公开(公告)号：KR1020110009375A

公开(公告)日：2011-01-28

申请号：KR1020090066745

申请日：2009-07-22

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 안진호 ,  정창영 ,  이상설 ,  신현덕

IPC: G03F1/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/26 ,  G03F1/0046 ,  G03F1/24 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337

Abstract: PURPOSE: A phase shift mask for extreme ultra-violet lithography is provided to control phase change and reflectivity by controlling the thickness of each layer by selecting a material based on the optical constant of an absorber layer and a capping layer. CONSTITUTION: A reflecting layer(23) is formed as a multi-layered thin film over a transparent substrate. A first capping layer(25) is formed over the reflecting layer. A second capping layer(27) is patterned on the first capping layer. An absorber layer(29) is formed on the second capping layer.

Abstract translation: 目的：提供用于极紫外光刻的相移掩模，通过基于吸收层和封盖层的光学常数选择材料来控制每层的厚度来控制相变和反射率。 构成：在透明基板上形成反射层（23）作为多层薄膜。 第一覆盖层（25）形成在反射层上。 在第一覆盖层上图案化第二封盖层（27）。 在第二盖层上形成吸收层（29）。

公开(公告)号：KR101054746B1

公开(公告)日：2011-08-05

申请号：KR1020090066745

申请日：2009-07-22

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 안진호 ,  정창영 ,  이상설 ,  신현덕

IPC: G03F1/26 ,  H01L21/027

Abstract: 본 발명은 극자외선 노광 공정용 위상 반전 마스크에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 2층 구조의 캐핑층을 형성하고, 광학상수를 고려하여 캐핑층과 흡수체층의 재질을 선정하고 이들의 두께비를 조절하여 위상 변화와 반사도를 용이하게 조절할 수 있는 극자외선 노광 공정용 위상 반전 마스크에 관한 것이다.
상기 위상 반전 마스크는 이미지 콘트라스트가 저하되지 않는 범위에서 흡수체층의 두께를 최소화할 수 있으며, 새도우 효과를 낮추며 해상도를 증가시켜 노광 공정의 공정 마진을 향상시킨다.
극자외선 리소그래피, 위상 반전 마스크, 새도우 효과, 광학상수

Abstract translation: 本发明被选择为，更具体地说，涉及一种两层结构腔中以形成覆盖层，并考虑到光学常数封盖层和有关相移掩模的用于EUV曝光工艺的吸收层的材料并调整它们的厚度比 对于能够容易地调节相位变化和反射率的极紫外线曝光工艺的相位反转掩模。

公开(公告)号：KR100879139B1

公开(公告)日：2009-01-19

申请号：KR1020070088456

申请日：2007-08-31

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 안진호 ,  김태근 ,  정창영 ,  김병헌

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/32 ,  G03F7/2008

Abstract: A phase shift mask capable of improving efficiency of mask inspection using DUV(Deep Ultra Violet) and manufacturing method thereof are provided to reduce shadow effect by lowering height of absorber. A multi-layered thin film layer is formed on a mask substrate(31). The multi-layered thin film layer is laminated with a scattering layer and a spacer film by turns. A capping layer(34) is formed on the multi-layered thin film layer. A phase shift film(37) is formed in a part of a top of the capping layer. The spacer film is formed on the phase shift film. An attenuator film(39) is formed on the spacer film. The phase shift film is made of Mo. The spacer film is made of Al2O3. The attenuator film is made of TaN.

Abstract translation: 提供能够提高使用DUV（深紫外线）的掩模检查效率的相移掩模及其制造方法，以通过降低吸收体的高度来减少阴影效应。 在掩模基板（31）上形成多层薄膜层。 多层薄膜层依次层叠有散射层和间隔膜。 在多层薄膜层上形成覆盖层（34）。 在盖层的顶部的一部分中形成相移膜（37）。 间隔膜形成在相移膜上。 在间隔膜上形成衰减膜（39）。 相移膜由Mo制成。间隔膜由Al2O3制成。 衰减膜由TaN制成。

公开(公告)号：KR101272039B1

公开(公告)日：2013-06-07

申请号：KR1020090106310

申请日：2009-11-05

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 안진호 ,  정창영 ,  이상설

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/66

Abstract: 본 발명은 극자외선 노광 공정용 반사형 마스크 결함 검출 장치 및 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 극자외선 노광 공정용 반사형 마스크에 EUV광을 조사하여 반사되는 반사광을 통해 반사형 마스크의 결함 영역의 검출과 이에 이미징화를 인-시튜(
in-situ )로 처리할 수 있는 극자외선 노광 공정용 반사형 마스크의 결함 검출 장치 및 방법에 관한 것으로, 상기 장치 및 방법을 통해 높은 신뢰도로 마스크의 결함 영역 검출 및 이미징화를 인-시츄로 처리가 가능하여 차세대 노광기술인 극자외선 노광 공정시 사용하는 마스크의 생산성을 높일 수 있다.
극자외선, 결함 검출, 해상도

公开(公告)号：KR1020110049336A

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：KR1020090106310

申请日：2009-11-05

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 안진호 ,  정창영 ,  이상설

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/66

CPC classification number: G03F1/24 ,  G03F1/72 ,  G03F1/76 ,  G03F1/84 ,  G03F7/70866

Abstract: PURPOSE: An apparatus and method for detecting a defect of a reflective mask for EUV(Extreme Ultraviolet) lithography are provided to image a defective state, thereby increasing reliability in detecting a defect of the reflective mask. CONSTITUTION: A stage comprises a holding surface(11) for receiving a reflective mask(M). A light source unit irradiates EUV light to the reflective mask. A defect detecting unit collects light reflected from the reflective mask to detect a defective area. A defect imaging unit irradiates EUV light to a defective area and collects reflected light to evaluate imaging on the defective area. Detection of the defective area of the reflective mask and detection imaging are performed by in-situ.

Abstract translation: 目的：提供用于检测用于EUV（极紫外）光刻的反射掩模的缺陷的装置和方法，以对缺陷状态进行成像，从而提高检测反射掩模缺陷的可靠性。 构成：舞台包括用于接收反光罩（M）的保持表面（11）。 光源单元将EUV光照射到反射掩模。 缺陷检测单元收集从反射掩模反射的光以检测缺陷区域。 缺陷成像单元将EUV光照射到缺陷区域并收集反射光以评估缺陷区域上的成像。 通过原位进行反射掩模的缺陷区域的检测和检测成像。