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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140121540A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：KR1020130037569
申请日：2013-04-05
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L51/05 , H01L51/40 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0558 , H01L51/052 , H01L51/0529 , H01L51/0562
Abstract: 본 발명은 유기절연체와 유기반도체 사이에 형성된 비정질의 금속산화물 층간-박막을 이용한 유기 박막 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 이용한 유기 박막 트랜지스터의 전기적 특성 향상 방법에 관한 것으로, 구체적으로 유기절연체와 유기반도체 사이에 비정질의 금속산화물, 예를 들어 비정질의 알루미나 층간-박막을 형성시킴으로써 유기절연체의 절연특성은 저하시키지 않으면서 유기반도체의 분자정렬을 향상시킬 뿐만 아니라, 비정질 금속산화물 층간-박막을 형성시키기 위한 잔여 전구체 물질에 의해 전하이동이 향상시킴으로써, 유기 박막 트랜지스터의 전기적 특성을 향상시켜, 최종적으로 소자의 성능을 향상시키는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기절연체와 유기반도체 사이에 비정질의 금속산화물 층간-박막은 용액공정에 의한 코팅 및 저온의 열처리에 의해 형성될 수 있으므로, 투명-고분자 기판에도 적용이 가능할 뿐만 아니라 비용적으로 경제적이고 공정이 간소하므로 차세대 플렉서블 유기 박막트랜지스터의 제조에 유용하게 사용될 수 있다.Abstract translation: 本发明涉及使用有机绝缘体和有机半导体之间的非晶态金属氧化物中间层的有机薄膜晶体管及其制造方法以及改善使用其的有机薄膜晶体管的电特性的方法。 更具体地，通过在有机绝缘体和有机半导体之间形成非晶金属氧化物，可以改善有机半导体的分子取向，而不会降低有机绝缘体的绝缘特性; 可以通过增加剩余前体材料的电荷转移来形成无定形金属氧化物中间层，从而提高有机薄膜晶体管的电特性， 最终提高了设备的性能。 此外，有机绝缘体和有机半导体之间的非晶态金属氧化物中间层可以通过溶液法的涂布和低温热处理形成; 从而适用于均匀的透明聚合物基材，在成本方面是经济的，并且简化了工艺，从而可用于生产下一代柔性有机薄膜晶体管。
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公开(公告)号：KR101554943B1
公开(公告)日：2015-09-22
申请号：KR1020130152238
申请日：2013-12-09
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01B3/38 , H01B3/10 , C08G73/10 , H01L29/786
Abstract: 본발명은이트륨산화물로표면처리된폴리이미드유기절연체및 이를이용한박막트랜지스터에관한것으로, 본발명에따른이트륨산화물이표면처리된유기절연체및 금속산화물반도체를이용한박막트랜지스터에있어서, 상기이트륨산화물이표면처리된유기절연체는 300℃이상의높은온도를요구하는금속산화물반도체제조공정을수행하여도손상되지않으면서금속산화물반도체에화학적으로유사한계면을제공하고, 높은전하이동도및 유전상수등의우수한전기절연성을갖는박막트랜지스터의소자특성이향상된효과가있다.
