公开(公告)号：TW200808995A

公开(公告)日：2008-02-16

申请号：TW096119274

申请日：2007-05-30

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 托馬西尼 皮爾瑞 TOMASINI, PIERRE ,  艾倫奈 權特爾 ARENA, CHANTAL ,  波爾 麥特喜愛斯 BAUER, MATTHIAS ,  寇帝 奈爾 CODY, NYLES ,  培特朗 羅奈爾德 BERTRAM, RONALD ,  溫建青 WEN, JIANQING

IPC: C23C ,  C30B ,  H01L

CPC classification number: H01L21/28518 ,  C23C16/04 ,  C23C16/24 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639

Abstract: 在選擇性沈積薄膜之方法以及系統帤使用氯化聚矽烷,述薄膜可用於製造諸如微電子及/或微機電系統(MEMS)之各種裝置。

Abstract in simplified Chinese: 在选择性沉积薄膜之方法以及系统帤使用氯化聚硅烷,述薄膜可用于制造诸如微电子及/或微机电系统(MEMS)之各种设备。

公开(公告)号：TW200710950A

公开(公告)日：2007-03-16

申请号：TW095103696

申请日：2006-02-03

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 波爾 麥特喜愛斯 BAUER, MATTHIAS ,  艾倫奈 權特爾 ARENA, CHANTAL ,  培特朗 羅奈爾德 BERTRAM, RONALD ,  托馬西尼 皮爾瑞 TOMASINI, PIERRE ,  寇帝 奈爾 CODY, NYLES ,  布蘭特 保羅 BRABANT, PAUL ,  義特理諾 喬瑟分 ITALIANO, JOSEPH ,  雅各布森 保羅 JACOBSON, PAUL ,  威克斯 基斯 多倫 WEEKS, KEITH DORAN

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/7848 ,  C23C16/04 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/32 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45512 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/32056 ,  H01L21/3215 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

Abstract: 本發明中透過化學氣相沉積,利用丙矽烷和一含鹵素蝕刻劑源(例如氯)來在選定的混合基板區域上選擇性地沉積含Si薄膜。摻雜物源可與所述丙矽烷及所述蝕刻劑源混合,以選擇性地沉積摻雜的含Si薄膜。所述選擇性沉積方法可應用於各種用途,例如應用在半導體製造中。

Abstract in simplified Chinese: 本发明中透过化学气相沉积,利用丙硅烷和一含卤素蚀刻剂源(例如氯)来在选定的混合基板区域上选择性地沉积含Si薄膜。掺杂物源可与所述丙硅烷及所述蚀刻剂源混合,以选择性地沉积掺杂的含Si薄膜。所述选择性沉积方法可应用于各种用途,例如应用在半导体制造中。

公开(公告)号：TW200509226A

公开(公告)日：2005-03-01

申请号：TW093122682

申请日：2004-07-29

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 爾瑞那 謙托J ARENA, CHANTAL J. ,  托馬西尼 皮爾瑞 TOMASINI, PIERRE ,  寇帝 奈爾 CODY, NYLES ,  波爾 麥特喜愛斯 BAUER, MATTHIAS

IPC: H01L

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B25/02 ,  C30B29/52 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: 一層鬆弛的矽化鍺結構包括一層矽緩衝層，係用化學氣相沈積製程，以一個大於約1 torr的選擇壓力形成，此鬆弛的矽化鍺結構進一步包括一層矽化鍺層沈積在矽緩衝層上，此矽化鍺層有每平方公分的牽引錯位少於10^7，透過在一個降低的沈積速度下沈積矽緩衝層，覆蓋的矽化鍺層可以有一個“沒有交叉陰影”的表面。

Abstract in simplified Chinese: 一层松弛的硅化锗结构包括一层硅缓冲层，系用化学气相沉积制程，以一个大于约1 torr的选择压力形成，此松弛的硅化锗结构进一步包括一层硅化锗层沉积在硅缓冲层上，此硅化锗层有每平方公分的牵引错位少于10^7，透过在一个降低的沉积速度下沉积硅缓冲层，覆盖的硅化锗层可以有一个“没有交叉阴影”的表面。

公开(公告)号：TW200931499A

公开(公告)日：2009-07-16

申请号：TW097141223

申请日：2008-10-27

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 托馬西尼 皮爾瑞 TOMASINI, PIERRE ,  寇帝 奈爾 CODY, NYLES

IPC: H01L ,  C23C

CPC classification number: H01L29/167 ,  C23C16/04 ,  C23C16/22 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636

Abstract: 提供一種選擇性沉積單晶膜的方法。此方法包括:提供基底,此基底包括具有第一表面形態的第一表面與具有第二表面形態的第二表面,其中第二表面形態不同於第一表面形態。將矽前驅體與三氯化硼互混,形成原料氣。在化學氣相沉積條件下,將此原料氣輸送到基底。藉由引進原料氣,在第一表面上選擇性沉積含矽層,而不在第二表面上沉積含矽層。

Abstract in simplified Chinese: 提供一种选择性沉积单晶膜的方法。此方法包括:提供基底,此基底包括具有第一表面形态的第一表面与具有第二表面形态的第二表面,其中第二表面形态不同于第一表面形态。将硅前驱体与三氯化硼互混,形成原料气。在化学气相沉积条件下,将此原料气输送到基底。借由引进原料气,在第一表面上选择性沉积含硅层,而不在第二表面上沉积含硅层。