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1.发明申请가압식 금속 단원자층 제조 방법, 금속 단원자층 구조체 및 가압식 금속 단원자층 제조 장치 审中-公开加压金属部jacheung制造方法中，所述金属结构和所述加压部jacheung金属部的制造装置jacheung
公开(公告)号：WO2017188785A1
公开(公告)日：2017-11-02
申请号：PCT/KR2017/004579
申请日：2017-04-28
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: C23C16/455 , C23C16/44 , C23C16/52 , C23C16/14
Abstract: 가압식 금속 단원층 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 가압식 금속 단원자층 제조 방법은, 기판이 마련된 챔버 내를 밀폐시킨 상태에서, 금속 전구체로 이루어진 금속 전구체 가스를 제공함으로써, 상기 챔버 내의 압력을 증가시켜, 상기 금속 전구체를 상기 기판에 흡착시키는 금속 전구체 가스 가압 도징(dosing) 단계, 상기 금속 전구체 가압 도징 단계 이후, 퍼지시키는 메인 퍼징(main purging) 단계, 상기 메인 퍼징 단계 후에, 반응 가스를 제공하여, 상기 기판에 흡착된 금속 전구체를 금속 단원자층으로 환원하는 반응 가스 도징 단계 및 상기 반응 가스 도징 단계 이후, 퍼지시키는 메인 퍼징 단계를 포함하여 이루어질 수 있다.
Abstract translation: 提供了一种用于制造加压金属单层的方法。 根据本发明的一个实施例中，在密封所述室基底的状态下加压金属部jacheung制造方法形成，通过提供由金属前体的金属前体气体，在所述腔室增加压力，金属前体 在金属前体加压步骤之后清洗金属前体的主净化步骤，向衬底供应反应气体的主净化步骤， 后定量给料步骤和所述气体反应步骤中，反应气体的给药用于减少金属部jacheung的金属前体，它可以被制成，包括吹扫主清洗的步骤。
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公开(公告)号：WO2021162358A1
公开(公告)日：2021-08-19
申请号：PCT/KR2021/001551
申请日：2021-02-05
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: C08F220/18 , C08F230/08 , H01B3/44 , H01B3/46 , H01L51/52 , G06F3/041 , H01L27/32
Abstract: 본 발명은 아크릴레이트계 모너머 및 화학식 1로 나타낸 실란 화합물을 포함하고, 상기 실란 화합물은 상기 아크릴레이트계 모너머에 대해서 1wt% 내지 10wt%로 포함되는 유전체 조성물이고, 상기 유전체 조성물을 UV조사하여 형성된 유전체막은 유전율이 2 내지 2.7인 디스플레이 유전체막용 저유전율 유전체 조성물을 포함한다.
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公开(公告)号：WO2017183932A1
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：PCT/KR2017/004259
申请日：2017-04-21
Applicant: 한양대학교 산학협력단
Abstract: 안정화된 금속 단원자층 구조체가 개시된다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 안정화된 금속 단원자층 구조체는 이차원 층상 구조를 가지는 적어도 한 층의 금속 단원자층 및 상기 금속 단원자층의 상면 및 하면 중 적어도 일면에 마련되는 유기분자층을 포함하여 이루어질 수 있다.
Abstract translation: 公开了一种稳定的金属单层结构。 在根据本发明jacheung结构可包含有机分子层的一个实施方案中，稳定化的金属部设置在所述金属部jacheung和具有二维层状结构的至少一个层的金属部分jacheung的顶面和底面中的至少一个表面上
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公开(公告)号：WO2020080621A1
公开(公告)日：2020-04-23
申请号：PCT/KR2019/003242
申请日：2019-03-20
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L29/66 , H01L29/78 , H01L29/76 , H01L29/737
Abstract: 본 발명의 일 실시 예에 따른 막 구조체는 적어도 한 축 방향으로 양자화된 에너지 레벨을 가지는 적어도 한 층의 액티브 모노레이어(active monolayer) 및 상기 적어도 한 층의 액티브 모노레이어와 교번 적층되는 적어도 한 층의 배리어(barrier)를 포함하되, 상기 액티브 모노레이어에는 전류가 흐르되, 상기 양자화된 에너지 레벨에 의하여 전류의 흐름이 제한될 수 있다.
