Abstract:
본 발명의 일 측면에 따라 주석 전구체 화합물, 안티몬 전구체 화합물 및 용매를 포함하는 주석 산화물 반도체 형성용 조성물을 제공한다. 본 발명의 다른 일 측면에 따라 주석 전구체 화합물, 안티몬 전구체 화합물을 용매에 녹인 조성물을 제조하는 단계; 상기 조성물을 기판에 도포하는 단계; 및 상기 조성물이 도포된 기판을 열처리하는 단계를 포함하는 주석 산화물 반도체 박막의 형성 방법을 제공한다.
Abstract:
본 발명은 쌍극자층을 포함하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터에 관한 것으로서, 산화물 반도체 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 게이트 절연층, 산화물 채널층, 쌍극자(Dipole) 층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 쌍극자(Dipole) 층은 폴리에틸렌이민(polyethyleneimine, PEI) 용액이 상기 산화물 채널층과 상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극 중 적어도 하나의 사이에 증착되어 형성되고, 상기 사이에서 전기쌍극자를 형성하는 기술에 관한 것이다.
Abstract:
본 발명의 일 실시예에 따른 스트레처블 디스플레이 구동 장치는 스트레처블 디스플레이에 디스플레이 하고자 하는 데이터를 포함하는 제1 픽셀 구동 신호를 생성하도록 구성되는 제1 픽셀 구동 신호 생성 모듈; 상기 제1 픽셀 구동 신호를 수신하여 상기 제1 픽셀을 구동하도록 구성되는 제1 픽셀 구동 회로; 상기 스트레처블 디스플레이의 인장 여부에 따라 구동 여부가 결정될 수 있는 제2 픽셀을 구동하도록 구성되는 제2 픽셀 구동 회로; 및 상기 제1 픽셀 구동 신호 및 전원 신호를 수신하고, 상기 스트레처블 디스플레이의 인장 여부에 따라 생성된 인장 여부 신호를 기반으로 상기 제1 픽셀 구동 신호 및 상기 전원 신호 중 어느 하나를 이용하여 상기 제2 픽셀 구동 회로에 인가할 제2 픽셀 구동 신호를 생성하도록 구성되는 제2 픽셀 구동 신호 생성 모듈을 포함한다.
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본 발명은 다기능 이종접합 유기 패시베이션층(multi-functional heterogeneous organic passivation layer)을 포함하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터에 관한 것으로서, 본 발명의 일실시예에 따르면 산화물 반도체 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 게이트 절연층, 채널층, 소스 전극, 드레인 전극, 제1 패시베이션층 및 제2 패시베이션층을 포함하고, 상기 제1 패시베이션층은 상기 채널층, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 수직 증착되어 형성되고, 외부의 빛에 의해 생성된 캐리어(carrier)가 상기 채널층으로 이동하는 것을 방지하는 밴드 갭(band gap)을 갖는 유기물질을 이용하여 형성되며, 상기 제2 패시베이션층은 상기 제1 패시베이션층 상에 수직 증착되어 형성되고, 소수성을 나타내며, 외부의 물분자 및 산소와의 흡착 및 탈착을 방지하는 유기물질을 이용하여 형성하는 기술에 관한 것이다.
Abstract:
인장 정도에 따라 해상도 보정이 가능한 신축성 디스플레이 장치가 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 신축성 디스플레이 장치는: 신축성 기판; 상기 신축성 기판 상에 이격되어 배치되는 제1 발광 소자들을 포함하는 제1 발광 화소들; 상기 신축성 기판 상에 상기 제1 발광 화소들의 사이에 배치되고, 상기 신축성 기판의 인장에 따라 인장되어 변형되는 변형 스위치부들; 및 상기 신축성 기판 상에 상기 제1 발광 화소들의 사이에 배치되는 제2 발광 소자들을 포함하는 제2 발광 화소들;을 포함한다. 상기 제2 발광 화소들은 상기 변형 스위치부들의 물리적 변형에 따라 발광 제어된다.
Abstract:
본 실시예들은 기판의 외각 상부에 주변 회로를 증착하고, 중앙부에 배선을 증착하고, 주변 회로 및 배선의 상부에 평탄층을 증착하고, 평탄층에 픽셀 트랜지스터를 증착하여, 층간 절연막으로 구분된 최외각 픽셀 트랜지스터 및 주변 회로 트랜지스터의 수직 구조로 인하여 기생 커패시턴스를 최소화하고, 주변 회로층에서 주변 회로 트랜지스터가 차지하지 않는 영역에 형성된 배선의 폭을 확장시켜 저항 감소로 인한 전력 손실을 최소화하는 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공한다.
Abstract:
본 발명은 산화물 반도체 포토 트랜지스터에 용액 공정을 통해 결함이 있는 산화물 광 흡수층(Defective Oxide Ray Absorption Layer)을 도입하거나, 게이트 절연막과 산화물 반도체층 사이의 계면에 데미지(Damage)를 형성하는 계면 제어를 통해 결함이 있는 산화물 광 흡수부(Defective Oxide Ray Absorption Part)를 도입한 포토 트랜지스터와 그 제조 방법을 제공하여, 가시광 영역 대의 광 흡수 향상을 얻을 수 있다.