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公开(公告)号:WO2013032268A1
公开(公告)日:2013-03-07
申请号:PCT/KR2012/006984
申请日:2012-08-31
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 이규철 , 이철호
IPC: H01L29/786 , H01L29/778 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L21/02444 , H01L21/0245 , H01L21/02458 , H01L21/02472 , H01L21/02483 , H01L21/02502 , H01L21/02513 , H01L21/02527 , H01L21/02532 , H01L21/0254 , H01L21/02554 , H01L21/0274 , H01L21/0277 , H01L21/263 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/2003 , H01L29/201 , H01L29/205 , H01L29/225 , H01L29/24 , H01L29/66015 , H01L29/66431 , H01L29/66462 , H01L29/66742 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L29/78603 , H01L29/78684
Abstract: 본 발명의 일실시예는, 그래핀(graphene)을 포함하는 탄소층; 상기 탄소층 상에 형성된 박막층; 상기 박막층 상에 형성된 채널층; 상기 박막층과 상기 채널층 사이에 형성되며, 상기 박막층과 상기 채널층 사이의 전류 흐름을 차단하는 전류 차단층; 및 상기 채널층 상에 형성된 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자를 제공한다.
Abstract translation: 根据本发明的一个实施例,电子设备的特征在于包括:包括石墨烯的碳层; 形成在所述碳层上的薄膜层; 形成在所述薄膜层上的沟道层; 形成在所述薄膜层和所述沟道层之间的电流截止层,以切断所述薄膜层和所述沟道层之间的电流; 以及形成在沟道层上的源电极和漏电极。
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公开(公告)号:WO2012057506A2
公开(公告)日:2012-05-03
申请号:PCT/KR2011/007995
申请日:2011-10-25
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 이규철 , 허재혁 , 김용진
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/02366 , H01L31/022425 , H01L31/035227 , H01L31/03529 , H01L31/0392 , H01L31/07 , H01L31/072 , H01L31/073 , H01L31/0735 , H01L31/075 , H01L31/1892 , Y02E10/543 , Y02E10/544 , Y02E10/548
Abstract: 본원은, 탄소구조체층과, 상기 탄소구조체층 상에 형성되어 있는 미세 구조물과, 상기 미세 구조물을 덮어 형성되며, 전하분리접합부를 포함하는 박막층을 포함하는 태양전지 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种太阳能电池,其包括碳结构层,形成在所述碳结构层上的微结构,以及覆盖所述微结构并包括电荷分离结的薄膜层, 和一种生产它的方法。 P>
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公开(公告)号:WO2021246595A1
公开(公告)日:2021-12-09
申请号:PCT/KR2020/017136
申请日:2020-11-27
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L41/047 , H01L41/29 , H01L41/193 , H01L41/35 , H01L41/25
Abstract: 본 발명의 일 실시예는 나노 압전소자에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 탄소원자가 서로 연결되어 벌집모양의 평면구조를 갖는 그래핀으로 형성된 탄소층; 상기 탄소층의 일면에서 수직으로 성장한 하나 이상의 나노 구조물; 상기 하나 이상의 나노 구조물의 상부에 배치되는 제 1 전극; 상기 탄소층 타면 상에 배치되는 제 2 전극; 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 충진되는 절연체;를 포함하는, 나노 압전소자가 제공된다.
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公开(公告)号:WO2013025043A1
公开(公告)日:2013-02-21
申请号:PCT/KR2012/006484
申请日:2012-08-14
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 이규철 , 정건욱
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/007 , H01L33/08 , H01L33/32
Abstract: 본 발명에 따른 광소자는 투명한 비정질의 기판; 상기 기판 상에 형성된전류주입층; 상기 전류주입층 상에 형성된 흑연층; 및 상기 흑연층 상에 형성된 반도체부를 포함하고, 비정질 기판에 흑연층을 형성한 후 반도체부를 형성함으로써, 종래의 비정질 기판에 반도체부 형성의 문제점을 보완할 수 있으며, 우수한 결정성을 갖는 반도체부를 형성할 수 있는 광소자 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.
