公开(公告)号：EP0762496B1

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：EP96810501.5

申请日：1996-07-26

Applicant: ABB RESEARCH LTD.

Inventor： Faller, Kurt ,  Frey, Toni, Dr. ,  Keser, Helmut ,  Steinruck, Ferdinand ,  Zehringer, Raymond, Dr.

IPC: H01L23/49 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L24/72 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00014

公开(公告)号：EP0762496A2

公开(公告)日：1997-03-12

申请号：EP96810501.5

申请日：1996-07-26

Applicant: ABB RESEARCH LTD.

Inventor： Faller, Kurt ,  Frey, Toni, Dr. ,  Keser, Helmut ,  Steinruck, Ferdinand ,  Zehringer, Raymond, Dr.

IPC: H01L23/49 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L24/72 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00014

Abstract: Es wird ein Leistungshalbleitermodul angegeben, bei welchem mindestens ein Halbleiterchip, welcher auf einer Grundplatte angebracht ist von je einem Kontaktstempel kontaktiert wird. Die Lage der Kontaktstempel ist entsprechend einem Abstand von den Halbleiterchips zu einem die Kon-taktstempel aufnehmenden Hauptanschluss individuell einstellbar. Die Kontaktstempel werden entweder mittels einer Feder mit Druck beaufschlagt oder mittels einer Lotschicht fixiert.

Abstract translation: 提供了一种功率半导体模块，其特征在于，其安装在底板上的至少一个半导体芯片通过一个相应的接触印模接触。 接触印模的位置是根据从所述半导体芯片的接触的寺院接收主连接的距离可单独调节的。 接触印模要么施用或通过与由焊料层固定的压力的弹簧装置。

公开(公告)号：EP1465250A1

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：EP03405223.3

申请日：2003-04-02

Applicant: ABB RESEARCH LTD.

Inventor： Hamidi, Amina ,  Knapp, Wolfgang ,  Meysenc, Luc ,  Keser, Helmut

IPC: H01L23/24 ,  H01L23/373 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L23/24 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00012

Abstract: A method for assembling a power semiconductor module with reduced partial discharge behavior is described. The method comprises the steps of bonding an insulating substrate (2) onto a bottom plate (11); disposing a first conductive layer (4) on a portion of said insulating substrate (2), so that at least one peripheral top region of said insulating substrate (2) remains uncovered by the first conductive layer (4); bonding a semiconductor chip (6) onto said first conductive layer (4); disposing a precursor (51) of a first insulating material (5) in a first corner (24) formed by said first conductive layer (4) and said peripheral region of said insulating substrate (2); polymerizing the precursor (51) of the first insulating material (5) to form the first insulating material (5); and covering said semiconductor chip (6), said substrate (2), said first conductive layer (4), and said first insulating material (5) at least partially with a second insulating material. According to the invention, the precursor (51) of the first insulating material is a low viscosity monomer or oligomer, which forms a polyimide when polymerizing. Also disclosed is a semiconductor module with reduced partial discharge behavior.

Abstract translation: 描述了一种用于组装具有降低的局部放电行为的功率半导体模块的方法。 所述方法包括键合步骤到一个底板绝缘基板（2）（11）; 布置在所述的部分上的第一导电层（4）绝缘性基板（2）一样，所述至少一个外围顶部区域绝缘基板（2）保持由所述第一导电层覆盖（4）; 到所述接合的半导体芯片（6）的第一导电层（4）; 通过形成在所述第一导电层中的第一角（24）上设置第一绝缘材料（5）的前体（51）（4）和所述的周边区域绝缘基板（2）; 聚合所述第一绝缘材料（5）的前体（51），以形成第一绝缘材料（5）; 并覆盖所述半导体芯片（6），所述基板（2），所述第一导体层（4），并且所述第一绝缘材料（5）至少部分地与第二绝缘材料。 。根据本发明，第一绝缘材料的前体（51）是一种低粘度单体或低聚物，其形成聚酰亚胺聚合时。 游离缺失所以盘是具有降低的局部放电行为的半导体模块。

公开(公告)号：EP1424728A1

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：EP02406028.7

申请日：2002-11-27

Applicant: ABB RESEARCH LTD.

Inventor： Knapp, Wolfgang ,  Keser, Helmut

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/293 ,  H01L23/3142 ,  H01L25/162 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein Leistungshalbleitermodul mit einem aus einem aushärtbaren Vergusskunststoff gebildeten Gehäuse (1) und mit einer Grundplatte (2) angegeben, wobei auf einem Teil der dem Gehäuse (1) zugewandten Fläche der Grundplatte (2) elektrische Leistungshalbleiterbauelemente (4) über eine isolierende Schicht (5) angebracht sind. Zumindest der Teil der dem Gehäuse (1) zugewandten Fläche der Grundplatte (2) mit den angebrachten elektrischen Leistungshalbleiterbauelementen (4) ist mit dem Gehäuse () vergossen, wobei der aushärtbare Vergusskunststoff ein thermoplastischer Schmelzklebstoff ist.

Abstract translation: 封装半导体模块的方法具有通过绝缘层（5）安装在支撑基座（2）上并使用热塑性粘合剂来模制壳体（1）并封装模块的模块（4）。 一些电路板等（7）也与电连接一样被结合到壳体中。 外壳和封装在150和220度之间浇铸成型。 并且压力低于注射成型的压力。

公开(公告)号：EP0762496A3

公开(公告)日：1999-05-06

申请号：EP96810501.5

申请日：1996-07-26

Applicant: ABB RESEARCH LTD.

Inventor： Faller, Kurt ,  Frey, Toni, Dr. ,  Keser, Helmut ,  Steinruck, Ferdinand ,  Zehringer, Raymond, Dr.

IPC: H01L23/49 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L24/72 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00014

Abstract: Es wird ein Leistungshalbleitermodul angegeben, bei welchem mindestens ein Halbleiterchip, welcher auf einer Grundplatte angebracht ist von je einem Kontaktstempel kontaktiert wird. Die Lage der Kontaktstempel ist entsprechend einem Abstand von den Halbleiterchips zu einem die Kon-taktstempel aufnehmenden Hauptanschluss individuell einstellbar. Die Kontaktstempel werden entweder mittels einer Feder mit Druck beaufschlagt oder mittels einer Lotschicht fixiert.

Abstract translation: 指定功率半导体模块，其中安装在基板上的至少一个半导体芯片通过相应的接触冲头接触。 接触印模的位置可根据从半导体芯片到接收接触印模的主终端的距离而单独调节。 接触印章通过弹簧加压或通过焊料层固定。