公开(公告)号：KR100298488B1

公开(公告)日：2001-11-30

申请号：KR1019980040336

申请日：1998-09-28

Applicant: 한민구

Inventor： 한민구 ,  박철민 ,  유준석 ,  전재홍

IPC: H01L21/335

Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터의 활성층 제조 방법 및 그 구조에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 기판 상부에 비정질 실리콘막을 형성한 후, 비정질 실리콘을 다결정 실리콘화시킬 수 있을 정도의 에너지를 가지는 빛을 상기 비정질 실리콘에 국부적으로 조사한다. 그 결과, 상기 비정질 실리콘막에는 국부적으로 에너지가 조사된 다결정 실리콘막이 형성되어 비정질 실리콘과 다결정 실리콘의 중간 특성을 지니는 새로운 구조의 도전막이 형성되는데, 이를 박막 트랜지스터의 활성층으로 이용함으로써 박막 트랜지스터의 전기적 특성을 향상시킬 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR100268064B1

公开(公告)日：2000-10-16

申请号：KR1019980014713

申请日：1998-04-24

Applicant: 한민구

Inventor： 박철민 ,  전재홍 ,  유준석 ,  한민구

IPC: H01L21/31

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an active layer for a semiconductor device is provided to form the active layer on the substrate with ease and to improve the electrical property such as electron mobility and uniformity of the layer. CONSTITUTION: The method includes following steps. At the first step, an amorphous silicon layer(4) is formed on the substrate(2). At the second step, an electron beam is illuminated with a predetermined pattern on the upper surface of the amorphous silicon layer. At the third step, the whole surface of the amorphous silicon layer is annealed with a laser beam having predetermined energy density and the amorphous silicon layer is converted to a polysilicon layer having a crystal structure based on the predetermined pattern. The substrate is made of glass or silicon material. The laser beam is generated by an excimer laser illuminating laser at an energy density between 255mJ/cm2 and 370mJ/cm2. The semiconductor substrate is thin film transistor.

Abstract translation: 目的：提供一种制造用于半导体器件的有源层的方法，以便容易地在衬底上形成有源层并改善诸如电子迁移率和层的均匀性的电特性。 规定：该方法包括以下步骤。 在第一步骤中，在衬底（2）上形成非晶硅层（4）。 在第二步骤中，在非晶硅层的上表面上以预定图案照射电子束。 在第三步骤中，非晶硅层的整个表面用具有预定能量密度的激光束进行退火，并且非晶硅层被转换成具有基于预定图案的晶体结构的多晶硅层。 基板由玻璃或硅材料制成。 激光束由能量密度为255mJ / cm 2至370mJ / cm 2的准分子激光照射激光产生。 半导体衬底是薄膜晶体管。

公开(公告)号：KR1019980014588A

公开(公告)日：1998-05-25

申请号：KR1019960033621

申请日：1996-08-13

Applicant: 한민구 ,  전재홍 ,  유준석 ,  박철민 ,  민병혁

Inventor： 한민구 ,  민병혁 ,  유준석 ,  전재홍 ,  박철민

IPC: H01L21/20

Abstract: 반도체 소자를 제작할 수 있도록 기판상부에 활성층 및 화합물 막을 제조하는 고상한 방법은, 상기 기판위에 비정질 실리콘 막을 형성하는 단계와, 상기 비정질 실리콘 막의 상부표면에서 설정된 깊이까지의 내부로 불순물 이온을 주입하는 단계와, 상기 상부표면에 설정된 에너지 밀도를 가지는 빔을 전면적으로 주사함에 의해 상기 비정질 실리콘의 막내에 불순물 이온이 대체로 주입되지 않은 하부영역을 폴리 실리콘 막으로 변화되게 하는 동시에 상기 비정질 실리콘의 막내에 불순물 이온이 주입된 대체로 상부표면 근방의 영역을 상기 불순물 이온과 관련된 화합물 막으로 변화되게 하여 상기 폴리 실리콘 막을 활성층으로서 상기 불순물 이온과 관련된 화합물 막을 상기 화합물 막으로서 형성하는 단계를 가진다.

