公开(公告)号：TW559890B

公开(公告)日：2003-11-01

申请号：TW091120831

申请日：2002-09-12

Applicant: ASM美國股份有限公司

Inventor： 凱 艾瑞克 愛爾斯 ,  林偉民

IPC: H01L

CPC classification number: C23C16/45534 ,  C23C16/34 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76876 ,  H01L23/53238 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24331 ,  H01L2924/00

Abstract: 一種提供生長共形金屬薄膜(150)的方法，包括金屬氮化物、金屬碳化物及金屬碳氮化物薄膜，特別是提供由侵略性的化學品生長薄膜的方法。腐蝕性化學品例如是鹵化氫，其會在不同的表面例如是金屬及氧化物上沉積過渡金屬、過渡金屬碳化物、過渡金屬氮化物及過渡金屬碳氮化物薄膜期間被還原。雜質吸收劑化合物保護對鹵化氫及鹵化胺敏感的表面以抗腐蝕，此敏感的表面例如是沉積鋁、銅、氧化矽的表面。也揭露奈米層結構併入金屬薄膜及其形成的方法。

Abstract in simplified Chinese: 一种提供生长共形金属薄膜(150)的方法，包括金属氮化物、金属碳化物及金属碳氮化物薄膜，特别是提供由侵略性的化学品生长薄膜的方法。腐蚀性化学品例如是卤化氢，其会在不同的表面例如是金属及氧化物上沉积过渡金属、过渡金属碳化物、过渡金属氮化物及过渡金属碳氮化物薄膜期间被还原。杂质吸收剂化合物保护对卤化氢及卤化胺敏感的表面以抗腐蚀，此敏感的表面例如是沉积铝、铜、氧化硅的表面。也揭露奈米层结构并入金属薄膜及其形成的方法。

公开(公告)号：TWI488990B

公开(公告)日：2015-06-21

申请号：TW098112674

申请日：2009-04-16

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 李 東 ,  LI, DONG ,  馬庫斯 史蒂芬 ,  MARCUS, STEVEN ,  賀加 蘇維P ,  HAUKKA, SUVI P. ,  林偉民 ,  LI, WEI-MIN

IPC: C23C16/32 ,  H01L21/283

CPC classification number: C23C16/32 ,  C23C16/45527 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L29/4966

公开(公告)号：TW201000667A

公开(公告)日：2010-01-01

申请号：TW098112674

申请日：2009-04-16

Applicant: ASM美國股份有限公司

Inventor： 李東 ,  馬庫斯 史蒂芬 ,  賀加 蘇維P ,  林偉民

IPC: C23C ,  H01L

CPC classification number: C23C16/32 ,  C23C16/45527 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L29/4966

Abstract: 所提供的為形成金屬碳化物膜的方法。在一些實施例中，基板可暴露於過渡金屬物種與鋁烴化合物的多個交替脈衝，其中鋁烴化合物例如是TMA、DMAH或TEA。藉由選擇鋁烴化合物可以實現具有多個所需特性的金屬碳化物膜，例如鋁濃度、電阻、附著性與抗氧化性。在一些實施例中，可使用上述方法形成金屬碳化物層，以決定快閃記憶體中控制閘的功函數。

Abstract in simplified Chinese: 所提供的为形成金属碳化物膜的方法。在一些实施例中，基板可暴露于过渡金属物种与铝烃化合物的多个交替脉冲，其中铝烃化合物例如是TMA、DMAH或TEA。借由选择铝烃化合物可以实现具有多个所需特性的金属碳化物膜，例如铝浓度、电阻、附着性与抗氧化性。在一些实施例中，可使用上述方法形成金属碳化物层，以决定闪存中控制闸的功函数。