公开(公告)号：TW200701341A

公开(公告)日：2007-01-01

申请号：TW095108719

申请日：2006-03-15

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 努頓 莎貝之聖E. 凡 NOOTEN, SEBASTIAN E. VAN ,  梅斯 强 威廉 MAES, JAN WILLEM ,  馬庫斯 史蒂芬 MARCUS, STEVEN ,  威爾克 格蘭 WILK, GLEN ,  拉薩內尼 佩托 RAISANEN, PETRI ,  艾爾斯 凱 艾瑞克 ELERS, KAI-ERIK

IPC: H01L

CPC classification number: H01J37/32082 ,  C23C16/045 ,  C23C16/403 ,  C23C16/448 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/50 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/52 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3162 ,  H01L29/66181

Abstract: 藉由電漿增强原子層沉積之變化而形成非共形層的方法,其中脈衝持續時間、間隔、RF功率工作時間、反應物濃度、壓力及電極間距中之一或多者違背真實自飽和反應,以在空乏效應模式下操作。因此接近基板表面發生沉積,但控制其在到達開口內之指定距離後終止。適合於此調變之反應器組態有簇射頭如原位電漿反應器,其具有可調整電極間距。另外,使有開口的基板與至少兩不同反應物交替且依序接觸,其中已預定至少一反應物之不飽和劑量且在基板表面均一地提供不飽和劑量,再沉積不完全覆蓋開口表面的膜,以導致基板表面較不可及區域中的空乏效應。

Abstract in simplified Chinese: 借由等离子增强原子层沉积之变化而形成非共形层的方法,其中脉冲持续时间、间隔、RF功率工作时间、反应物浓度、压力及电极间距中之一或多者违背真实自饱和反应,以在空乏效应模式下操作。因此接近基板表面发生沉积,但控制其在到达开口内之指定距离后终止。适合于此调制之反应器组态有簇射头如原位等离子反应器,其具有可调整电极间距。另外,使有开口的基板与至少两不同反应物交替且依序接触,其中已预定至少一反应物之不饱和剂量且在基板表面均一地提供不饱和剂量,再沉积不完全覆盖开口表面的膜,以导致基板表面较不可及区域中的空乏效应。

公开(公告)号：TW200821405A

公开(公告)日：2008-05-16

申请号：TW096139836

申请日：2007-10-24

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 艾爾斯 凱 艾瑞克 ELERS, KAI-ERIK ,  威爾克 葛嵐 WILK, GLEN ,  馬庫斯 史蒂芬 MARCUS, STEVEN

IPC: C23C

CPC classification number: C23C16/32 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/515

Abstract: 提供了形成金屬碳化物膜的方法。在某些實施例中,在原子層沈積型製程中,形成金屬碳化物膜的方法包括使反應空間中的基板交替並順次接觸金屬化合物的氣相脈衝以及含碳氣體化合物的一種或多種電漿激發態種類。在其他實施例中,在化學氣相沈積型製程中,形成金屬碳化物膜的方法包括使反應空間中的基板接觸金屬化合物和含碳氣體化合物的一種或多種電漿激發態種類。基板進一步曝露於還原劑。還原劑可移除包括鹵素原子和/或氧原子在內的雜質。

Abstract in simplified Chinese: 提供了形成金属碳化物膜的方法。在某些实施例中,在原子层沉积型制程中,形成金属碳化物膜的方法包括使反应空间中的基板交替并顺次接触金属化合物的气相脉冲以及含碳气体化合物的一种或多种等离子激发态种类。在其他实施例中,在化学气相沉积型制程中,形成金属碳化物膜的方法包括使反应空间中的基板接触金属化合物和含碳气体化合物的一种或多种等离子激发态种类。基板进一步曝露于还原剂。还原剂可移除包括卤素原子和/或氧原子在内的杂质。