半導體製程室中減少污染的方法及其裝置 METHOD AND APPARATUS FOR MINIMIZING CONTAMINATION IN SEMICONDUCTOR PROCESSING CHAMBER
    2.
    发明专利
    半導體製程室中減少污染的方法及其裝置 METHOD AND APPARATUS FOR MINIMIZING CONTAMINATION IN SEMICONDUCTOR PROCESSING CHAMBER 审中-公开
    半导体制程室中减少污染的方法及其设备 METHOD AND APPARATUS FOR MINIMIZING CONTAMINATION IN SEMICONDUCTOR PROCESSING CHAMBER

    公开(公告)号:TW201034107A

    公开(公告)日:2010-09-16

    申请号:TW099101229

    申请日:2010-01-18

    IPC: H01L

    CPC classification number: H01L21/68764 H01L21/68742

    Abstract: 一種半導體處理裝置包含反應室、裝載室、可移動支撐件、驅動機構及控制系統。反應室包含底板,底板包含開口。可移動支撐件經組態以固持工件。驅動機構經組態以使固持於支撐件上之工件朝向底板之開口移動至處理位置。控制系統經組態以當工件支撐件處於運動中時,在反應室與裝載室之間形成正壓力梯度。當工件支撐件處於運動中時,淨化氣體自反應室流入裝載室中。控制系統經組態以當處理工件時,在反應室與裝載室之間形成負壓力梯度。當工件支撐件處於處理位置時,淨化氣體可自裝載室流入反應室中,除非在處理位置中使反應室自裝載室密封開。

    Abstract in simplified Chinese: 一种半导体处理设备包含反应室、装载室、可移动支撑件、驱动机构及控制系统。反应室包含底板,底板包含开口。可移动支撑件经组态以固持工件。驱动机构经组态以使固持于支撑件上之工件朝向底板之开口移动至处理位置。控制系统经组态以当工件支撑件处于运动中时,在反应室与装载室之间形成正压力梯度。当工件支撑件处于运动中时,净化气体自反应室流入装载室中。控制系统经组态以当处理工件时,在反应室与装载室之间形成负压力梯度。当工件支撑件处于处理位置时,净化气体可自装载室流入反应室中,除非在处理位置中使反应室自装载室密封开。

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