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    HALBLEITERSCHALTERANORDNUNG
    1.
    发明申请
    HALBLEITERSCHALTERANORDNUNG 审中-公开
    半导体开关装置

    公开(公告)号：WO2004102806A1

    公开(公告)日：2004-11-25

    申请号：PCT/CH2004/000301

    申请日：2004-05-18

    Applicant: ABB TECHNOLOGY AG ,  SCHLAPBACH Ulrich ,  SCHNELL, Raffael

    Inventor： SCHLAPBACH Ulrich ,  SCHNELL, Raffael

    IPC: H03K17/16

    CPC classification number: H03K17/127

    Abstract: Bei einer elektronischen Schaltung, umfassend eine Ansteuereinheit (20), welche mindes­tens ein Ansteuersignal erzeugt, zwei oder mehrere durch das Ansteuersignal synchron schaltbare Leistungshalbleiterschalter (T 1 , T 2 , T 3 ) mit je einem ersten und einem zweiten Hauptanschluss, wobei die ersten und die zweiten Hauptanschlüsse der Leistungshalbleiter­schalter (T 1 , T 2 , T 3 ) jeweils untereinander elektrisch parallel geschaltet sind, für jeden der Leistungshalbleiterschalter (T 1 , T 2 , T 3 ) eine erste und eine zweite elektrisch leitende Verbin­dung zum Anschluss an die Ansteuereinheit (20), wird eine gleichmässige dynamische Stromaufteilung auf die Leistungshalbleiterschalter (T 1 , T 2 , T 3 ) erfindungsgemäss dadurch erreicht, dass in jeder der ersten elektrisch leitenden Verbindungen eine erste Induktivität vorgesehen ist und in jeder der zweiten elektrisch leitenden Verbindungen eine zweite Induk­tivität vorgesehen ist, wobei für jeden der Leistungshalbleiterschalter die erste Induktivität mit der zweiten Induktivität gekoppelt ist.

    Abstract translation: 在包括一个控制单元（20）的电子电路，其产生至少一个驱动信号，两个或多个同步换挡由驱动信号的功率半导体开关（T1，T2，T3），每个具有第一和第二主端子，所述第一和第二主端子 功率半导体开关（T1，T2，T3）分别并联电连接彼此，对于每个功率半导体开关（T1，T2，T3），具有第一和用于连接到所述控制单元（20）的第二导电连接的，均匀的动态电流分配是 根据本发明的功率半导体开关（T1，T2，T3）达到，即一个第一电感在每一个第一导电连接的提供，并在每个第二导电连接的设置的第二电感器，其中，对于每个所述第一电感的功率半导体开关的 两者均耦合到第二电感器。

    POWER SEMICONDUCTOR MODULE
    3.
    发明申请
    POWER SEMICONDUCTOR MODULE 审中-公开
    功率半导体模块

    公开(公告)号：WO2015007507A1

    公开(公告)日：2015-01-22

    申请号：PCT/EP2014/063843

    申请日：2014-06-30

    Applicant: ABB TECHNOLOGY AG

    Inventor： PÂQUES, Gontran ,  TRÜSSEL, Dominik ,  BATINIC, Klaudio ,  SCHNELL, Raffael ,  EHRBAR, Roman

    IPC: H01L23/24 ,  H01L25/16 ,  H01L23/16

    CPC classification number: H01L23/24 ,  H01L23/16 ,  H01L24/73 ,  H01L25/162 ,  H01L25/165 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

    Abstract: The present invention provides a Power semiconductor module, comprising a baseplate equipped with metallizations that are electrically isolated towards the baseplate; at least one power semiconductor device being arranged on a metallization; a circuit board (12) with at least one circuit component, the circuit board having a connection area for connecting at least one circuit component to a metallization by means of a bond wire (18), wherein the circuit board (12) is mounted spaced apart from at least one power semiconductor device; a frame (16) for supporting the circuit board, and a housing for enclosing the power semiconductor module, wherein the housing is filled with an insulating gel, and wherein at least the connection area is immovably fixed to the frame (16). Such a power semiconductor module may provide a significantly increased resistance against thermocycling effects and may particularly withstand even huge amounts of expansion and contracting cycles of the insulating gel.

