公开(公告)号：CN109643652B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN201780044443.2

申请日：2017-07-14

Applicant: ASM IP控股有限公司

Inventor： V·珀尔 ,  W·科内鹏 ,  B·琼布罗德 ,  D·皮尔勒 ,  G·范德尔斯达 ,  铃木俊哉

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/455

Abstract: 提供一种通过在反应室中提供基底并进行以下操作来填充一个或多个间隙的方法：以第一剂量将第一反应物引入到所述基底上，由此在第一区域上由所述第一反应物形成不超过约一个单层；以第二剂量将第二反应物引入到所述基底上，由此在表面的第二区域上由所述第二反应物形成不超过约一个单层，其中所述第一和所述第二区域在其中所述第一和第二反应物发生反应的重叠区域中重叠，并留下其中所述第一和所述第二区域不重叠的初始未反应区域；及以第三剂量将第三反应物引入到所述基底上，所述第三反应物与残留的在所述初始未反应区域上的所述第一或第二反应物发生反应。

公开(公告)号：CN109690744B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN201780043306.7

申请日：2017-07-14

Applicant: ASM IP控股有限公司

Inventor： V·珀尔 ,  W·科内鹏 ,  B·琼布罗德 ,  D·皮尔勒 ,  S·范阿尔德 ,  S·霍卡 ,  深泽笃毅 ,  福田秀明

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/455

Abstract: 根据本发明，提供了一种通过提供沉积方法来填充在基底上制造特征期间形成的一个或多个间隙的方法，所述沉积方法包括：以第一剂量将第一反应物引入到所述基底上，由此由所述第一反应物形成不超过约一个单层；以第二剂量将第二反应物引入到所述基底上。所述第一反应物以亚饱和第一剂量引入，从而仅到达所述一个或多个间隙的表面的顶部区域，并且所述第二反应物以饱和第二剂量引入，从而到达所述一个或多个间隙的表面的底部区域。可以以第三剂量将第三反应物提供至反应室中的所述基底，所述第三反应物与所述第一和第二反应物中的至少一种反应。

公开(公告)号：CN109690744A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201780043306.7

申请日：2017-07-14

Applicant: ASM ,  IP控股有限公司

Inventor： V·珀尔 ,  W·科内鹏 ,  B·琼布罗德 ,  D·皮尔勒 ,  S·范阿尔德 ,  S·霍卡 ,  深泽笃毅 ,  福田秀明

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/045 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45542 ,  H01J37/32009 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02299 ,  H01L21/76224

Abstract: 根据本发明，提供了一种通过提供沉积方法来填充在基底上制造特征期间形成的一个或多个间隙的方法，所述沉积方法包括：以第一剂量将第一反应物引入到所述基底上，由此由所述第一反应物形成不超过约一个单层；以第二剂量将第二反应物引入到所述基底上。所述第一反应物以亚饱和第一剂量引入，从而仅到达所述一个或多个间隙的表面的顶部区域，并且所述第二反应物以饱和第二剂量引入，从而到达所述一个或多个间隙的表面的底部区域。可以以第三剂量将第三反应物提供至反应室中的所述基底，所述第三反应物与所述第一和第二反应物中的至少一种反应。

公开(公告)号：CN109643652A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780044443.2

申请日：2017-07-14

Applicant: ASM ,  IP控股有限公司

Inventor： V·珀尔 ,  W·科内鹏 ,  B·琼布罗德 ,  D·皮尔勒 ,  G·范德尔斯达 ,  铃木俊哉

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/50 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/76224

Abstract: 提供一种通过在反应室中提供基底并进行以下操作来填充一个或多个间隙的方法：以第一剂量将第一反应物引入到所述基底上，由此在第一区域上由所述第一反应物形成不超过约一个单层；以第二剂量将第二反应物引入到所述基底上，由此在表面的第二区域上由所述第二反应物形成不超过约一个单层，其中所述第一和所述第二区域在其中所述第一和第二反应物发生反应的重叠区域中重叠，并留下其中所述第一和所述第二区域不重叠的初始未反应区域；及以第三剂量将第三反应物引入到所述基底上，所述第三反应物与残留的在所述初始未反应区域上的所述第一或第二反应物发生反应。