公开(公告)号：KR1019990084705A

公开(公告)日：1999-12-06

申请号：KR1019980016658

申请日：1998-05-09

Applicant: 한민구

Inventor： 박철민 ,  유준석 ,  전재홍 ,  임무섭 ,  한민구

IPC: H01S3/00

Abstract: 엑사이머 레이저 방사에 의한 폴리실리콘 싱글 일렉트론 소자의 제조방법에 따르면, 기판위에 아몰퍼스 실리콘 막, 절연막, 버퍼막을 차례로 형성하는 단계와, 상기 버퍼막을 사진식각하여 팁형상의 윈도우를 패턴하고 상기 아몰퍼스 실리콘을 결정화하기 위해 레이저 에너지를 방사하고 열처리하는 단계를 가짐에 의해, 적어도 하나의 폴리실리콘 그레인이 패턴된 윈도우 사이드로부터 성장 및 분리되게 하여 파인-그레인 라아지 폴리실리콘 양자 점을 얻는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100275206B1

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019980016658

申请日：1998-05-09

Applicant: 한민구

Inventor： 박철민 ,  유준석 ,  전재홍 ,  임무섭 ,  한민구

IPC: H01S3/00

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing poly-silicon single electron device via excimer-laser irradiation is provided to obtain poly-silicon islands whose size and location are precisely controlled and to form a single electron memory using the same by applying a lithography technique and an excimer laser annealing. CONSTITUTION: An amorphous silicon layer(4), an insulating layer(2) and a buffer layer(8) are successively formed on a substrate. The buffer layer is photo-etched to pattern a window in tip shape. To crystalize the amorphous silicon, annealing by irradiation of laser energy is carried out so that at least one poly silicon grain grows and is isolated around the center portion of the patterned tip to form a large fine-grain poly silicon quantum dot(40). The substrate consists of silicon material. The excimer laser is irradiated under 250deg.C of substrate temperature and 200mJ/cm¬2 of energy level. The quantum dot is an element of poly silicon single electron device.

Abstract translation: 目的：提供通过准分子激光照射制造多晶硅单电子器件的方法，以获得其尺寸和位置被精确控制的多晶硅岛，并通过应用光刻技术和准分子形成单个电子存储器 激光退火。 构成：在基板上依次形成非晶硅层（4），绝缘层（2）和缓冲层（8）。 对缓冲层进行光刻蚀以对尖端形状的窗口进行图案化。 为了使非晶硅晶化，进行通过激光能量的照射进行退火，使得至少一个多晶硅晶粒生长并围绕图案化尖端的中心部分分离以形成大的细晶粒多晶硅量子点（40）。 衬底由硅材料组成。 在250℃的基板温度和200mJ / cm 2的能级照射准分子激光。 量子点是多晶硅单电子器件的元素。

公开(公告)号：KR100268063B1

公开(公告)日：2000-10-16

申请号：KR1019960053781

申请日：1996-11-13

Applicant: 한민구 ,  전재홍 ,  유준석 ,  박철민 ,  최홍석

Inventor： 한민구 ,  유준석 ,  박철민 ,  전재홍 ,  최홍석

IPC: H01L29/786

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor having an area for suppressing a leakage current into a channel is provided to effectively reduce a leakage current in an off operation without an additional process, present the characteristic of an offset gate structure in an off state, operate as a non-offset structure in an on state, reduce the leakage current in larger numbers than that of a transistor composed of an offset structure without reducing the amount of an on current in an on operation than the amount of an on current of a transistor composed of a non-offset structure and operatively delete an offset area so as to have an enough gate driving capacity in a turn-on operation and operatively form the offset area so as to cut off a leakage current in a turn-off operation only. CONSTITUTION: The thin film transistor includes a channel area(12P), a gate insulating film(14), source and drain areas(12P(S),12P(D)) and a transparent gate area. The channel area has an off-set area(12a,12b) in the vicinity of both ends. The gate insulating film is formed on the channel area. The source area is formed to the first adjacent portion on the boundary the off-set area of the channel area. The drain area is formed to the second adjacent portion on the boundary the off-set area of the channel area. The transparent gate area is formed to the same length as the gate insulating film on the upper of the gate insulating and has an opaque film in the vicinity of both ends as a length being vertically opposite to the off-set area.

Abstract translation: 目的：提供一种薄膜晶体管，其具有用于抑制流入沟道的漏电流的区域，以便在没有附加处理的情况下有效地减少关断操作中的漏电流，将偏移栅极结构的特性呈现在断开状态，作为 非偏移结构处于导通状态，从而减小漏极电流大于由偏移结构组成的晶体管的漏电流，而不会减少导通电流导通电流的量，而不是由晶体管的导通电流量 非偏移结构，并且操作地删除偏移区域，以便在接通操作中具有足够的栅极驱动能力并且可操作地形成偏移区域，以便仅在关断操作中切断泄漏电流。 构成：薄膜晶体管包括沟道区（12P），栅极绝缘膜（14），源区和漏极区（12P（S），12P（D））和透明栅区。 通道区域在两端附近具有偏移区域（12a，12b）。 栅极绝缘膜形成在沟道区域上。 源极区域形成在边界上的第一相邻部分，该通道区域的偏移区域。 漏极区域形成在边界上的第二相邻部分，该通道区域的偏移区域。 透明栅极区域形成为与栅极绝缘体的上部的栅极绝缘膜相同的长度，并且在两端附近具有与偏移区域垂直相反的长度的不透明膜。

