公开(公告)号：TW200808995A

公开(公告)日：2008-02-16

申请号：TW096119274

申请日：2007-05-30

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 托馬西尼 皮爾瑞 TOMASINI, PIERRE ,  艾倫奈 權特爾 ARENA, CHANTAL ,  波爾 麥特喜愛斯 BAUER, MATTHIAS ,  寇帝 奈爾 CODY, NYLES ,  培特朗 羅奈爾德 BERTRAM, RONALD ,  溫建青 WEN, JIANQING

IPC: C23C ,  C30B ,  H01L

CPC classification number: H01L21/28518 ,  C23C16/04 ,  C23C16/24 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639

Abstract: 在選擇性沈積薄膜之方法以及系統帤使用氯化聚矽烷,述薄膜可用於製造諸如微電子及/或微機電系統(MEMS)之各種裝置。

Abstract in simplified Chinese: 在选择性沉积薄膜之方法以及系统帤使用氯化聚硅烷,述薄膜可用于制造诸如微电子及/或微机电系统(MEMS)之各种设备。

公开(公告)号：TW200710950A

公开(公告)日：2007-03-16

申请号：TW095103696

申请日：2006-02-03

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 波爾 麥特喜愛斯 BAUER, MATTHIAS ,  艾倫奈 權特爾 ARENA, CHANTAL ,  培特朗 羅奈爾德 BERTRAM, RONALD ,  托馬西尼 皮爾瑞 TOMASINI, PIERRE ,  寇帝 奈爾 CODY, NYLES ,  布蘭特 保羅 BRABANT, PAUL ,  義特理諾 喬瑟分 ITALIANO, JOSEPH ,  雅各布森 保羅 JACOBSON, PAUL ,  威克斯 基斯 多倫 WEEKS, KEITH DORAN

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/7848 ,  C23C16/04 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/32 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45512 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/32056 ,  H01L21/3215 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

Abstract: 本發明中透過化學氣相沉積,利用丙矽烷和一含鹵素蝕刻劑源(例如氯)來在選定的混合基板區域上選擇性地沉積含Si薄膜。摻雜物源可與所述丙矽烷及所述蝕刻劑源混合,以選擇性地沉積摻雜的含Si薄膜。所述選擇性沉積方法可應用於各種用途,例如應用在半導體製造中。

Abstract in simplified Chinese: 本发明中透过化学气相沉积,利用丙硅烷和一含卤素蚀刻剂源(例如氯)来在选定的混合基板区域上选择性地沉积含Si薄膜。掺杂物源可与所述丙硅烷及所述蚀刻剂源混合,以选择性地沉积掺杂的含Si薄膜。所述选择性沉积方法可应用于各种用途,例如应用在半导体制造中。