公开(公告)号：KR102237572B1

公开(公告)日：2021-04-07

申请号：KR1020190050819A

申请日：2019-04-30

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 안진호 ,  김정식

IPC: G03F1/22 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F1/22 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/70033

Abstract: EUV 리소그래피용 마스크가 제공된다. 상기 EUV 리소그래피용 마스크는 기판, 상기 기판 상에 배치되고, 복수의 단위막(unit layer)이 적층된 반사 구조체, 및 상기 반사 구조체 상에 배치되고, 제1 폭(width)을 갖는 제1 흡수층, 및 상기 제1 흡수층 상에 적층되고, 상기 제1 폭 보다 좁은 제2 폭을 갖는 제2 흡수층을 포함하는 흡수 구조체를 포함하되, 상기 제1 흡수층 및 상기 제2 흡수층의 폭 차이에 따라, 상기 흡수 구조체를 향해 입사된 광의 0차 회절광 및 1차 회절광 사이의 위상차가 제어되는 것을 포함할 수 있다.

公开(公告)号：WO2015160185A1

公开(公告)日：2015-10-22

申请号：PCT/KR2015/003783

申请日：2015-04-15

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 안진호 ,  이재욱 ,  홍성철 ,  이승민 ,  이길복 ,  김정식 ,  김정환

IPC: G03F1/64 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/62 ,  G03F7/2004 ,  H01L21/027

Abstract: EUV 리소그래피용 펠리클을 제공한다. EUV 리소그래피용 펠리클은 제1 무기물층 상에 제1 결합층 및 탄소 나노구조체를 포함하는 강도보강층이 위치하고, 이때의 제1 결합층은 상기 제1 무기물층과 상기 강도보강층의 결합력을 강화시키고, 탄소 나노구조체를 포함하는 강도보강층을 구비함으로써 펠리클막의 강도를 향상시킬 수 있다. 또한, 다른 실시예의 EUV 리소그래피용 펠리클 및 그 제조방법을 제공한다. EUV 리소그래피용 펠리클은 복수개의 홀을 포함하고, 소광계수가 0.02 이하인 물질로 구성된 다공성 박막이고, 상기 홀의 직경은 1 ㎛ 이하인 것을 특징으로 한다. 따라서, 높은 EUV 투과율을 가지면서도 두께를 두껍게 제작할 수 있으므로 향상된 강도를 확보할 수 있다.

Abstract translation: 提供EUV光刻用防护薄膜。 用于EUV光刻的防护薄膜组件包括形成在第一无机层上的第一组合层和包括碳纳米结构的强化增强层，其中第一组合层增强了第一无机层和强度增强层之间的结合力， 通过包括具有碳纳米结构的强度增强层来改进防护薄膜。 此外，根据另一实例，提供了一种用于EUV光刻的防护薄膜组件及其制造方法。 用于EUV光刻的防护薄膜组件是包括多个孔的多孔薄膜，由具有0.02或更低的消光系数的材料制成，其中孔的直径为1μm或更小。 因此，防护薄膜组件可以制造成具有高的EUV透射率并且较厚，从而确保改善的强度。

公开(公告)号：WO2020189912A1

公开(公告)日：2020-09-24

申请号：PCT/KR2020/002774

申请日：2020-02-26

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 안진호 ,  김정식 ,  정동민

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/033

Abstract: 극자외선 리소그래피용 마스크가 제공된다. 상기 극자외선 리소그래피용 마스크는 기판 상에 적층된 복수의 단위막(unit layer), 및 상기 복수의 단위막 사이 중 어느 하나에 배치되는 식각 정지막(etch stop layer)을 포함하고, 상기 식각 정지막을 노출시키는 트렌치(trench)를 갖는 반사 구조체, 및 상기 트렌치의 바닥면 상에 배치되는 흡수 패턴을 포함하되, 상기 단위막은, 제1 물질막 및 상기 제1 물질막 상의 제2 물질막을 포함할 수 있다.

