公开(公告)号：WO2020189912A1

公开(公告)日：2020-09-24

申请号：PCT/KR2020/002774

申请日：2020-02-26

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 안진호 ,  김정식 ,  정동민

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/033

Abstract: 극자외선 리소그래피용 마스크가 제공된다. 상기 극자외선 리소그래피용 마스크는 기판 상에 적층된 복수의 단위막(unit layer), 및 상기 복수의 단위막 사이 중 어느 하나에 배치되는 식각 정지막(etch stop layer)을 포함하고, 상기 식각 정지막을 노출시키는 트렌치(trench)를 갖는 반사 구조체, 및 상기 트렌치의 바닥면 상에 배치되는 흡수 패턴을 포함하되, 상기 단위막은, 제1 물질막 및 상기 제1 물질막 상의 제2 물질막을 포함할 수 있다.

公开(公告)号：KR102214777B1

公开(公告)日：2021-02-10

申请号：KR1020190030402

申请日：2019-03-18

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 안진호 ,  김정식 ,  정동민

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/033

Abstract: 극자외선리소그래피용마스크가제공된다. 상기극자외선리소그래피용마스크는기판상에적층된복수의단위막(unit layer), 및상기복수의단위막사이중 어느하나에배치되는식각정지막(etch stop layer)을포함하고, 상기식각정지막을노출시키는트렌치(trench)를갖는반사구조체, 및상기트렌치의바닥면상에배치되는흡수패턴을포함하되, 상기단위막은, 제1 물질막및 상기제1 물질막상의제2 물질막을포함할수 있다.