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公开(公告)号：KR1020150066774A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：KR1020130152238
申请日：2013-12-09
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01B3/38 , H01B3/10 , C08G73/10 , H01L29/786
CPC classification number: C08L9/00 , C08G73/10 , H01B3/10 , H01B3/38 , H01L29/786
Abstract: 본발명은이트륨산화물로표면처리된폴리이미드유기절연체및 이를이용한박막트랜지스터에관한것으로, 본발명에따른이트륨산화물이표면처리된유기절연체및 금속산화물반도체를이용한박막트랜지스터에있어서, 상기이트륨산화물이표면처리된유기절연체는 300℃이상의높은온도를요구하는금속산화물반도체제조공정을수행하여도손상되지않으면서금속산화물반도체에화학적으로유사한계면을제공하고, 높은전하이동도및 유전상수등의우수한전기절연성을갖는박막트랜지스터의소자특성이향상된효과가있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种表面用氧化钇处理的聚酰亚胺有机绝缘体和使用其的薄膜晶体管。 本发明涉及使用金属氧化物半导体的薄膜晶体管和表面用氧化钇处理的有机绝缘体，其中表面用氧化钇处理的有机绝缘体在制造金属氧化物半导体的过程中不会损坏至少300 摄氏度，同时为金属氧化物半导体提供化学相似的界面，从而改善具有良好电绝缘性的诸如高电荷转移和介电常数的薄膜晶体管器件的性能。
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公开(公告)号：KR101372870B1
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：KR1020120144497
申请日：2012-12-12
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: H01L51/0021 , C08L79/08 , H01L51/105
Abstract: The purpose of the present invention is to provide a method for patterning an electrode by using a photopolymer polyimide and a pattern manufactured through the same. For this, the present invention provides the method for pattering the electrode including a first step of forming a photopolymer polyimide insulating layer on a substrate, a second step of performing photopolymer after masking the insulating layer with a photo mask, a third step of forming an electrode layer on the insulating layer after removing the photo mask, and a fourth step of removing the insulating layer of a part that is not photopolymer through masking and the electrode layer placed on its top. According to the invention, to form an electrode pattern on an organic thin film transistor, a processing step is reduced because a polyimide removal process is performed only once by using the photopolymer polyimide instead of a photoresist. In addition, there are economic and environmental advantages because by-products of strong base or phenols used as a developer are not generated and solvents such as NMP, DMAc, DMSO, GBL, and others are used. [Reference numerals] (AA) Substrate; (BB) Gold; (CC) Photo resist
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种通过使用光聚合物聚酰亚胺和通过其制造的图案来图案化电极的方法。 为此，本发明提供了用于图案化的电极的方法，包括在基板上形成光聚合物聚酰亚胺绝缘层的第一步骤，在用掩模掩蔽绝缘层之后进行光聚合物的第二步骤， 去除光掩模后的绝缘层上的电极层，以及通过掩模除去不是光聚合物的部分的绝缘层和放置在其顶部的电极层的第四步骤。 根据本发明，为了在有机薄膜晶体管上形成电极图案，通过使用光聚合物聚酰亚胺代替光致抗蚀剂，仅进行一次聚酰亚胺去除处理，因此减少了处理步骤。 此外，由于不产生用作显影剂的强碱或酚类的副产物，因此存在经济和环境优点，并且使用NMP，DMAc，DMSO，GBL等溶剂。 （附图标记）（AA）基板; （BB）黄金; （CC）光刻胶
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公开(公告)号：KR101451306B1
公开(公告)日：2014-10-17
申请号：KR1020130037569
申请日：2013-04-05
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L51/05 , H01L51/40 , H01L29/786
Abstract: 본 발명은 유기절연체와 유기반도체 사이에 형성된 비정질의 금속산화물 층간-박막을 이용한 유기 박막 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 이용한 유기 박막 트랜지스터의 전기적 특성 향상 방법에 관한 것으로, 구체적으로 유기절연체와 유기반도체 사이에 비정질의 금속산화물, 예를 들어 비정질의 알루미나 층간-박막을 형성시킴으로써 유기절연체의 절연특성은 저하시키지 않으면서 유기반도체의 분자정렬을 향상시킬 뿐만 아니라, 비정질 금속산화물 층간-박막을 형성시키기 위한 잔여 전구체 물질에 의해 전하이동이 향상시킴으로써, 유기 박막 트랜지스터의 전기적 특성을 향상시켜, 최종적으로 소자의 성능을 향상시키는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기절연체와 유기반도체 사이에 비정질의 금속산화물 층간-박막은 용액공정에 의한 코팅 및 저온의 열처리에 의해 형성될 수 있으므로, 투명-고분자 기판에도 적용이 가능할 뿐만 아니라 비용적으로 경제적이고 공정이 간소하므로 차세대 플렉서블 유기 박막트랜지스터의 제조에 유용하게 사용될 수 있다.
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