公开(公告)号：WO2017131358A1

公开(公告)日：2017-08-03

申请号：PCT/KR2017/000263

申请日：2017-01-09

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 안진호 ,  김정환 ,  김정식 ,  우동곤 ,  장용주

IPC: G03F1/62 ,  G03F1/22 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  G03F1/00

CPC classification number: G03F1/00 ,  G03F1/22 ,  G03F1/62 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 복수개의 EUV(Extreme Ultraviolet) 투과층 및 열방출층이 교대로 적층된 중간막 구조체(intermediate layer structure), 상기 중간막 구조체의 상부면 상의 제1 박막, 및 상기 중간막 구조체의 하부면 상에 배치되고 상기 제1 박막보다 낮은 열복사율을 갖는 제2 박막을 포함하는 펠리클 멤브레인을 준비하는 단계, 상기 펠리클 멤브레인의 상기 열방출층이 노출된 가장자리 측면(sidewall) 상에 상기 펠리클 멤브레인으로부터 열을 흡수하는 냉각구조체를 배치하는 단계를 포함하는 EUV 펠리클 구조체의 제조 방법이 제공될 수 있다.

Abstract translation: 的

多个EUV（极紫外）传送层和散热层的交替层叠层间膜结构（中间层结构），如权利要求1所述的中间膜，该结构的顶表面上的薄膜，并且层间膜结构 设置在所述下表面上的防护膜是在舞台上，所述防护膜（侧壁）的散热层的暴露边缘的表面，制成防护膜和具有比所述第一薄膜更低的热辐射速率的第二薄膜 一种制造EUV薄膜结构的方法，包括设置从基板吸收热量的冷却结构的步骤。

公开(公告)号：KR102237572B1

公开(公告)日：2021-04-07

申请号：KR1020190050819

申请日：2019-04-30

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 안진호 ,  김정식

IPC: G03F1/22 ,  G03F7/20

Abstract: EUV 리소그래피용마스크가제공된다. 상기 EUV 리소그래피용마스크는기판, 상기기판상에배치되고, 복수의단위막(unit layer)이적층된반사구조체, 및상기반사구조체상에배치되고, 제1 폭(width)을갖는제1 흡수층, 및상기제1 흡수층상에적층되고, 상기제1 폭보다좁은제2 폭을갖는제2 흡수층을포함하는흡수구조체를포함하되, 상기제1 흡수층및 상기제2 흡수층의폭 차이에따라, 상기흡수구조체를향해입사된광의 0차회절광및 1차회절광사이의위상차가제어되는것을포함할수 있다.

公开(公告)号：KR102214777B1

公开(公告)日：2021-02-10

申请号：KR1020190030402

申请日：2019-03-18

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 안진호 ,  김정식 ,  정동민

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/033

Abstract: 극자외선리소그래피용마스크가제공된다. 상기극자외선리소그래피용마스크는기판상에적층된복수의단위막(unit layer), 및상기복수의단위막사이중 어느하나에배치되는식각정지막(etch stop layer)을포함하고, 상기식각정지막을노출시키는트렌치(trench)를갖는반사구조체, 및상기트렌치의바닥면상에배치되는흡수패턴을포함하되, 상기단위막은, 제1 물질막및 상기제1 물질막상의제2 물질막을포함할수 있다.

公开(公告)号：KR1020150017784A

公开(公告)日：2015-02-23

申请号：KR1020130082724

申请日：2013-07-15

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 안진호 ,  홍성철 ,  이재욱 ,  김정식

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/22

CPC classification number: H01L21/0274 ,  G03F1/22 ,  G03F7/2004

Abstract: 극자외선 노광 공정용 마스크가 제공된다. 상기 마스크는, 기판 상에 적층된 복수의 단위막(unit layer)을 포함하는 반사막 및 상기 반사막 상의 위상 변조 패턴을 포함하되, 상기 단위막은, 제1 물질막 및 상기 제1 물질막 상의 제2 물질막을 포함하고, 상기 단위막의 두께는 7.0~7.2nm 이다.

