해저감형 소재일 뿐만 아니라, 높은 점착성으로 인해서 다양한 분야에서 코팅소재로 활용될 수 있다. 나아가, 이를 소재로 적용한 고분자막은 체적저항이 약 5.8 × 1015 Ohmcm로 절연재로로써 우수한 저항값을 나타낸다.
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반응촉매 하에 삼불화질소(nitrogen trifluoride) 및 아산화질소(nitrous oxide)를 반응시켜 중간 생성물을 제조하는 단계; 및 상기 중간 생성물을 불화 나트륨(sodium fluoride)과 100 mmHg 이하의 진공 조건에서 반응시켜 산화 삼불화아민(trifluoroamine oxide)을 제조하는 단계;를 포함하는 산화 삼불화아민의 제조방법이 개시된다.
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본 발명은 아디핀산 생산공정, 질산 생산공정, 카프로락탐 생산공정 및 아산화질소 생산공정 등에서 배출되는 아산화질소 함유 기체혼합물 배기가스를 처리하기 위한 고주파 유도 가열 열분해 공정에 관한 것이다. 본 발명의 고주파 유도 가열 열분해 공정은 아산화질소 함유 기체혼합물을 질소와 산소로 분해하는 고주파 유도 가열 열분해 반응기, 고주파 유도 가열 시스템 및 고온의 열분해 기체혼합물로부터 에너지 회수하기 위한 열교환기로 구성된다. 아산화질소 함유 기체혼합물은 열교환기에 공급되어 고주파 유도 가열 열분해 반응기에서 배출되는 고온의 분해 기체혼합물로 예열되어 고주파 유도 가열 열분해 반응기에 공급된다. 고주파 유도 가열 열분해 반응기의 내부 온도는 고주파 유도 가열 시스템에 의하여 800~1,200의 범위에서 조절하는 것이 바람직하다. 아산화질소 함유 기체혼합물의 고주파 유도 가열 열분해 반응기 내에서 체류시간은 0.5~5초가 바람직하다.