나노 압전소자
    3.
    发明申请
    나노 압전소자 审中-公开

    公开(公告)号:WO2021246595A1

    公开(公告)日:2021-12-09

    申请号:PCT/KR2020/017136

    申请日:2020-11-27

    Abstract: 본 발명의 일 실시예는 나노 압전소자에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 탄소원자가 서로 연결되어 벌집모양의 평면구조를 갖는 그래핀으로 형성된 탄소층; 상기 탄소층의 일면에서 수직으로 성장한 하나 이상의 나노 구조물; 상기 하나 이상의 나노 구조물의 상부에 배치되는 제 1 전극; 상기 탄소층 타면 상에 배치되는 제 2 전극; 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 충진되는 절연체;를 포함하는, 나노 압전소자가 제공된다.

    광소자 및 그 제조방법
    4.
    发明申请
    광소자 및 그 제조방법 审中-公开
    光学装置及其制造方法

    公开(公告)号:WO2013025043A1

    公开(公告)日:2013-02-21

    申请号:PCT/KR2012/006484

    申请日:2012-08-14

    Inventor: 이규철 정건욱

    CPC classification number: H01L33/24 H01L33/007 H01L33/08 H01L33/32

    Abstract: 본 발명에 따른 광소자는 투명한 비정질의 기판; 상기 기판 상에 형성된전류주입층; 상기 전류주입층 상에 형성된 흑연층; 및 상기 흑연층 상에 형성된 반도체부를 포함하고, 비정질 기판에 흑연층을 형성한 후 반도체부를 형성함으로써, 종래의 비정질 기판에 반도체부 형성의 문제점을 보완할 수 있으며, 우수한 결정성을 갖는 반도체부를 형성할 수 있는 광소자 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.

    Abstract translation: 提供了一种光学器件及其制造方法。 根据本发明的光学装置包括:透明非晶基板; 形成在所述基板上的电流注入层; 形成在电流注入层上的石墨层; 以及形成在所述石墨层上的半导体单元,其中,在所述非晶基板上形成所述石墨层之后形成所述半导体单元,从而克服了涉及在非晶基板上形成半导体单元的常规方法的问题,以及所述半导体单元 本发明具有优异的结晶度。

    발광 소자 및 이의 제조 방법
    10.
    发明授权
    발광 소자 및 이의 제조 방법 有权
    发光装置

    公开(公告)号:KR101807021B1

    公开(公告)日:2017-12-08

    申请号:KR1020150179505

    申请日:2015-12-15

    Abstract: 본발명의일 실시예에따른발광소자는제1 방향으로뻗어있는복수의제1 전극, 상기제1 방향과교차하는제2 방향으로뻗어있는복수의제2 전극, 및상기복수의제1 전극과상기복수의제2 전극의교차점에서상기제1 전극및 상기제2 전극사이에위치하는복수의반도체층을포함하며, 상기복수의제1 전극중 적어도하나는그래핀(graphene)을포함한다.

    Abstract translation: 根据本发明实施例的发光器件包括沿第一方向延伸的多个第一电极,沿与第一方向交叉的第二方向延伸的多个第二电极, 并且多个半导体层位于第一电极和第二电极之间的多个第二电极的交叉点处,其中多个第一电极中的至少一个包括石墨烯。

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