Abstract:
유리 기판을 불화수소산에 의해 에칭할 때 마스크로서의 레지스터를 형성하기 위해 사용되는 감광성 수지 조성물이 개시된다. 그 감광성 수지 조성물이, (A)바인더 폴리머, (B)광중합성 화합물, (C)광중합 개시제 및 (D)실란 화합물을 함유하고, 상기 (B)광중합성 화합물이, (B1)불포화기 및 이소시아눌환을 가지는 화합물을 포함한다.
Abstract:
(1) 에폭시수지 및 그 경화제 100중량부, (2) 글리시딜(메타)아크릴레이트 0.5∼6중량%를 포함하는, 유리전이온도가 -10℃ 이상이고, 중량평균분자량이 10만 이상인 에폭시기함유 아크릴공중합체 75∼300중량부, 및 (3) 잠재성 경화촉진제 0.1∼20중량부를 함유하는 접착제 ; 이 접착제의 층을 갖는 접착부재 ; 이 접착부재를 구비한 반도체탑재용 배선기판 ; 및 이것을 사용한 반도체장치.
Abstract:
A method of forming a copper wiring pattern reduced in cracking and low in resistance from copper particles which are reduced in electromigration and which themselves have a low unit price. In the method, there is almost no need of using a surface-treating agent which has been essential for the antioxidation and dispersion of copper particles. Also provided is a dispersion of copper oxide particles which is for use in the method. The method of forming a copper wiring pattern is characterized by comprising: a step in which a dispersion of copper particles each having a copper oxide surface is used to form any desired pattern on a substrate; and a step in which the copper oxide on the surface of the copper particles in the pattern is reduced to copper with atomic hydrogen and the copper metal particles generated by the reduction are sintered.
Abstract:
A composite insulating material having a dielectric constant of 10 or more which comprises a filler exhibiting two peaks in different ranges of particle diameter in the particle size distribution thereof and having a dielectric constant of 50 or more and an insulating resin; an insulating material having a dielectric constant of 10 or more which comprises 1) one or more fillers selected from the group consisting of barium titanate, strontium titanate, potassium titanate, magnesium titanate, lead titanate, titanium dioxide, barium zirconate, calcium zirconate and lead zirconate, 2) an insulating resin, and 3) a dispersant containing a carboxylic acid group; or an insulating material which comprises a filler having a dielectric constant of 50 or more, a dispersant for dispersing the filler and an insulating resin, wherein when a hardened product of the insulating material is subjected to the extraction with water at 120°C for 20 hr by the use of a pressure vessel, the resultant extract exhibits a pH of 6 or higher.
Abstract:
구리입자의 내산화, 분산에 필수였던 표면 처리제를 거의 이용하지 않고, 일렉트로마이그레이션이 적으며, 재료 자체의 단가가 저렴한 구리입자를 이용하여, 크랙의 발생을 억제하고, 낮은 저항의 구리배선 패턴 형성방법과, 그것에 이용하는 산화구리 입자 분산액을 제공한다. 기판상에, 산화구리 표면을 가지는 구리계 입자를 분산한 분산액을 이용하여 임의의 패턴을 형성하는 공정과, 상기 패턴 중의 구리계 입자 표면의 산화구리를 원자상 수소에 의해 환원하여 구리로 되돌리고, 환원되어 생성한 구리 금속입자끼리를 소결하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 구리배선 패턴 형성방법이다.
Abstract:
(1) 에폭시수지 및 그 경화제 100중량부, (2) 글리시딜(메타)아크릴레이트 0.5∼6중량%를 포함하는, 유리전이온도가 -10℃ 이상이고, 중량평균분자량이 10만 이상인 에폭시기함유 아크릴공중합체 75∼300중량부, 및 (3) 잠재성 경화촉진제 0.1∼20중량부를 함유하는 접착제 ; 이 접착제의 층을 갖는 접착부재 ; 이 접착부재를 구비한 반도체탑재용 배선기판 ; 및 이것을 사용한 반도체장치.