    Abstract translation: 本发明提供一种功率半导体模块，其包括配备有朝向基板电隔离的金属化的基板; 至少一个功率半导体器件布置在金属化上; 具有至少一个电路部件的电路板（12），所述电路板具有用于通过接合线（18）将至少一个电路部件连接到金属化的连接区域，其中所述电路板（12）间隔开地安装 除了至少一个功率半导体器件; 用于支撑电路板的框架（16）和用于封闭功率半导体模块的壳体，其中壳体填充有绝缘凝胶，并且其中至少连接区域不可移动地固定到框架（16）。 这样的功率半导体模块可以提供显着增加的耐热循环效应的电阻，并且可以特别地承受绝缘凝胶的甚至大量的膨胀和收缩循环。

    LEISTUNGSHALBLEITERMODUL UND KONTAKTIERUNGSANORDNUNG
    4.
    发明申请
    LEISTUNGSHALBLEITERMODUL UND KONTAKTIERUNGSANORDNUNG 审中-公开
    功率半导体模块与接触装置

    公开(公告)号：WO2014090686A1

    公开(公告)日：2014-06-19

    申请号：PCT/EP2013/075711

    申请日：2013-12-05

    Applicant: ABB TECHNOLOGY AG

    Inventor： HARTMANN, Samuel ,  TRÜSSEL, Dominik ,  SCHNELL, Raffael

    IPC: H01L25/07

    CPC classification number: H01L25/072 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: Ein Leistungshalbleitermodul umfasst eine Anzahl N parallel zu einer Basisebene angeordneter Leistungshalbleiter-Schaltelemente, von denen jedes eine Anzahl an Schaltelement-Kontakten aufweist, umfassend einen Steuerkontakt, einen ersten Leistungskontakt und einen zweiten Leistungskontakt wobei mittels einer zwischen Steuerkontakt und erstem Leistungskontakt anliegenden Steuerspannung ein Strom zwischen den Leistungskontakten schaltbar ist; eine Kontaktierungsanordnung zur Kontaktierung der Schaltelement-Kontakte, umfassend: ein erstes Verbindungsblech, welches N erste Kontakte aufweist, über welche es elektrisch leitend mit den Steuerkontakten der N Leistungshalbleiter-Schaltelemente verbunden ist, ein zweites Verbindungsblech, welches N zweite Kontakte aufweist, über welche es elektrisch leitend mit den ersten Leistungskontakten der N Leistungshalbleiter-Schaltelemente verbunden ist, ein drittes Verbindungsblech, welches n dritte Kontakte aufweist, über welche es elektrisch leitend mit zweiten Leistungskontakten zumindest einer Teilmenge enthaltend n N der N Leistungshalbleiter-Schaltelemente verbunden ist; und wobei zum Anlegen einer Steuer-Sollspannung zwischen den Steuerkontakten und den ersten Leistungskontakten der Leistungshalbleiter-Schaltelemente ein Referenzanschluss am zweiten Verbindungsblech vorgesehen ist, welcher über die zweiten Kontakte elektrisch leitend mit den ersten Leistungskontakten der N Leistungshalbleiter-Schaltelemente verbunden ist.

    Abstract translation: 一种功率半导体模块包括多个N个并行的以一个基本平面配置功率半导体开关元件，其每一个具有多个开关元件接触，包括控制触点，第一电触头和通过控制触点之间的第一电触头的控制电压之间的电压与电流的第二电源触头 被切换到电源触点; 一个用于接触所述开关元件接触，包括使装置：具有N个第一触点的第一连接板，通过它与所述N个功率半导体开关元件的控制端子电连接的，具有N个第二触点的第二连接板，经由该 导电地连接到所述N个功率半导体的第一电源触头开关元件，具有n个第三触点的第三连接片，通过它包含n <= N个功率半导体开关元件的N被导电地连接到所述第二电源触头的至少一个子集; 和被设置用于控制器触点和开关元件的功率半导体的第一电源触点之间施加控制电压指令，在第二连接板，其导电地经由与N个功率半导体开关元件的第一功率接触第二触点连接的参考端口。

