公开(公告)号：TW200821405A

公开(公告)日：2008-05-16

申请号：TW096139836

申请日：2007-10-24

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 艾爾斯 凱 艾瑞克 ELERS, KAI-ERIK ,  威爾克 葛嵐 WILK, GLEN ,  馬庫斯 史蒂芬 MARCUS, STEVEN

IPC: C23C

CPC classification number: C23C16/32 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/515

Abstract: 提供了形成金屬碳化物膜的方法。在某些實施例中,在原子層沈積型製程中,形成金屬碳化物膜的方法包括使反應空間中的基板交替並順次接觸金屬化合物的氣相脈衝以及含碳氣體化合物的一種或多種電漿激發態種類。在其他實施例中,在化學氣相沈積型製程中,形成金屬碳化物膜的方法包括使反應空間中的基板接觸金屬化合物和含碳氣體化合物的一種或多種電漿激發態種類。基板進一步曝露於還原劑。還原劑可移除包括鹵素原子和/或氧原子在內的雜質。

Abstract in simplified Chinese: 提供了形成金属碳化物膜的方法。在某些实施例中,在原子层沉积型制程中,形成金属碳化物膜的方法包括使反应空间中的基板交替并顺次接触金属化合物的气相脉冲以及含碳气体化合物的一种或多种等离子激发态种类。在其他实施例中,在化学气相沉积型制程中,形成金属碳化物膜的方法包括使反应空间中的基板接触金属化合物和含碳气体化合物的一种或多种等离子激发态种类。基板进一步曝露于还原剂。还原剂可移除包括卤素原子和/或氧原子在内的杂质。