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公开(公告)号：WO2015126111A1
公开(公告)日：2015-08-27
申请号：PCT/KR2015/001532
申请日：2015-02-16
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: G01N21/3581
CPC classification number: G01N27/04 , G01J5/0896 , G01J2005/0077 , G01N21/3581 , G01N2201/069
Abstract: 본 발명에 따르면 테라헤르츠파를 이용하여 그래핀의 산화, 환원 영역을 빠른 시간 내에 정확하게 탐지하여 전도성을 측정할 수 있어 그래핀 전도성 검사 시간을 줄일 수 있다. 또한, 그래핀에 산화 영역이 존재하면 바로 전자기파를 조사하여 환원시킴으로서 전도성을 높여 수리 시간을 최소화할 수 있다.
Abstract translation: 根据本发明，可以使用太赫兹波在短时间内精确地检测石墨烯的氧化和还原区域，以测量石墨烯的导电性，因此可以减少测试石墨烯导电性所需的时间。 此外，当在石墨烯中存在氧化区域时，可以通过向其中照射电磁波来立即还原氧化区域，以增加石墨烯的导电性，从而使恢复石墨烯所需的时间最小化。
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公开(公告)号：KR101721395B1
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：KR1020170009272
申请日：2017-01-19
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: G01N21/3581 , G01N21/17
Abstract: 본발명에따르면테라헤르츠파를이용하여그래핀의산화, 환원영역을빠른시간내에정확하게탐지하여전도성을측정할수 있어그래핀전도성검사시간을줄일수 있다. 또한, 그래핀에산화영역이존재하면바로전자기파를조사하여환원시킴으로서전도성을높여수리시간을최소화할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020150139099A
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：KR1020140066930
申请日：2014-06-02
Applicant: 한양대학교 산학협력단
Abstract: 나노전극층생성방법은미리설정된패턴이음각된표면을포함하는몰드(mold)를형성하는단계; 상기미리설정된패턴이음각된표면중 상기미리설정된패턴이음각된영역에금속나노파티클(metal nano particle)을채우는단계; 전사대상이되는기판의표면중 상기몰드가임프린팅되는표면에에탄올또는다아이워터(DI water) 중적어도어느하나를이용하여스핀코팅(spin coating)을수행하는단계; 상기스핀코팅이수행된기판의표면에상기금속나노파티클이채워진상기몰드를임프린팅(imprinting)하는단계; 및상기몰드를제거하여상기기판에상기금속나노파티클로형성된나노전극을생성하는단계를포함한다.
Abstract translation: 纳米电极层生成方法包括以下步骤：形成模具，其具有刻有刻蚀的预设图案的表面; 用金属非颗粒在表面上用预设的雕刻图案填充该区域; 使用乙醇和去离子水（DI）中的任一种或两者来旋涂用于作为转印靶的基材的表面以印模; 将填充有金属纳米颗粒的模具印刷到旋涂基材的表面上; 并通过去除模具在金属纳米颗粒的基板上形成纳米电极。
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公开(公告)号：KR1020140075908A
公开(公告)日：2014-06-20
申请号：KR1020120143307
申请日：2012-12-11
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: C08K3/34 , C08L63/00 , C08L101/00 , H01L23/29
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: The present invention relates to a waterproof compound for semiconductor packages and a method for producing the same. The waterproof compound for the semiconductor packages according to the present invention has a waterproof effect in a case when the semiconductor package is exposed to water or humid air, thereby preventing surface cracking or detachment. Thus, if the semiconductor packages and semiconductor products are manufactured using the waterproof compound for the semiconductor packages and the production method thereof, the semiconductor packages and semiconductor products, of which the state of the surface is not changed even if being exposed to water or humid air, are able to be provided. Also, by using the waterproof compound for the semiconductor packages according to the present invention, tensile strength and bonding strength are increased; and the waterproof effect is excellent, thereby contributing to the improvement of durability and the extension of lifetime of the semiconductor packages.
Abstract translation: 本发明涉及半导体封装用防水化合物及其制造方法。 根据本发明的半导体封装的防水化合物在半导体封装暴露于水或潮湿空气的情况下具有防水效果，从而防止表面开裂或脱离。 因此，如果使用半导体封装的防水化合物制造半导体封装和半导体产品及其制造方法，则半导体封装和半导体产品即使暴露于水或潮湿的情况下表面的状态也不改变 空气，能够提供。 此外，通过使用根据本发明的半导体封装的防水化合物，拉伸强度和接合强度增加; 并且防水效果优异，从而有助于提高半导体封装的耐久性和寿命延长。
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公开(公告)号：KR101604912B1
公开(公告)日：2016-03-21
申请号：KR1020140068625
申请日：2014-06-05
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L21/027 , H01L21/28
Abstract: 나노금속라인생성방법은미리설정된패턴이음각된표면을포함하는몰드(mold)를형성하는단계; 열증착(thermal evaporator) 기법을이용하여상기미리설정된패턴이음각된표면에금속을증착시키는단계; 상기미리설정된패턴이음각된표면중 상기미리설정된패턴이음각된영역을제외한나머지영역에증착된금속을제거하는단계; 상기미리설정된패턴이음각된영역에증착된금속을포함하는상기몰드를전사대상이되는기판의표면에임프린팅(imprinting)하는단계; 및상기몰드를제거하여상기기판에상기금속으로형성된나노금속라인패턴을생성하는단계를포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101570605B1
公开(公告)日：2015-11-20
申请号：KR1020140062535
申请日：2014-05-23
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L21/28 , H01L21/027 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/283 , H01L21/324 , H01L21/4867 , H01L21/565
Abstract: 저항메모리소자에서전극생성방법은미리설정된패턴이음각된표면을포함하는폴리머몰드(polymer mold)를형성하는단계; 상기미리설정된패턴이음각된표면중 상기미리설정된패턴이음각된영역에금속나노파티클(metal nano particle)을채우는단계; 전사대상이되는대상판에상기금속나노파티클이채워진상기폴리머몰드를임프린팅(imprinting)하는단계; 및상기폴리머몰드를제거하여상기대상판에상기금속나노파티클로형성된전극을생성하는단계를포함한다.