    INTELLIGENT GATE DRIVER FOR IGBT
    5.
    发明申请
    INTELLIGENT GATE DRIVER FOR IGBT 审中-公开
    IGBT智能门驱动器

    公开(公告)号：WO2013075737A1

    公开(公告)日：2013-05-30

    申请号：PCT/EP2011/070696

    申请日：2011-11-22

    Applicant: ABB TECHNOLOGY AG ,  HOSINI, Falah ,  MOHAN, Madhan ,  PAMULAPATI, Siva Nagi Reddy ,  KOPTA, Arnost ,  RAHIMO, Munaf ,  SCHNELL, Raffael ,  SCHLAPBACH, Ulrich

    Inventor： HOSINI, Falah ,  MOHAN, Madhan ,  PAMULAPATI, Siva Nagi Reddy ,  KOPTA, Arnost ,  RAHIMO, Munaf ,  SCHNELL, Raffael ,  SCHLAPBACH, Ulrich

    IPC: H03K17/0812 ,  H03K17/082 ,  H03K17/18 ,  H03K17/567

    CPC classification number: H03K3/012 ,  H03K17/08128 ,  H03K17/0828 ,  H03K17/18 ,  H03K17/567 ,  H03K2217/0027 ,  H03K2217/0036

    Abstract: A reverse-conducting insulated gate bipolar transistor (RC-IGBT), particularly a bi-mode insulated gate transistor (BIGT), is controlled by responding to an ON command by applying high-level gate voltage for a first period (51 ), during which a current is fed into a connection point, from which it flows either through the RC-IGBT or along a different path. Based hereon, it is determined whether the RC-IGBT conducts in its forward/IGBT or reverse/diode mode, and the RC-IGBT is either driven at high (a) or low (b) gate voltage. Subsequent conduction mode changes may be monitored in the same way, and the gate voltage may be adjusted accordingly (c, d). A special turn-off procedure may be applied in response to an OFF command in cases where the RC- IGBT conducts in the reverse mode, wherein a high-level pulse is applied for a second period (52) before the gate voltage goes down to turn-off level (b, c).

    Abstract translation: 通过在第一周期（51）中施加高电平栅极电压来响应于ON命令来控制反向导通绝缘栅双极晶体管（RC-IGBT），特别是双模绝缘栅晶体管（BIGT） 电流被馈送到连接点，从该电流流过RC-IGBT或沿着不同的路径流动。 基于此，确定RC-IGBT是在正向/ IGBT还是反向/二极管模式下导通，并且RC-IGBT是以高（a）还是低（b）栅极电压驱动。 可以以相同的方式监视随后的导通模式改变，并且可以相应地调整栅极电压（c，d）。 在RC-IGBT以反向模式导通的情况下，可以响应于OFF命令应用特殊的关断过程，其中在栅极电压下降到第二周期（52）之前施加高电平脉冲 关闭级别（b，c）。

    HALBLEITERSCHALTERANORDNUNG
    7.
    发明授权
    HALBLEITERSCHALTERANORDNUNG 有权

    公开(公告)号：EP1625660B1

    公开(公告)日：2006-12-13

    申请号：EP04733520.3

    申请日：2004-05-18

    Applicant: ABB Technology AG

    Inventor： SCHLAPBACH Ulrich ,  SCHNELL, Raffael

    IPC: H03K17/16

    CPC classification number: H03K17/127

    Abstract: The invention relates to an electronic circuit, comprising a control unit (20), which generates at least one control signal, and two or more power semiconductor switches (T1, T2, T3) each having a first and a second main connection. The first and second main connections of the power semiconductor switches (T1, T2, T3) are electrically connected in parallel to one another. A first and a second electrically conductive connection for connecting to the control unit (20) is provided for each of the power semiconductor switches (T1, T2, T3). The aim of the invention is to achieve an equal dynamic distribution of current to the power semiconductor switches (T1, T2, T3). To this end, a first inductive resistor is provided in each of the first electrically conductive connections, and a second inductive resistor is provided in each of the second electrically conductive connections, whereby for each of the power semiconductor switches, the first inductive resistor is coupled to the second inductive resistor.

