Abstract:
본 발명에 따른 마찰발전소자는 연신전극을 포함함으로써 접촉(Contact) 또는 슬라이딩(Sliding) 방식 외에도 평면 방향으로의 연신에 의한 전기 에너지의 생성이 가능하여 에너지 전환율이 현저히 높은 효과가 있으며, 종래 대비 더욱 높은 유연성을 가지고 높은 내구성을 장기간 유지할 수 있는 효과가 있다.
Abstract:
본 발명은 아민기로 표면 기능화된 세라믹입자, 및 말레산무수물이 그라프트된 탄성중합체를 포함하는 에너지 하베스팅용 페이스트 조성물 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 세라믹입자의 고함량화 및 고분산화가 가능하여, 에너지 하베스팅 소자 제조 시 높은 발전용량을 가질 수 있는 에너지 하베스팅용 페이스트 조성물 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
Abstract:
본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 금속박막의 제조방법은 a)금속 코어가 유기산을 포함하는 캡핑층으로 캡핑된 금속나노입자,비수계 유기 바인더 및 비수계 용매를 함유하는 전도성 잉크조성물을 제조하는단계; b)상기 전도성 잉크조성물을 절연성 기판에 도포하여 도포막을 형성하는 단계;및 c)상기 도포막에 비수계 유기 바인더가 잔류하는 광의 강도에서 최대 광 강도 이하로 광을 조사하여 전도성 금속박막을 제조하는 단계;를 포함할 수 있다.
Abstract:
본 발명에 따른 금속 나노입자는 적어도 바이모달 (bimodal) 이상의 크기 분포를 가지며,금속 나노입자의 크기 분포에서,피크의 중심 크기를 기준으로,가장 작은 중심크기를 갖는 제 1피크의 면적을 크기 분포를 이루는 모든 피크의 면적을 합한 총 면적으로 나눈 비가 0.4내지 0.8을 만족하며,유기산을 포함하는 캡핑층으로 캡핑된 금속 나노입자이다.
Abstract:
본 발명은 동박 적층판용 적층체의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 동박 적층판의 제조방법은 a) 절연성 기재 상부에 포토레지스트 코팅막을 형성하는 단계; 및 b) 상기 포토레지스트 코팅막 상부에 금속 나노입자를 도포하고, 도포된 금속 나노입자를 상기 포토레지스트 코팅막에 임베딩(embedding)하는 단계; 를 포함한다.
Abstract:
본 발명은 박막형 화합물 태양전지의 광 흡수층 물질인 CI(G)S(CuIn x Ga 1-x Se 2 0<x≤1)의 나노입자를 저온 하에서 수계 반응하여 제조하는 방법에 관한 것이다. 자세하게는 적어도 구리 화합물과, 카르복시산 유도체 또는 고분자전해질을 수계용매하에서 반응하여 착물을 형성하고, 제조된 용액에 인듐 화합물 및 셀레늄화합물에서 하나 이상 선택된 이종원소 화합물을 투입하여 저온 하에서 CI(G)S 나노입자를 생성하는 단계를 포함하는 저온 수계 CI(G)S 나노입자의 제조방법에 관한 것이다.
Abstract translation:
本发明是CI(G)的薄膜型化合物太阳能电池S的光吸收材料(的CuIn <子> X 子> GA <子> 1-x 子>硒<子> 2 <0>
Abstract:
하기 관계식 1을 만족하는 제1금속을 포함하는 금속 나노입자; 비수계 유기 바인더; 및 비수계 용매를 포함하는 광소결용 잉크조성물 및 이의 제조방법에 관한 것이다. [관계식 1] A 1 /A 2 ≤ 0.2 (관계식 1에서, A 1 /A 2 는 제1금속의 표면에 있어서의 X-선 광전자 분광 스펙트럼 상, 제1금속의 산화물의 제1금속 2p 3/2 피크 면적(A 1 )을, 제1금속의 제1금속 2p 3/2 피크 면적(A 2 )으로 나눈 비이다.)
Abstract translation:包含满足以下关系表达式1的第一金属的金属纳米粒子; 非水有机粘合剂; 非水溶剂及其制造方法。 A 1 2 sub>≤0.2在关系式1中,A 1 sub> / A < 在第一金属的表面上的X射线光电子能谱上的第一金属的氧化物的第一金属2p 3/2的峰面积(A 1)是 (A 2),第一金属2p 3/2的第一金属,