公开(公告)号：KR1020110009375A

公开(公告)日：2011-01-28

申请号：KR1020090066745

申请日：2009-07-22

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 안진호 ,  정창영 ,  이상설 ,  신현덕

IPC: G03F1/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/26 ,  G03F1/0046 ,  G03F1/24 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337

Abstract: PURPOSE: A phase shift mask for extreme ultra-violet lithography is provided to control phase change and reflectivity by controlling the thickness of each layer by selecting a material based on the optical constant of an absorber layer and a capping layer. CONSTITUTION: A reflecting layer(23) is formed as a multi-layered thin film over a transparent substrate. A first capping layer(25) is formed over the reflecting layer. A second capping layer(27) is patterned on the first capping layer. An absorber layer(29) is formed on the second capping layer.

Abstract translation: 目的：提供用于极紫外光刻的相移掩模，通过基于吸收层和封盖层的光学常数选择材料来控制每层的厚度来控制相变和反射率。 构成：在透明基板上形成反射层（23）作为多层薄膜。 第一覆盖层（25）形成在反射层上。 在第一覆盖层上图案化第二封盖层（27）。 在第二盖层上形成吸收层（29）。

公开(公告)号：KR101054746B1

公开(公告)日：2011-08-05

申请号：KR1020090066745

申请日：2009-07-22

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 안진호 ,  정창영 ,  이상설 ,  신현덕

IPC: G03F1/26 ,  H01L21/027

Abstract: 본 발명은 극자외선 노광 공정용 위상 반전 마스크에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 2층 구조의 캐핑층을 형성하고, 광학상수를 고려하여 캐핑층과 흡수체층의 재질을 선정하고 이들의 두께비를 조절하여 위상 변화와 반사도를 용이하게 조절할 수 있는 극자외선 노광 공정용 위상 반전 마스크에 관한 것이다.
상기 위상 반전 마스크는 이미지 콘트라스트가 저하되지 않는 범위에서 흡수체층의 두께를 최소화할 수 있으며, 새도우 효과를 낮추며 해상도를 증가시켜 노광 공정의 공정 마진을 향상시킨다.
극자외선 리소그래피, 위상 반전 마스크, 새도우 효과, 광학상수

Abstract translation: 本发明被选择为，更具体地说，涉及一种两层结构腔中以形成覆盖层，并考虑到光学常数封盖层和有关相移掩模的用于EUV曝光工艺的吸收层的材料并调整它们的厚度比 对于能够容易地调节相位变化和反射率的极紫外线曝光工艺的相位反转掩模。