    Abstract translation: 本发明涉及一种电子电路，其包括产生至少一个控制信号的控制单元（20），以及分别具有第一和第二主连接的两个或更多个功率半导体开关（T1，T2，T3）。 功率半导体开关（T1，T2，T3）的第一和第二主连接彼此并联电连接。 为每个功率半导体开关（T1，T2，T3）提供用于连接到控制单元（20）的第一和第二导电连接。 本发明的目的是实现到功率半导体开关（T1，T2，T3）的电流的相等的动态分配。 为此，在每个第一导电连接中提供第一电感电阻器，并且在每个第二导电连接中提供第二电感电阻器，由此对于每个功率半导体开关，第一电感电阻器被耦合 到第二个感应电阻。

    HALBLEITERSCHALTERANORDNUNG
    8.
    发明公开
    HALBLEITERSCHALTERANORDNUNG 有权
    半导体开关装置

    公开(公告)号：EP1625660A1

    公开(公告)日：2006-02-15

    申请号：EP04733520.3

    申请日：2004-05-18

    Applicant: ABB Technology AG

    Inventor： SCHLAPBACH Ulrich ,  SCHNELL, Raffael

    IPC: H03K17/16

    CPC classification number: H03K17/127

    Abstract: The invention relates to an electronic circuit, comprising a control unit (20), which generates at least one control signal, and two or more power semiconductor switches (T1, T2, T3) each having a first and a second main connection. The first and second main connections of the power semiconductor switches (T1, T2, T3) are electrically connected in parallel to one another. A first and a second electrically conductive connection for connecting to the control unit (20) is provided for each of the power semiconductor switches (T1, T2, T3). The aim of the invention is to achieve an equal dynamic distribution of current to the power semiconductor switches (T1, T2, T3). To this end, a first inductive resistor is provided in each of the first electrically conductive connections, and a second inductive resistor is provided in each of the second electrically conductive connections, whereby for each of the power semiconductor switches, the first inductive resistor is coupled to the second inductive resistor.

    INTELLIGENT GATE DRIVER FOR IGBT
    9.
    发明公开
    INTELLIGENT GATE DRIVER FOR IGBT 有权
    智能门盖 - TREIBERFÜRIGBT

    公开(公告)号：EP2783463A1

    公开(公告)日：2014-10-01

    申请号：EP11787676.3

    申请日：2011-11-22

    Applicant: ABB Technology AG

    Inventor： HOSINI, Falah ,  MOHAN, Madhan ,  PAMULAPATI, Siva Nagi Reddy ,  KOPTA, Arnost ,  RAHIMO, Munaf ,  SCHNELL, Raffael ,  SCHLAPBACH, Ulrich

    IPC: H03K17/0812 ,  H03K17/082 ,  H03K17/18 ,  H03K17/567

    CPC classification number: H03K3/012 ,  H03K17/08128 ,  H03K17/0828 ,  H03K17/18 ,  H03K17/567 ,  H03K2217/0027 ,  H03K2217/0036

    Abstract: A reverse-conducting insulated gate bipolar transistor, particularly a bi-mode insulated gate transistor, is controlled by responding to an ON command by applying high-level gate voltage for a first period, during which a current is fed into a connection point, from which it flows either through the RC-IGBT or along a different path. Based hereon, it is determined whether the RC-IGBT conducts in its forward/IGBT or reverse/diode mode, and the RC-IGBT is either driven at high or low gate voltage. Subsequent conduction mode changes may be monitored in the same way, and the gate voltage may be adjusted accordingly. A special turn-off procedure may be applied in response to an OFF command in cases where the RC-IGBT conducts in the reverse mode, wherein a high-level pulse is applied for a second period before the gate voltage goes down to turn-off level.

    Abstract translation: 反向导通绝缘栅双极晶体管，特别是双模绝缘栅晶体管，通过在第一周期内施加高电平栅极电压来响应于ON命令来控制，在此期间，电流被馈送到连接点 其通过RC-IGBT或沿着不同的路径流动。 基于此，确定RC-IGBT是在其正向/ IGBT还是反向/二极管模式下导通，并且RC-IGBT是在高或低栅极电压下驱动的。 可以以相同的方式监视随后的导通模式改变，并且可以相应地调整栅极电压。 在RC-IGBT以反向模式进行的情况下，可以响应于OFF命令应用特殊的关断程序，其中在栅极电压下降至关断之前第二个周期施加高电平脉冲 水平。

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