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公开(公告)号：KR1019990084705A
公开(公告)日：1999-12-06
申请号：KR1019980016658
申请日：1998-05-09
Applicant: 한민구
IPC: H01S3/00
Abstract: 엑사이머 레이저 방사에 의한 폴리실리콘 싱글 일렉트론 소자의 제조방법에 따르면, 기판위에 아몰퍼스 실리콘 막, 절연막, 버퍼막을 차례로 형성하는 단계와, 상기 버퍼막을 사진식각하여 팁형상의 윈도우를 패턴하고 상기 아몰퍼스 실리콘을 결정화하기 위해 레이저 에너지를 방사하고 열처리하는 단계를 가짐에 의해, 적어도 하나의 폴리실리콘 그레인이 패턴된 윈도우 사이드로부터 성장 및 분리되게 하여 파인-그레인 라아지 폴리실리콘 양자 점을 얻는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR100275206B1
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019980016658
申请日：1998-05-09
Applicant: 한민구
IPC: H01S3/00
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing poly-silicon single electron device via excimer-laser irradiation is provided to obtain poly-silicon islands whose size and location are precisely controlled and to form a single electron memory using the same by applying a lithography technique and an excimer laser annealing. CONSTITUTION: An amorphous silicon layer(4), an insulating layer(2) and a buffer layer(8) are successively formed on a substrate. The buffer layer is photo-etched to pattern a window in tip shape. To crystalize the amorphous silicon, annealing by irradiation of laser energy is carried out so that at least one poly silicon grain grows and is isolated around the center portion of the patterned tip to form a large fine-grain poly silicon quantum dot(40). The substrate consists of silicon material. The excimer laser is irradiated under 250deg.C of substrate temperature and 200mJ/cm¬2 of energy level. The quantum dot is an element of poly silicon single electron device.
Abstract translation: 目的：提供通过准分子激光照射制造多晶硅单电子器件的方法，以获得其尺寸和位置被精确控制的多晶硅岛，并通过应用光刻技术和准分子形成单个电子存储器 激光退火。 构成：在基板上依次形成非晶硅层（4），绝缘层（2）和缓冲层（8）。 对缓冲层进行光刻蚀以对尖端形状的窗口进行图案化。 为了使非晶硅晶化，进行通过激光能量的照射进行退火，使得至少一个多晶硅晶粒生长并围绕图案化尖端的中心部分分离以形成大的细晶粒多晶硅量子点（40）。 衬底由硅材料组成。 在250℃的基板温度和200mJ / cm 2的能级照射准分子激光。 量子点是多晶硅单电子器件的元素。
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公开(公告)号：KR100222436B1
公开(公告)日：1999-10-01
申请号：KR1019960036116
申请日：1996-08-28
IPC: H01J1/30
Abstract: 내부에 자체 진공을 보유하는 필드 에미션 증폭소자 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 필드 에미션 증폭소자는, 기판에 차례로 적층된 제1,2절연막을 통하여 상부에 수평으로 형성된 대체로 원뿔형의 캐소드와; 상기 캐소드와 이격되어 수평적으로 대향하는 애노드와; 상기 캐소드와 애노드를 이루는 도전막위에 차례로 적층된 제3,4절연막을 통하여 상부에 형성되고 상기 제1절연막의 일부에 밀착 형성되어 상기 캐소드와 애노드의 이격된 내부 공간을 진공상태로 유지시킴과 함께 상기 공간내부에 팁들을 형성하여 콘트롤 그리드로서 기능하는 게이트를 구비함을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1019980016516A
公开(公告)日：1998-06-05
申请号：KR1019960036116
申请日：1996-08-28
IPC: H01J1/30
Abstract: 내부에 자체 진공을 보유하는 필드 에미션 증폭소자 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 필드 에미션 증폭소자는, 기판에 차례로 적층된 제1,2절연막을 통하여 상부에 수평으로 형성된 대체로 원뿔형의 캐소드와; 상기 캐소드와 이격되어 수평적으로 대향하는 애노드와; 상기 캐소드와 애노드를 이루는 도전막위에 차례로 적층된 제3,4절연막을 통하여 상부에 형성되고 상기 제1절연막의 일부에 밀착 형성되어 상기 캐소드와 애노드의 이격된 내부 공간을 진공상태로 유지시킴과 함께 상기 공간내부에 팁들을 형성하여 콘트롤 그리드로서 기능하는 게이트를 가짐을 특징으로 한다.
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