Abstract:
A method for assembling a power semiconductor module with reduced partial discharge behavior is described. The method comprises the steps of bonding an insulating substrate (2) onto a bottom plate (11); disposing a first conductive layer (4) on a portion of said insulating substrate (2), so that at least one peripheral top region of said insulating substrate (2) remains uncovered by the first conductive layer (4); bonding a semiconductor chip (6) onto said first conductive layer (4); disposing a precursor (51) of a first insulating material (5) in a first corner (24) formed by said first conductive layer (4) and said peripheral region of said insulating substrate (2); polymerizing the precursor (51) of the first insulating material (5) to form the first insulating material (5); and covering said semiconductor chip (6), said substrate (2), said first conductive layer (4), and said first insulating material (5) at least partially with a second insulating material. According to the invention, the precursor (51) of the first insulating material is a low viscosity monomer or oligomer, which forms a polyimide when polymerizing. Also disclosed is a semiconductor module with reduced partial discharge behavior.
Abstract:
Das Leistungshalbleiter-Submodul (1) umfasst zwischen zwei Hauptanschlüssen (6, 7) wenigstens zwei Halbleiterchips (21, 22), welche zwei Hauptelektroden (3, 4) umfassen, wobei auf die eine Hauptelektrode (3) durch ein Kontaktstempel (8) eine Kontaktkraft ausgeübt wird und der Halbleiterchip (21, 22) so mit der anderen Hauptelektrode (4) auf eine Grundplatte (5) gedrückt wird. Die beiden Halbleiterchips (21, 22) zwischen den beiden Hauptanschlüssen (6, 7) des Leistungshalbleiter-Submoduls sind elektrisch in Serie geschaltet. Dadurch, dass die beiden Halbleiterchips wie bei herkömmlichen Press Pack Modulen nebeneinander auf der Grundplatte angeordnet sind, erhöht sich die Bauhöhe des erfindungsgemässen Leistungshalbleiter-Submoduls nicht. Hingegen wird durch die elektrische Serienschaltung die maximale Sperrspannung des Leistungshalbleiter-Submoduls erhöht.
Abstract:
Es wird eine Umrichterschaltung zur Schaltung von drei Spannungsniveaus angegeben, die einen durch zwei in Serie geschaltete Kondensatoren gebildeten Gleichspannungskreis (1) aufweist, wobei der Gleichspannungskreis (1) einen ersten Hauptanschluss (2) und einen zweiten Hauptanschluss (3) und einen durch die zwei benachbarten und miteinander verbundenen Kondensatoren gebildeten Teilanschluss (4) umfasst. Weiterhin weist die Umrichterschaltung ein für jede Phase (R, S, T) vorgesehenes Teilumrichtersystem (5) auf, welches jeweils durch eine erste Schaltgruppe (6), durch eine zweite Schaltgruppe (7) und durch eine dritte Schaltgruppe (8) gebildet ist, wobei jede Schaltgruppe (6, 7, 8) durch zwei in Serie geschaltete Leistungshalbleiterschalter (S1, S1 , S2, S2 , S3, S3 ) gebildet ist. Jede erste Schaltgruppe (6) ist mit dem ersten Hauptanschluss (2) und mit dem Teilanschluss (4) verbunden, und jede zweite Schaltgruppe (7) ist mit dem zweiten Hauptanschluss (3) und mit dem Teilanschluss (4) verbunden. Darüber hinaus ist die dritte Schaltgruppe (8) eines Teilumrichtersystems (5) mit der ersten Schaltgruppe (6) desselben Teilumrichtersystems (5) und mit der zweiten Schaltgruppe (7) desselben Teilumrichtersystems (5) verbunden.
Abstract:
In einem Gehäuse für ein Hochspannungsfestes Leistungshalbleitermodul mit einem teilweise mit einem Isolationsmaterial (4) gefüllten Gehäuse, einem vom Isolationsmaterial (4) bedeckten Leistungshalbleiterbauelement (7), einem gasgefüllten Volumen (30) in einem Inneren des Gehäuses, einer an das gasgefüllte Volumen (30) grenzenden Oberfläche (5) des Isolationsmaterials, mindestens einer ersten elektrischen Zuleitung (1) und einer zweiten elektrischen Zuleitung (2), welche durch das gasgefüllte Volumen (30) und die Oberfläche (5) in das Isolationsmaterial (4) geführt sind, werden Kriechströme zwischen der ersten elektrischen Zuleitung (1) und der zweiten elektrischen Zuleitung (2) auf der Oberfläche (5) dadurch unterbunden, dass eine elektrisch isolierende Ausformung einer Gehäusewand (31, 32, 33) in einem Bereich zwischen der ersten elektrischen Zuleitung (1) und der zweiten elektrischen Zuleitung (2) in die Oberfläche (5) des Isolationsmaterials (4) eingesenkt ist.