公开(公告)号：KR1020000021320A

公开(公告)日：2000-04-25

申请号：KR1019980040336

申请日：1998-09-28

Applicant: 한민구

Inventor： 한민구 ,  박철민 ,  유준석 ,  전재홍

IPC: H01L21/335

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an active layer of a thin film transistor and a structure thereof are to improve an electrical characteristic of the thin film transistor. CONSTITUTION: A method for manufacturing an active layer of a thin film transistor comprises the steps of: forming an amorphous silicon film(202) on a substrate(200); irradiating locally a light having an energy enough to change an amorphous silicon into a polycrystalline silicon on the amorphous silicon film; and forming a plurality of polycrystalline silicon regions(210) on the amorphous silicon film at fixed space. The polycrystalline silicon regions have a various shape. The amorphous silicon film and the polycrystalline silicon region are regularly formed to each other at a fixed space and have a mesh form and a honeycomb form.

Abstract translation: 目的：制造薄膜晶体管的有源层的方法及其结构是改善薄膜晶体管的电特性。 构成：制造薄膜晶体管有源层的方法包括以下步骤：在衬底（200）上形成非晶硅膜（202）; 局部照射具有足够能量的光以将非晶硅变成非晶硅膜上的多晶硅; 以及在所述非晶硅膜上以固定空间形成多个多晶硅区域（210）。 多晶硅区域具有各种形状。 非晶硅膜和多晶硅区域以固定的空间相互规则地形成，并且具有网状和蜂窝状。

公开(公告)号：KR1019980035437A

公开(公告)日：1998-08-05

申请号：KR1019960053781

申请日：1996-11-13

Applicant: 한민구 ,  전재홍 ,  유준석 ,  박철민 ,  최홍석

Inventor： 한민구 ,  유준석 ,  박철민 ,  전재홍 ,  최홍석

IPC: H01L29/786

Abstract: 박막 트랜지스터의 제조방법이 개시된다. 개시된 방법은 트랜지스터의 게이트위에 산화막 또는 질화막 등과 같은 버퍼막을 도포한 후 패터닝 및 이온주입을 행하여 제조함을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100222435B1

公开(公告)日：2001-04-02

申请号：KR1019960033621

申请日：1996-08-13

Applicant: 한민구 ,  전재홍 ,  유준석 ,  박철민 ,  민병혁

Inventor： 한민구 ,  민병혁 ,  유준석 ,  전재홍 ,  박철민

IPC: H01L21/20

Abstract: 반도체 소자를 제작할 수 있도록 기판상부에 활성층 및 화합물 막을 제조하는 고상한 방법은, 상기 기판위에 비정질 실리콘 막을 형성하는 단계와, 상기 비정질 실리콘 막의 상부표면에서 설정된 깊이까지의 내부로 불순물 이온을 주입하는 단계와, 상기 상부표면에 설정된 에너지 밀도를 가지는 빔을 전면적으로 주사함에 의해 상기 비정질 실리콘의 막내에 불순물 이온이 대체로 주입되지 않은 하부영역을 폴리 실리콘 막으로 변화되게 하는 동시에 상기 비정질 실리콘의 막내에 불순물 이온이 주입된 대체로 상부표면 근방의 영역을 상기 불순물 이온과 관련된 화합물 막으로 변화되게 하여 상기 폴리 실리콘 막을 활성층으로서 상기 불순물 이온과 관련된 화합물 막을 상기 화합물 절연막으로서 형성하는 단계를 가진다.

公开(公告)号：KR1019990081042A

公开(公告)日：1999-11-15

申请号：KR1019980014713

申请日：1998-04-24

Applicant: 한민구

Inventor： 박철민 ,  전재홍 ,  유준석 ,  한민구

IPC: H01L21/31

Abstract: 반도체 소자를 제작할 수 있도록 기판상부에 활성층을 제조하는 고상한 방법은, 기판위에 비정질 실리콘 막을 형성하는 단계와, 상기 비정질 실리콘 막의 상부표면에 전자빔을 설정된 패턴으로 주사하는 단계와, 상기 막의 상부전체를 설정된 에너지 밀도를 가지는 레이저 빔으로써 어닐링하는 단계를 가짐에 의해 상기 비정질 실리콘 막을 상기 설정된 패턴에 기준한 결정구조를 가지는 폴리 실리콘 막으로 변화되게 함을 특징으로 한다.