반도체성 유기 고분자 재료 및 이를 포함하는 광기전력 소자
    1.
    发明授权
    반도체성 유기 고분자 재료 및 이를 포함하는 광기전력 소자 有权
    半导体有机聚合物和使用其的光伏器件

    公开(公告)号:KR101183528B1

    公开(公告)日:2012-09-20

    申请号:KR1020090116865

    申请日:2009-11-30

    Abstract: 본 발명은 새로운 유기 반도체 물질 및 이를 포함하는 광기전력 소자에 관한 것으로, 구체적으로는 가시광 영역의 빛을 잘 흡수할 수 있는 2.0 eV 정도의 밴드갭을 가지는 흡광 기능의 단량체와 광기전력 소자가 빛을 받았을 때 생성되는 정공의 수송능력을 향상시킬 수 있는 전하수송 기능의 단량체가 공중합된 구조의 유기 반도체 물질 및 이를 포함하는 유기 태양 전지 등의 광기전력 소자에 관한 것이다.
    본 발명에 따른 유기 반도체 물질은 태양으로부터 방출되는 가시광 영역의 빛을 효율적으로 흡수하고 광기전력 소자가 빛을 받았을 때 생성되는 정공을 잘 전달할 수 있는 새로운 p-형 재료로서 우수한 정공이동도를 가지며, 유기 태양 전지에서 전자 주개 물질로서 우수한 전기적 특성을 가진다.
    유기 반도체 고분자, 광기전력 소자, 유기 전자 소자, 유기 태양 전지

    기능기를 갖는 규소 화합물 및 이를 이용하여 무기 고체의표면을 개질하는 방법
    2.
    发明授权
    기능기를 갖는 규소 화합물 및 이를 이용하여 무기 고체의표면을 개질하는 방법 失效
    具有功能组的硅化合物和使用其改善无机固体表面的方法

    公开(公告)号:KR100480666B1

    公开(公告)日:2005-04-06

    申请号:KR1020010048955

    申请日:2001-08-14

    Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1 또는 2로 나타내지는 규소 화합물 및 이를 무기 고체의 표면에 코팅함으로써 고분자 수지와 높은 결합력을 가지도록 고체의 표면을 개질시키는 방법에 관한 것이다.

    (X)
    4-n Si(RY)
    n



    (R'O)
    2 (G)Si[OSi(G)(G')]
    m Si(G)(OR')
    2


    상기 식에서,
    X는 히드록시기, 할로겐 원자 또는 C
    1-5 알콕시드기이고;
    R 및 R'는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 C
    1-5 알킬기이며;
    Y는 이미다졸 유도체 또는 카르복실산이고;
    G 및 G'은 각각 독립적으로 수소 원자, C
    1-5 알킬기, 또는 R"-K(이때, R"는 수소 원자 또는 C
    1-5 알킬기이며, K는 이미다졸 유도체, 에폭시드 유도체, 아민 유도체 또는 카르복실산이다)이며;
    n은 1 또는 2이고;
    m은 1 내지 40의 정수이다.

    기능기를 갖는 규소 화합물 및 이를 이용하여 무기 고체의표면을 개질하는 방법
    3.
    发明公开
    기능기를 갖는 규소 화합물 및 이를 이용하여 무기 고체의표면을 개질하는 방법 失效
    具有功能组的硅化合物和使用该组合物改性无机固体表面的方法

    公开(公告)号:KR1020030015447A

    公开(公告)日:2003-02-25

    申请号:KR1020010048955

    申请日:2001-08-14

    CPC classification number: C07F7/1836 C09C1/00 C09C3/12

    Abstract: PURPOSE: Silicon compounds having functional groups and a method for reforming the surface of an inorganic solid using the same are provided, therefore the inorganic solid, of which surface is reformed, can strongly bind with various polymer resins. CONSTITUTION: The silicon compounds are represented by formula(1):(X)4-n So(R-Y) or formula(2): (R'O)2 (G)Si(OSi(G)(G'))mSi(G)(OR')2, wherein X is hydroxy, halogen or C1-C5 alkoxide; R and R' are independently hydrogen or C1-C5 alkyl; Y is imidazol derivative or carboxylic acid; G and G' are independently hydrogen, C1-C5 alkyl, or R"-K; R" is hydrogen or C1-C5 alkyl; K is imidazol derivative, epoxide derivative, amine derivative or carboxylic acid; n is 1 or 2; and m is an integer of 1 to 40. The method for reforming the surface of an inorganic solid comprises dipping the inorganic solid in a solution containing the silicon compounds.

    Abstract translation: 目的:提供具有官能团的硅化合物和使用其的无机固体表面的重整方法,因此其表面被重整的无机固体可与各种聚合物树脂牢固结合。 构成:硅化合物由式(1):( X)4-n So(RY)或式(2)表示:(R'O)2(G)Si(OSi(G)(G'))mSi (G)(OR')2,其中X是羟基,卤素或C 1 -C 5醇盐; R和R'独立地是氢或C 1 -C 5烷基; Y是咪唑衍生物或羧酸; G和G'独立地是氢,C 1 -C 5烷基或R“-K; R”是氢或C 1 -C 5烷基; K是咪唑衍生物,环氧化物衍生物,胺衍生物或羧酸; n为1或2; m为1〜40的整数。无机固体表面的重整方法包括将无机固体浸渍在含有硅化合物的溶液中。

    반도체성 유기 고분자 재료 및 이를 포함하는 광기전력 소자
    4.
    发明公开
    반도체성 유기 고분자 재료 및 이를 포함하는 광기전력 소자 有权
    半导体有机聚合物和使用其的光电器件

    公开(公告)号:KR1020110060318A

    公开(公告)日:2011-06-08

    申请号:KR1020090116865

    申请日:2009-11-30

    Abstract: PURPOSE: A novel organic semiconductor material and a photovoltaic device comprising the same are provided to ensure excellent hole mobility and electrical characteristic. CONSTITUTION: An organic semiconductor compound has a structure of chemical formula 1. An organic electronic device comprises the organic semiconductor compound. The organic electronic device is an organic solar cell comprising the organic semiconductor compound in an active layer as an electron donor. The organic solar cell further contains an electron acceptor in the active layer.

    Abstract translation: 目的:提供一种新颖的有机半导体材料和包含该有机半导体材料的光电器件以确保优异的空穴迁移率和电特性。 构成:有机半导体化合物具有化学式1的结构。有机电子器件包含有机半导体化合物。 有机电子器件是包含作为电子给体的有源层中的有机半导体化合物的有机太阳能电池。 有机太阳能电池在活性层中还含有电子受体。

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