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公开(公告)号：WO2018194399A1
公开(公告)日：2018-10-25
申请号：PCT/KR2018/004567
申请日：2018-04-19
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L51/05 , H01L21/285 , H01L21/02 , H01L29/66
CPC classification number: H01L21/02 , H01L21/285 , H01L29/66 , H01L51/05
Abstract: 본 발명의 일 실시 예에 따른 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 및 상기 게이트 전극 상에 마련된, 적어도 하나의 층으로 이루어진 금속 단원자층 및 상기 금속 단원자층과 접촉하는 배리어층으로 이루어진 채널층을 포함하여 이루어질 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102077819B1
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：KR1020180045450
申请日：2018-04-19
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L51/05 , H01L21/285 , H01L21/02 , H01L29/66
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7.发明授权가압식 금속 단원자층 제조 방법, 금속 단원자층 구조체 및 가압식 금속 단원자층 제조 장치 有权加压金属部jacheung制造方法中，所述金属结构和所述加压部jacheung金属部的制造装置jacheung
公开(公告)号：KR101820237B1
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：KR1020160052633
申请日：2016-04-29
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: C23C16/455 , C23C16/44 , C23C16/52 , C23C16/14
CPC classification number: C23C16/14 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 가압식금속단원층제조방법이제공된다. 본발명의일 실시예에따른가압식금속단원자층제조방법은, 기판이마련된챔버내를밀폐시킨상태에서, 금속전구체로이루어진금속전구체가스를제공함으로써, 상기챔버내의압력을증가시켜, 상기금속전구체를상기기판에흡착시키는금속전구체가스가압도징(dosing) 단계, 상기금속전구체가압도징단계이후, 퍼지시키는메인퍼징(main purging) 단계, 상기메인퍼징단계후에, 반응가스를제공하여, 상기기판에흡착된금속전구체를금속단원자층으로환원하는반응가스도징단계및 상기반응가스도징단계이후, 퍼지시키는메인퍼징단계를포함하여이루어질수 있다.
Abstract translation: 提供了一种用于制造加压金属单层的方法。 根据本发明的一个实施例中，在密封所述室基底的状态下加压金属部jacheung制造方法形成，通过提供由金属前体的金属前体气体，在所述腔室增加压力，金属前体 要被吸附在基板上的金属前体气体在重写步骤和主净化步骤之后经历主净化步骤，其中净化金属前体气体， 以及在将金属前体还原成金属单质元素层的反应气体定量供给步骤和反应气体定量供给步骤之后清洗吸附的金属前体的主净化步骤。
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公开(公告)号：KR1020170120537A
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：KR1020170134985
申请日：2017-10-18
Applicant: 한양대학교 산학협력단
Abstract: 안정화된금속단원자층구조체가개시된다. 본발명의일 실시예에따른안정화된금속단원자층구조체는이차원층상구조를가지는적어도한 층의금속단원자층및 상기금속단원자층의상면및 하면중 적어도일면에마련되는유기분자층을포함하여이루어질수 있다.
Abstract translation: 公开了一种稳定的金属单层结构。 金属部jacheung结构按照稳定的本发明的一个实施例可以通过包括有机分子层设置在金属部的至少一个层具有层状结构jacheung和顶部中的至少一个表面和底表面的电平来实现，所述金属部jacheung 有。
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公开(公告)号：KR102250003B1
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：KR1020180124635
申请日：2018-10-18
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L29/66 , H01L29/76 , H01L29/737 , H01L29/51
Abstract: 본발명의일 실시예에따른막은, 전도대(conduction band) 내의로우레벨(low level) 전자에너지범위에서제1 전자상태개수를제공하고, 상기전도대내의, 상기로우레벨전자에너지범위보다높은하이레벨(high level) 전자에너지범위에서제2 전자상태개수를제공하며, 상기로우레벨전자에너지범위와상기하이레벨전자에너지범위사이에서, 편재상태(localized state)가제공될수 있다.
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公开(公告)号：KR102241043B1
公开(公告)日：2021-04-19
申请号：KR1020180124408
申请日：2018-10-18
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: C23C16/455 , C23C16/448 , C23C16/06
Abstract: 본발명의일 실시예에따른비결정성금속단원자층은소정이하의두께를가지며, 단일금속으로이루어지되, 비정질(amorphous) 상을가질수 있다.
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