公开(公告)号：TWI463538B

公开(公告)日：2014-12-01

申请号：TW098114220

申请日：2009-04-29

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 史考特 羅賓 查理斯 ,  SCOTT, ROBIN CHARIS ,  強森 梅特 ,  JOHNSON, MATT

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/02 ,  C23C16/46

CPC classification number: H01L21/02661 ,  C23C16/0209 ,  C30B25/186 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  C30B33/12 ,  H01L21/02381

公开(公告)号：TW201003748A

公开(公告)日：2010-01-16

申请号：TW098114220

申请日：2009-04-29

Applicant: ASM美國股份有限公司

Inventor： 史考特 羅賓 查理斯 ,  強森 梅特

IPC: H01L ,  C23C

CPC classification number: H01L21/02661 ,  C23C16/0209 ,  C30B25/186 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  C30B33/12 ,  H01L21/02381

Abstract: 用以低壓烘烤以於沉積之前移除半導體表面的雜質的方法與系統。短暫且低溫的製程有利地只消耗少量的熱預算，同時仍有效地從半導體的表面移除界面氧。此方法與系統特別適合於磊晶之前用來處理半導體的表面。

Abstract in simplified Chinese: 用以低压烘烤以于沉积之前移除半导体表面的杂质的方法与系统。短暂且低温的制程有利地只消耗少量的热预算，同时仍有效地从半导体的表面移除界面氧。此方法与系统特别适合于磊晶之前用来处理半导体的表面。