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公开(公告)号:KR1020050069059A
公开(公告)日:2005-07-05
申请号:KR1020030100902
申请日:2003-12-30
IPC: H01L29/00
Abstract: 직접 접촉식 MEMs 스위치와 그 제조방법이 개시된다. 개시된 직접 접촉식 MEMs 스위치는, 기판과; 상기 기판 상에 형성되는 신호 전송선과; 상기 신호 전송선과 접촉하게 되어 온(ON) 상태를 만들어 주는 접촉부와; 상기 기판 상에 마련되어 정전력으로 구동되는 구동부와; 상기 구동부를 연결하는 지지부재와; 상기 구동부와 상기 접촉부 사이를 전기적으로 완전히 분리하여, 구동을 위한 인가 전압 신호와 상기 신호 전송선의 입력단에서 출력단으로 전송되는 신호를 분리하는 절연막 연결부;를 포함하는 것을 그 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 수십 GHz 이상의 주파수 대역에서 사용되는 무선 통신 송수신 시스템에 적용할 수 있고, 전기적, 기계적 특성이 향상되며, 신뢰성과 생산성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.-
公开(公告)号:KR100588497B1
公开(公告)日:2006-06-14
申请号:KR1020030100902
申请日:2003-12-30
IPC: H01L29/00
Abstract: 직접 접촉식 MEMs 스위치 제조방법이 개시된다. 개시된 직접 접촉식 MEMs 스위치 제조방법은, (a) 기판 위에 신호 전송선 부분의 금 전해 도금을 위한 기반층으로 크롬과 금을 연속적으로 열증착하고, 그 위에 소정 두께의 감광제를 도포하며, 상기 신호 전송선 부분의 형상을 도금하기 위한 도금틀을 사진 식각으로 패턴을 형성하는 단계와; (b) 상기 신호 전송선에 금을 전해 도금하는 단계와; (c) 지지부재를 구동할 때 구동 전극과 바닥 전극 사이에서 DC 단락을 방지하기 위한 절연막으로 소정 두께의 실리콘 질화막으로 패턴을 형성하는 단계와; (d) 상기 신호 전송선의 단차를 보정하기 위한 표면을 평탄화하는 단계와; (e) 상기 신호 전송선과 접촉부의 간격을 고려하여 소정 두께의 희생층이 형성되도록 감광막을 도포하는 단계; (f) 상기 희생층 감광막을 대류 오븐에서 소정 온도까지 열처리하는 단계와; (g) 스위치를 동작할 때 상기 구동부가 바닥 전극에 닫기 전에 접촉부가 먼저 상기 신호 전송선에 닫도록 하기 위하여 상기 희생층을 식각하여 상기 구동부와 상기 접촉부의 높이차가 있도록 단차를 만들어 주고, 상기 희생층 위에 도금 기반층을 증착하고 도금틀을 형성하는 단계와; (h) 상기 접촉부와 구동부를 전기적으로 분리시키는 연결 구조로서 절연막을 형성하는 단계와; (i) 상기 희생층을 제거한 후, 초기 변형이 작고 기계적 특성이 우수한 소정 금속으로 전해 도금을 실시하여 구동부를 형성하는 단계와; (j) 상기 희생층으로 사용된 감광제를 플라즈마 애싱을 이용한 등방성 식각 조건으로 제거하여 스위치를 완성하는 단계;를 포함하는 것을 그 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 수십 GHz 이상의 주파수 대역에서 사용되는 무선 통신 송수신 시스템에 적용할 수 있고, 전기적, 기계적 특성이 향상되며, 신뢰성과 생산성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
MEMs 스위치, SPDT 스위치, 절연막
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