Abstract:
In einem Gehäuse für ein Hochspannungsfestes Leistungshalbleitermodul mit einem teilweise mit einem Isolationsmaterial (4) gefüllten Gehäuse, einem vom Isolationsmaterial (4) bedeckten Leistungshalbleiterbauelement (7), einem gasgefüllten Volumen (30) in einem Inneren des Gehäuses, einer an das gasgefüllte Volumen (30) grenzenden Oberfläche (5) des Isolationsmaterials, mindestens einer ersten elektrischen Zuleitung (1) und einer zweiten elektrischen Zuleitung (2), welche durch das gasgefüllte Volumen (30) und die Oberfläche (5) in das Isolationsmaterial (4) geführt sind, werden Kriechströme zwischen der ersten elektrischen Zuleitung (1) und der zweiten elektrischen Zuleitung (2) auf der Oberfläche (5) dadurch unterbunden, dass eine elektrisch isolierende Ausformung einer Gehäusewand (31, 32, 33) in einem Bereich zwischen der ersten elektrischen Zuleitung (1) und der zweiten elektrischen Zuleitung (2) in die Oberfläche (5) des Isolationsmaterials (4) eingesenkt ist.