Abstract translation: 一种用于在电阻式存储器件中产生电极的方法包括以下步骤：形成其上具有预设图案的表面的聚合物模具; 填充预设图案与纳米金属颗粒相似的表面区域; 将聚合物模具印刷在作为待转印对象的靶板上，其中聚合物模具填充有纳米金属颗粒; 以及通过消除由纳米金属颗粒形成电极的聚合物模具，在目标板上产生电极。
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公开(公告)号：KR101458761B1
公开(公告)日：2014-11-13
申请号：KR1020120143307
申请日：2012-12-11
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: C08K3/34 , C08L63/00 , C08L101/00 , H01L23/29
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명은 반도체 패키지용 방수 조성물 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 패키지용 방수 조성물은 반도체 패키지가 수분이나 습기에 노출되는 경우 방수하는 효과가 있고, 이를 통해 표면에 크랙이나 표면박리현상이 발생하는 것을 방지한다. 그러므로 본 발명에 따른 반도체 패키지용 방수 조성물 및 그 제조방법을 이용하여 반도체 패키지 및 반도체 제품을 생산하게 되면 수분이나 습기에 노출되어도 표면의 상태가 변하지 않는 반도체 패키지 및 반도체 제품의 제공이 가능하다.
또한 본 발명에 따른 반도체 패키지용 방수 조성물을 이용하게 되면 인장 강도 및 접착 강도 등이 향상되며, 방수 효과가 우수하기 때문에 반도체 패키지의 내구성 향상 및 수명 연장에 크게 기여할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020110098497A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：KR1020100018143
申请日：2010-02-26
Applicant: 한양대학교 산학협력단
CPC classification number: Y02P10/212 , C22B5/00 , C22B7/00
Abstract: 본 발명은 석유탈황 폐촉매 중 유가금속 회수방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 석유탈황 폐촉매 중 유가금속을 회수하는 종래 방법에 비하여 공정이 간단하고 효율적이며, 2차 오염 문제 등을 발생시키지 않는 신규한 고온 용융환원법에 의하여 석유탈황 폐촉매로부터 유가금속을 회수하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 석유탈황 폐촉매 중 유가금속 회수방법은 폐촉매를 철원, 부원료 및 환원제와 함께 용해하여 슬래그 및 합금철 용탕을 얻는 단계; 상기 용해에 의해 생성된 합금철 용탕에 산화제를 가하여 V를 슬래그로 산화 제거하는 단계; 및 V가 제거된 합금철을 얻는 단계를 포함한다.
본 발명에 따르면, 간단한 설비 구성만으로도 폐촉매 내에 포함되어 있던, Ni, Mo, V 등의 유가금속을 저렴한 환원제와 산화제를 사용하여 회수하므로, 공정이 복잡하지 않고, 친환경적이며 경제적인 폐촉매 중 유가금속 회수방법을 제공할 수 있다.-
公开(公告)号：KR101618436B1
公开(公告)日：2016-05-09
申请号：KR1020140066930
申请日：2014-06-02
Applicant: 한양대학교 산학협력단
Abstract: 나노전극층생성방법은미리설정된패턴이음각된표면을포함하는몰드(mold)를형성하는단계; 상기미리설정된패턴이음각된표면중 상기미리설정된패턴이음각된영역에금속나노파티클(metal nano particle)을채우는단계; 전사대상이되는기판의표면중 상기몰드가임프린팅되는표면에에탄올또는다아이워터(DI water) 중적어도어느하나를이용하여스핀코팅(spin coating)을수행하는단계; 상기스핀코팅이수행된기판의표면에상기금속나노파티클이채워진상기몰드를임프린팅(imprinting)하는단계; 및상기몰드를제거하여상기기판에상기금속나노파티클로형성된나노전극을생성하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020150140508A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：KR1020140068625
申请日：2014-06-05
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L21/027 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/0274
Abstract: 나노금속라인생성방법은미리설정된패턴이음각된표면을포함하는몰드(mold)를형성하는단계; 열증착(thermal evaporator) 기법을이용하여상기미리설정된패턴이음각된표면에금속을증착시키는단계; 상기미리설정된패턴이음각된표면중 상기미리설정된패턴이음각된영역을제외한나머지영역에증착된금속을제거하는단계; 상기미리설정된패턴이음각된영역에증착된금속을포함하는상기몰드를전사대상이되는기판의표면에임프린팅(imprinting)하는단계; 및상기몰드를제거하여상기기판에상기금속으로형성된나노금속라인패턴을생성하는단계를포함한다.
Abstract translation: 本发明的纳米金属线的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：形成具有刻划有规定图案的表面的模具; 通过使用热蒸发器技术将金属沉积在其上刻有预定图案的表面上; 从刻有预定图案的表面除去沉积在除了刻有图案的部分之外的剩余部分上的金属; 将包括沉积在预定图案的部分上的金属的模具压印在待转印的基板的表面上; 并且通过去除模具在衬底上产生由金属制成的纳米金属线图案。
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