Abstract translation: 提供了用于极紫外光刻工艺的掩模。 掩模包括反射层，该反射层包括层叠在基板上的多个单位层和位于反射层上的相位调制图案。 单元层包括位于第一材料层上的第一材料层和第二材料层。 单位层的厚度为7.0-7.2nm。 本发明提供了具有优异的光稳定性和高反射率的极紫外光刻工艺的掩模。

公开(公告)号：KR1020090055430A

公开(公告)日：2009-06-02

申请号：KR1020070122353

申请日：2007-11-28

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 김정식 ,  임을규

IPC: H04L12/26

CPC classification number: H04L43/028 ,  H04L43/04 ,  H04L69/22

Abstract: A packet collection system using a bloom filter, a method for reducing a packet storing size in the packet collection system are provided to reduce the storage size of packets remarkably by storing filter values generated by filtering each block with a volume filter based on the linkage with headers of packets. A block driver(202) classifies some packets into predetermined blocks, and a filter unit(203) generates each filter value by performing filtering for each block individually. A storage processor(204) links the rest packets except the some packets with the filter values and stores the linked values. A comparator(205) compares the comparison data with the filter values, and checks over whether or not the comparison data are included in the packets.

Abstract translation: 提供了使用布隆过滤器的分组收集系统，用于减少分组收集系统中的分组存储大小的方法，通过存储通过使用具有体积过滤器的每个块过滤生成的过滤器值来显着减少分组的存储大小， 数据包头。 块驱动器（202）将一些分组分类为预定块，并且滤波器单元（203）通过对每个块分别执行滤波来生成每个滤波器值。 存储处理器（204）将除了一些分组之外的其余分组与过滤器值链接并存储链接的值。 比较器（205）将比较数据与滤波器值进行比较，并检查比较数据是否包括在分组中。

公开(公告)号：KR1020170089449A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：KR1020160009285

申请日：2016-01-26

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 김정환 ,  김정식 ,  우동곤 ,  장용주 ,  안진호

IPC: G03F1/62 ,  G03F1/22 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  G03F1/00

CPC classification number: G03F1/00 ,  G03F1/22 ,  G03F1/62 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 복수개의 EUV(Extreme Ultraviolet) 투과층및 열방출층이교대로적층된중간막구조체(intermediate layer structure), 상기중간막구조체의상부면상의제1 박막, 및상기중간막구조체의하부면상에배치되고상기제1 박막보다낮은열복사율을갖는제2 박막을포함하는펠리클멤브레인을준비하는단계, 상기펠리클멤브레인의상기열방출층이노출된가장자리측면(sidewall) 상에상기펠리클멤브레인으로부터열을흡수하는냉각구조체를배치하는단계를포함하는 EUV 펠리클구조체의제조방법이제공될수 있다.

Abstract translation: 多个EUV（极紫外）透射层和所述散热层的交替层叠层间膜结构（中间层结构），设置如权利要求1，该结构的上表面上的薄膜的层间膜的下表面上，并且第一层间膜结构 放置冷却结构用于从舞台上的防护膜，其中，所述防护膜（侧壁）的散热层的暴露边缘的表面，制成防护膜和具有比该薄膜更低的热辐射速率的第二薄膜吸收热量 一种生产EUV薄膜结构的方法，包括以下步骤：

公开(公告)号：KR101726045B1

公开(公告)日：2017-04-13

申请号：KR1020150079159

申请日：2015-06-04

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 김정식 ,  안진호 ,  홍성철

IPC: G03F1/22 ,  G03F1/26 ,  H01L21/033

CPC classification number: G03F1/22 ,  G03F1/24 ,  G03F1/26

Abstract: 극자외선노광공정용마스크가제공된다. 상기극자외선노광공정용마스크느, 기판, 상기기판상에교대로그리고반복적으로적층된제1 물질막및 제2 물질막을포함하는반사막, 상기반사막상의캡핑막, 및상기캡핑막상에차례로적층된위상변조패턴및 흡수패턴을포함하되, 상기위상변조패턴및 상기흡수패턴의측벽들은, 상기캡핑막의상부면에대해서비스듬할수 있다.