Abstract translation: 提供了一种光学器件及其制造方法。 根据本发明的光学装置包括:透明非晶基板; 形成在所述基板上的电流注入层; 形成在电流注入层上的石墨层; 以及形成在所述石墨层上的半导体单元,其中,在所述非晶基板上形成所述石墨层之后形成所述半导体单元,从而克服了涉及在非晶基板上形成半导体单元的常规方法的问题,以及所述半导体单元 本发明具有优异的结晶度。
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公开(公告)号:WO2012047069A2
公开(公告)日:2012-04-12
申请号:PCT/KR2011/007461
申请日:2011-10-07
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 이규철 , 정건욱 , 이철호
Abstract: 본 발명은, 그래핀을 포함하는 탄소층; 상기 탄소층에서 상측으로 성장된 복수의 미세 구조체; 상기 미세 구조체를 피복하는 박막층; 및 상기 박막층 상에 형성된 발광 구조층을 포함하는 발광소자를 제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及包含石墨烯的碳层; 在碳层中向上生长的多个微结构; 覆盖微结构的薄膜层; 并且在薄膜层上形成发光结构层。
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公开(公告)号:WO2022215891A1
公开(公告)日:2022-10-13
申请号:PCT/KR2022/003701
申请日:2022-03-16
Applicant: 주식회사 디플랫 , 성균관대학교산학협력단 , 서울대학교산학협력단
Abstract: 전사없이, 기재 상에 그래핀층을 직접 합성하는 단계; 및 상기 그래핀층 상에 LED층을 합성하는 단계를 포함하는, 쉽게 분리 가능한 LED 구조체 제조방법 및 상기 제조방법으로 제조된 LED 구조체가 제공된다. (대표도 : 도 1)
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公开(公告)号:WO2012141561A2
公开(公告)日:2012-10-18
申请号:PCT/KR2012/002886
申请日:2012-04-16
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 이규철 , 정건욱 , 이철호
IPC: B82B1/00 , H01L29/786
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/182 , H01L29/78684 , H01L29/78696
Abstract: 본 발명은 전자소자와 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 그래핀(graphene) 또는 그래파이트(graphite)를 포함하는 탄소층 및 이 탄소층 위에 형성된 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자가 제공된다.
Abstract translation: 电子装置及其制造方法技术领域本发明涉及电子装置及其制造方法。 根据本发明,提供一种电子器件,其包括碳层,所述碳层包括石墨烯或石墨和形成在碳层上的薄膜。
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公开(公告)号:WO2012047068A2
公开(公告)日:2012-04-12
申请号:PCT/KR2011/007460
申请日:2011-10-07
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 이규철 , 이철호 , 김용진
CPC classification number: H01L33/34 , B82Y20/00 , H01L33/005 , H01L33/0079 , H01L33/04 , H01L33/08 , H01L33/16 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/641
Abstract: 본 발명은, 그래핀을 포함하는 탄소층; 상기 탄소층에서 상측으로 성장된 복수의 미세 구조체; 및 상기 미세 구조체의 표면 상에 형성된 발광 구조층을 포함하는 발광소자를 제공한다.
Abstract translation: 本发明提供一种发光元件,包括:包含石墨烯的碳层; 多个精细结构朝向碳层的上侧生长; 以及形成在精细结构的表面上的发光结构层。
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公开(公告)号:WO2012057504A3
公开(公告)日:2012-05-03
申请号:PCT/KR2011/007993
申请日:2011-10-25
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 이규철 , 김용진 , 이철호
IPC: H01L31/042 , H01L31/0236
Abstract: 본원은 탄소구조체층과, 상기 탄소구조체층 상에 형성되어 있는 미세 구조물과, 상기 미세 구조물 표면에 형성되어 있는, 전하분리접합부를 포함하는 전하분리층을 포함하는 태양전지 및 이의 제조방법을 제공한다.
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公开(公告)号:KR101807021B1
公开(公告)日:2017-12-08
申请号:KR1020150179505
申请日:2015-12-15
Applicant: 현대자동차주식회사 , 서울대학교산학협력단
Abstract: 본발명의일 실시예에따른발광소자는제1 방향으로뻗어있는복수의제1 전극, 상기제1 방향과교차하는제2 방향으로뻗어있는복수의제2 전극, 및상기복수의제1 전극과상기복수의제2 전극의교차점에서상기제1 전극및 상기제2 전극사이에위치하는복수의반도체층을포함하며, 상기복수의제1 전극중 적어도하나는그래핀(graphene)을포함한다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的发光器件包括沿第一方向延伸的多个第一电极,沿与第一方向交叉的第二方向延伸的多个第二电极, 并且多个半导体层位于第一电极和第二电极之间的多个第二电极的交叉点处,其中多个第一电极中的至少一个包括石墨烯。
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