公开(公告)号：KR102101557B1

公开(公告)日：2020-04-16

申请号：KR1020180082500

申请日：2018-07-16

Applicant: 한양대학교 산학협력단 ,  국민대학교산학협력단

Inventor： 오현옥 ,  김지혜 ,  고한경

IPC: G06F21/33 ,  G06F21/60 ,  G06T7/11 ,  H04L9/08 ,  H04L9/32

公开(公告)号：KR101979102B1

公开(公告)日：2019-08-28

申请号：KR1020170108857

申请日：2017-08-28

Applicant: 한양대학교 산학협력단 ,  국민대학교산학협력단

Inventor： 오현옥 ,  김지혜 ,  이승화 ,  고한경 ,  김승리 ,  윤정준

IPC: G06F21/33 ,  G06F21/60 ,  G06F21/62

公开(公告)号：KR100722853B1

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：KR1020050054341

申请日：2005-06-23

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 박인성 ,  김경래 ,  고한경 ,  이태호 ,  안진호

IPC: H01L27/10

Abstract: 본 발명은 절연체 박막의 형성과 저온에서의 열처리를 복수회 반복하여 절연체 박막을 적층함으로써 포밍과정없이도 정상적인 스위칭 동작이 가능하면서도 낮은 동작전압을 가지는 저항 메모리 소자를 제공한다.
이를 위하여 본 발명에 의한 저항 메모리 소자의 제조방법은 먼저 기판을 준비하는 단계와, 상기 기판 상에 하부전극을 증착하는 단계와, 상기 하부전극 상에 절연체 박막을 증착하는 단계와, 제 1 열처리 단계로서 상기 절연체 박막에서 상변화가 일어나지 않을 범위의 온도에서 열처리하는 단계와, 상기 절연체 박막을 증착하는 단계 및 제 1 열처리 단계를 순차적으로 복수회 반복하여 원하는 두께의 절연체 박막을 적층하는 단계와, 제 2 열처리 단계로서 상기 절연체 박막에 있어서 상변화가 일어나는 범위의 온도에서 열처리하는 단계와, 상기 절연체 박막 상에 상부전극을 증착하는 단계로 이루어진다.
RRAM, 저항메모리, 포밍

公开(公告)号：KR1020060134563A

公开(公告)日：2006-12-28

申请号：KR1020050054341

申请日：2005-06-23

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 박인성 ,  김경래 ,  고한경 ,  이태호 ,  안진호

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L45/1641 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/145

Abstract: A method for fabricating an RRAM(resistive random access memory) by stacked deposition of an insulation layer is provided to eliminate the necessity of a forming process by forming an insulation thin film and by performing a final high temperature treatment after an insulation thin film has a desired thickness by repeated low-temperature treatments. A substrate is prepared(S401). A barrier layer is deposited on the substrate. A lower electrode is deposited on the resultant structure(S402). An insulation thin film is deposited on the lower electrode(S403). A first heat treatment is performed at a temperature which doesn't cause a phase change in the insulation thin film(S404). The process for depositing the insulation thin film and the first heat treatment are sequentially repeated to form an insulation thin film of a desired thickness. A second heat treatment is performed at a temperature that causes a phase change in the insulation thin film(S406). An upper electrode is deposited on the insulation thin film(S407).

Abstract translation: 提供了通过堆叠沉积绝缘层制造RRAM（电阻随机存取存储器）的方法，以消除通过形成绝缘薄膜的成形工艺的必要性，并且在绝缘薄膜具有绝缘薄膜之后进行最终的高温处理 通过重复低温处理所需的厚度。 准备基板（S401）。 阻挡层沉积在衬底上。 在所得结构上沉积下电极（S402）。 绝缘薄膜沉积在下电极上（S403）。 在不会导致绝缘薄膜的相变的温度下进行第一热处理（S404）。 依次重复沉积绝缘薄膜和第一热处理的工艺以形成所需厚度的绝缘薄膜。 在导致绝缘薄膜的相变的温度下进行第二热处理（S406）。 在绝缘薄膜上沉积上电极（S407）。