公开(公告)号：TW201601216A

公开(公告)日：2016-01-01

申请号：TW104131335

申请日：2010-01-21

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 米利根羅伯特B. ,  MILLIGAN,ROBERT B. ,  李東 ,  LI,DONG ,  馬庫斯史蒂芬 ,  MARCUS,STEVEN

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/562 ,  C23C16/32 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明提供使用電漿加強原子層沈積（PEALD）在介電層上形成導電金屬層的方法，以及相關組合物及結構。在藉由PEALD沈積所述導電層之前，藉由非電漿原子層沈積（ALD）製程將電漿障壁層沈積於所述介電層上。所述電漿障壁層減少或防止所述PEALD製程中之電漿反應物對所述介電層之有害影響，且可加強黏合。可在所述非電漿ALD製程及所述PEALD製程兩者中使用相同的金屬反應物。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供使用等离子加强原子层沉积（PEALD）在介电层上形成导电金属层的方法，以及相关组合物及结构。在借由PEALD沉积所述导电层之前，借由非等离子原子层沉积（ALD）制程将等离子障壁层沉积于所述介电层上。所述等离子障壁层减少或防止所述PEALD制程中之等离子反应物对所述介电层之有害影响，且可加强黏合。可在所述非等离子ALD制程及所述PEALD制程两者中使用相同的金属反应物。

公开(公告)号：TW201037768A

公开(公告)日：2010-10-16

申请号：TW099101667

申请日：2010-01-21

Applicant: ASM美國股份有限公司

Inventor： 米利根 羅伯特B ,  李東 ,  馬庫斯 史蒂芬

IPC: H01L

CPC classification number: H01L23/562 ,  C23C16/32 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明提供使用電漿加強原子層沈積（PEALD）在介電層上形成導電金屬層的方法，以及相關組合物及結構。在藉由PEALD沈積所述導電層之前，藉由非電漿原子層沈積（ALD）製程將電漿障壁層沈積於所述介電層上。所述電漿障壁層減少或防止所述PEALD製程中之電漿反應物對所述介電層之有害影響，且可加強黏合。可在所述非電漿ALD製程及所述PEALD製程兩者中使用相同的金屬反應物。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供使用等离子加强原子层沉积（PEALD）在介电层上形成导电金属层的方法，以及相关组合物及结构。在借由PEALD沉积所述导电层之前，借由非等离子原子层沉积（ALD）制程将等离子障壁层沉积于所述介电层上。所述等离子障壁层减少或防止所述PEALD制程中之等离子反应物对所述介电层之有害影响，且可加强黏合。可在所述非等离子ALD制程及所述PEALD制程两者中使用相同的金属反应物。

公开(公告)号：TW201000667A

公开(公告)日：2010-01-01

申请号：TW098112674

申请日：2009-04-16

Applicant: ASM美國股份有限公司

Inventor： 李東 ,  馬庫斯 史蒂芬 ,  賀加 蘇維P ,  林偉民

IPC: C23C ,  H01L

CPC classification number: C23C16/32 ,  C23C16/45527 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L29/4966

Abstract: 所提供的為形成金屬碳化物膜的方法。在一些實施例中，基板可暴露於過渡金屬物種與鋁烴化合物的多個交替脈衝，其中鋁烴化合物例如是TMA、DMAH或TEA。藉由選擇鋁烴化合物可以實現具有多個所需特性的金屬碳化物膜，例如鋁濃度、電阻、附著性與抗氧化性。在一些實施例中，可使用上述方法形成金屬碳化物層，以決定快閃記憶體中控制閘的功函數。

Abstract in simplified Chinese: 所提供的为形成金属碳化物膜的方法。在一些实施例中，基板可暴露于过渡金属物种与铝烃化合物的多个交替脉冲，其中铝烃化合物例如是TMA、DMAH或TEA。借由选择铝烃化合物可以实现具有多个所需特性的金属碳化物膜，例如铝浓度、电阻、附着性与抗氧化性。在一些实施例中，可使用上述方法形成金属碳化物层，以决定闪存中控制闸的功函数。

公开(公告)号：TWI578398B

公开(公告)日：2017-04-11

申请号：TW104131335

申请日：2010-01-21

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 米利根羅伯特B. ,  MILLIGAN,ROBERT B. ,  李東 ,  LI,DONG ,  馬庫斯史蒂芬 ,  MARCUS,STEVEN

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/562 ,  C23C16/32 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00