Abstract:
The present invention is concerned with a power supply system for railway traction applications including a multilevel AC/DC converter. The converter comprises a plurality of series-connected single-stage cycloconverters or direct AC frequency converters (20, 20', 20") connected between an AC supply line (11) and a traction transformer (21). The transformer is operable at a transformer nominal frequency below 3 kHz and above the AC line frequency. On the secondary side of the transformer, more than one parallel-connected secondary converter (22, 22', 22") are provided and connected to a DC link (23). In case of failure of one of the secondary converters, the multilevel AC/DC converter may continue to operate with reduced power delivered by the remaining operating levels.
Abstract:
The present invention is concerned with the provision of the necessary power to the gate-drives controlling the semiconductor devices of a multilevel converter used in railway traction applications. A power loop with a power-loop emitter and a power-loop receptor located in different housings and connected via a power-loop conductor that is at least partially exterior to both housings is proposed. By means of a current transformer inductively coupling the conductor to the emitter or receptor, the power-loop also provides for electrical insulation between the emitter and the receptor. The fact that emitter and receptor are distant from each other offers greater flexibility in the positioning and design of the galvanic separation between the emitter and the receptor or the supplied gate-drive, respectively. In particular, the local voltages of converter levels ranging up to the supply voltage of e.g. 21 kV RMS of the multilevel converter can thus be insulated from the global earth potential of the power-loop emitter. Several power-loop receptors can be coupled to the same power-loop conductor and thus fed by the same power-loop emitter.
Abstract:
The present invention is concerned with the cooling of a medium voltage multilevel power electronic converter for converting a single-phase high voltage of a supply line to a lower voltage of a DC link in railway traction applications. The proposed unique cooling circuit is based on the use of the same cooling fluid to cool both the transformer and the power converters of the multilevel converter. This allows to save at least one circulation pump and one heat exchanger as compared to two separate cooling circuits for the converters and the transformer. Due to its intrinsic insulating properties, oil is used as a preferred coolant. Additionally, as the power semiconductor modules are in good thermal and likewise electrical contact with cold plates that are part of the cooling circuit, the cold plates of the different converter levels are at different electrical potential and have to be insulated against each other and against ground potential by means of insulating sections provided in the pipes guiding the coolant to the individual converter levels.
Abstract:
Ein Umrichter wird mit mindestens zwei Stromrichterzweigen betrieben, wobei der Strom abwechselnd über mindestens einen ersten und über mindestens einen zweiten Stromrichterzweig fliesst. Der Zeitpunkt eines Stromnulldurchgangs in dem Umrichter wird dadurch bestimmt, dass der Strom mittels einer Vorrichtung zur Bestimmung des Zeitpunkts des Stromnulldurchgangs gemessen wird, der gemessene Stromwert in der Vorrichtung mit einem Strom-Schwellwert verglichen wird und anhand des Zeitpunkts, an dem der Stromwert den Wert des Strom-Schwellwerts vor dem Stromnulldurchgang erreicht, eine voraussichtliche Zeitdauer t von dem Erreichen des Strom-Schwellwerts bis zum Erreichen des Stromnulldurchgangs mittels der Vorrichtung berechnet wird.
Abstract:
Es wird eine Umrichterschaltung zur Schaltung von n Spannungsniveaus, wobei n ≥ 3 ist, angegeben, bei dem n-2 Verschaltpunkte (10) vorgesehen sind, wobei jedem Verschaltpunkt (10) jeweils eine Klemmschaltgruppe (8) aus jedem Teilumrichtersystem (5) der Umrichterschaltung zugeordnet ist und die zugeordneten Klemmschaltgruppen (8) mit Klemmschaltgruppenanschlüssen (9) am zugehörigen Verschaltpunkt (10) miteinander verbunden sind. Zwischen jedem Verschaltpunkt (10) und einem zugeordneten Teilanschluss (4) eines Gleichspannungskreises (1) ist ein Stromsensor (12) eingeschaltet, wobei jeder Stromsensor (12) mit einer Stromüberwachungseinrichtung (13) einer Ansteuerschaltung (11 ) verbunden ist. Darüber hinaus ist ein Verfahren zum Betrieb einer solchen Umrichterschaltung angegeben.