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公开(公告)号：KR101575438B1
公开(公告)日：2015-12-07
申请号：KR1020130165867
申请日：2013-12-27
Applicant: 현대자동차주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01M4/366 , C23C16/24 , H01M4/0428 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/386 , H01M4/661 , H01M4/669 , H01M10/052 , H01M2004/027 , H01M2220/20 , Y02E60/122
Abstract: 본발명은리튬기반전지음극을위한니켈실리사이드나노와이어에임베디드된실리콘나노와이어구조체에관한것으로서, 더욱상세하게는 NiSi나노와이어에 Si 나노와이어를플렉서블하게임베딩시켜서 Si 나노와이어가 Li과의합금화에의해팽창할때나배터리사용시수축할때 나타나는나노와이어가전류수집기로부터연결이끊어지는문제점등을개선한 NiSi나노와이어에임베디드된 Si 나노와이어구조체와이를포함하는애노드에관한것이다.
Abstract translation: 本发明提供一种嵌入镍硅化物纳米线中的硅纳米线结构，用于锂基电池阳极和包括其的阳极。 特别地，嵌入根据本发明的NiSix纳米线中的Si纳米线结构可以提供一个问题的解决方案，例如当Si纳米线通过与Li的合金膨胀或在使用期间收缩时，从集电器显示出Si纳米线的断开 的电池等，通过将Si纳米线柔性地嵌入NiSix纳米线中。
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公开(公告)号：KR1020150077041A
公开(公告)日：2015-07-07
申请号：KR1020130165867
申请日：2013-12-27
Applicant: 현대자동차주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01M4/366 , C23C16/24 , H01M4/0428 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/386 , H01M4/661 , H01M4/669 , H01M10/052 , H01M2004/027 , H01M2220/20 , Y02E60/122
Abstract: 본발명은리튬기반전지음극을위한니켈실리사이드나노와이어에임베디드된실리콘나노와이어구조체에관한것으로서, 더욱상세하게는 NiSi나노와이어에 Si 나노와이어를플렉서블하게임베딩시켜서 Si 나노와이어가 Li과의합금화에의해팽창할때나배터리사용시수축할때 나타나는나노와이어가전류수집기로부터연결이끊어지는문제점등을개선한 NiSi나노와이어에임베디드된 Si 나노와이어구조체와이를포함하는애노드에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及嵌入用于锂基电池阳极的硅化镍纳米线中的硅纳米线结构。 更具体地说，本发明涉及嵌入在NiSi_x纳米线中的Si纳米线结构，其可以提供一个问题的解决方案，例如当Si纳米线通过与Li合金膨胀或在合金化期间收缩时，从集电器断开Si纳米线 使用电池等，通过将Ni纳米线中的Si纳米线柔性地嵌入，并且将其包括在阳极中。
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公开(公告)号：KR1020110052329A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：KR1020090109318
申请日：2009-11-12
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A solar cell including a single crystal silicon nano wire and a manufacturing method thereof are provided to improve the efficiency of the solar cell by using a plurality of nano wires which are vertically deposited on an aluminum substrate. CONSTITUTION: A nano porous mold(102) is prepared. A metal nano particle is plated on the mold. A layer including a single crystal n-type silicon nano wire is formed by alternatively depositing an n type dopant and silicon on the plated mold. An n type silicon nano wire(101) is exposed from the layer including the single crystal n type silicon nano wire. A single crystal p type silicon layer(103) is formed by alternatively depositing a p type dopant and silicon on the exposed nano wire.
Abstract translation: 目的：提供一种包括单晶硅纳米线的太阳能电池及其制造方法，以通过使用垂直沉积在铝基板上的多根纳米线来提高太阳能电池的效率。 构成：制备纳米多孔模具（102）。 将金属纳米颗粒电镀在模具上。 通过在电镀模具上交替沉积n型掺杂剂和硅来形成包括单晶n型硅纳米线的层。 n型硅纳米线（101）从包括单晶n型硅纳米线的层露出。 通过在暴露的纳米线上交替沉积p型掺杂剂和硅来形成单晶p型硅层（103）。
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公开(公告)号：KR101118334B1
公开(公告)日：2012-03-09
申请号：KR1020090109318
申请日：2009-11-12
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은 (a) 나노다공성주형을준비하는단계; (b) (a) 단계의주형상에금속나노입자를도금시키는단계;(c) (b)단계의도금된주형에 n형도펀트및 실리콘(Si)을교대로증착하고, 상부와하부의온도구배를발생시켜단결정 n-형실리콘나노와이어를포함하는층을형성시키는단계; (d) (c) 단계의층에서 n-형실리콘나노와이어을노출시키는단계; 및 (e) (d)단계의나노와이어에 p형도펀트및 실리콘(Si)을교대로증착하고, 이를열처리하여단결정 p-형실리콘층을형성하는단계를포함하는것을특징으로하는태양전지를제조하는방법을제공한다. 또한, 본발명은 (a) 나노다공성주형상에신장된단결정 n-형실리콘나노와이어및 나노와이어상에적층된 p-형실리콘층을포함하는태양전지를제공한다. 따라서, 본발명에서는알루미늄기판상에복수의나노와이어를이용하여효율이높은태양전지를제조할수 있다.
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