公开(公告)号：TW200823309A

公开(公告)日：2008-06-01

申请号：TW096137237

申请日：2007-10-04

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 王長工 WANG, CHANG-GONG ,  雪洛 艾立克 SHERO, ERIC ,  威爾克 格蘭 WILK, GLEN

IPC: C23C ,  C30B

CPC classification number: C23C16/405 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45531

Abstract: 一種用於形成金屬矽化物膜之方法。所述方法包含使基板交替且連續地與矽來源化學品、金屬來源化學品及氧化劑之氣相脈衝接觸,其中所述金屬來源化學品是在所述矽來源化學品後提供的下一個反應物。根據一些實施例之方法可用於在基板表面上形成一層覆蓋基板且實質上均一而富含矽之矽酸鉿及矽酸鋯膜。

Abstract in simplified Chinese: 一种用于形成金属硅化物膜之方法。所述方法包含使基板交替且连续地与硅来源化学品、金属来源化学品及氧化剂之气相脉冲接触,其中所述金属来源化学品是在所述硅来源化学品后提供的下一个反应物。根据一些实施例之方法可用于在基板表面上形成一层覆盖基板且实质上均一而富含硅之硅酸铪及硅酸锆膜。

公开(公告)号：TW200811308A

公开(公告)日：2008-03-01

申请号：TW096124005

申请日：2007-07-02

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 王長工 WANG, CHANG-GONG ,  雪洛 艾立克J SHERO, ERIC J. ,  威爾克 格蘭 WILK, GLEN ,  梅斯 强 威廉 MAES, JAN WILLEM

IPC: C23C

CPC classification number: H01L21/3141 ,  C23C16/401 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31645

Abstract: 本發明提供形成金屬矽酸鹽膜之方法。所述方法包括使基板與金屬源化學品、矽源化學品以及氧化劑之交替且依序的氣相脈衝接觸。在較佳實施例中,使用烷基醯胺金屬化合物以及鹵化矽化合物。根據較佳實施例之方法可用於形成矽酸鉿以及矽酸鋯膜,其在包括高縱橫比特徵(例如,通孔及/或溝渠)之基板表面上具有實質上均一的薄膜覆蓋率。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供形成金属硅酸盐膜之方法。所述方法包括使基板与金属源化学品、硅源化学品以及氧化剂之交替且依序的气相脉冲接触。在较佳实施例中,使用烷基酰胺金属化合物以及卤化硅化合物。根据较佳实施例之方法可用于形成硅酸铪以及硅酸锆膜,其在包括高纵横比特征(例如,通孔及/或沟渠)之基板表面上具有实质上均一的薄膜覆盖率。

公开(公告)号：TW200701341A

公开(公告)日：2007-01-01

申请号：TW095108719

申请日：2006-03-15

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 努頓 莎貝之聖E. 凡 NOOTEN, SEBASTIAN E. VAN ,  梅斯 强 威廉 MAES, JAN WILLEM ,  馬庫斯 史蒂芬 MARCUS, STEVEN ,  威爾克 格蘭 WILK, GLEN ,  拉薩內尼 佩托 RAISANEN, PETRI ,  艾爾斯 凱 艾瑞克 ELERS, KAI-ERIK

IPC: H01L

CPC classification number: H01J37/32082 ,  C23C16/045 ,  C23C16/403 ,  C23C16/448 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/50 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/52 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3162 ,  H01L29/66181

Abstract: 藉由電漿增强原子層沉積之變化而形成非共形層的方法,其中脈衝持續時間、間隔、RF功率工作時間、反應物濃度、壓力及電極間距中之一或多者違背真實自飽和反應,以在空乏效應模式下操作。因此接近基板表面發生沉積,但控制其在到達開口內之指定距離後終止。適合於此調變之反應器組態有簇射頭如原位電漿反應器,其具有可調整電極間距。另外,使有開口的基板與至少兩不同反應物交替且依序接觸,其中已預定至少一反應物之不飽和劑量且在基板表面均一地提供不飽和劑量,再沉積不完全覆蓋開口表面的膜,以導致基板表面較不可及區域中的空乏效應。

Abstract in simplified Chinese: 借由等离子增强原子层沉积之变化而形成非共形层的方法,其中脉冲持续时间、间隔、RF功率工作时间、反应物浓度、压力及电极间距中之一或多者违背真实自饱和反应,以在空乏效应模式下操作。因此接近基板表面发生沉积,但控制其在到达开口内之指定距离后终止。适合于此调制之反应器组态有簇射头如原位等离子反应器,其具有可调整电极间距。另外,使有开口的基板与至少两不同反应物交替且依序接触,其中已预定至少一反应物之不饱和剂量且在基板表面均一地提供不饱和剂量,再沉积不完全覆盖开口表面的膜,以导致基板表面较不可及区域中的空乏效应。