公开(公告)号：TW200701301A

公开(公告)日：2007-01-01

申请号：TW095101879

申请日：2006-01-18

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 馬伊夫 維基 VERGHESE, MOHITH ,  雪洛 艾立克 SHERO, ERIC ,  貝比克 達寇 BABIC, DARKO ,  特后司特 赫伯特 TERHORST, HERBERT ,  沛薩 瑪寇 PEUSSA, MARKO ,  洋 敏 YAN, MIN

IPC: H01L ,  C23C ,  C30B

CPC classification number: H01L21/68785 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45517 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/45587 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4582 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/4586 ,  C30B35/00 ,  H01L21/67236 ,  H01L21/68714 ,  H01L21/68742

Abstract: 一種原子沈積薄膜沈積設備包含一沈積室,此沈積室被配置用於在固定於其內部所界定之一空間內之一晶圓上沈積一薄膜。沈積室包括一與空間連通之進氣口。一氣體系統被配置用於將氣體傳輸至沈積室之進氣口。氣體系統之至少一部分被定位於沈積室的上方。氣體系統包含一被配置用於混合多種氣體流之混合器。一傳輸部件與混合器及進氣口流體連通。傳輸部件包括一對被配置用於在進入進氣口之前在水平方向散播氣體之水平擴散壁。

Abstract in simplified Chinese: 一种原子沉积薄膜沉积设备包含一沉积室,此沉积室被配置用于在固定于其内部所界定之一空间内之一晶圆上沉积一薄膜。沉积室包括一与空间连通之进气口。一气体系统被配置用于将气体传输至沉积室之进气口。气体系统之至少一部分被定位于沉积室的上方。气体系统包含一被配置用于混合多种气体流之混合器。一传输部件与混合器及进气口流体连通。传输部件包括一对被配置用于在进入进气口之前在水平方向散播气体之水平扩散壁。

公开(公告)号：TW200502427A

公开(公告)日：2005-01-16

申请号：TW093112463

申请日：2004-05-04

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 馬伊夫 維基 VERGHESE, MOHITH ,  艾立克J. 雪洛 SHERO, ERIC J.

IPC: C23C

CPC classification number: B82Y30/00 ,  C23C16/403 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45525 ,  C23C22/68 ,  C30B25/14 ,  H01J37/32477

Abstract: 在原子層沉積或化學氣相沉積反應器100的表面201上形成一保護層208。在原子層沉積或化學氣相沉積反應器100中定義出一反應空間的零件，可利用使反應空間表面201上的反應位置210去活化的化學品206，進行現場(in situ)或非現場(ex situ)處理。在進行處理步驟504之前，一前處理步驟502可使有效的反應位置210增加到最多。反應位置210因為吸附處理反應物208而去活化。在後續的處理期間，反應物氣體214可還原反應性或沉積在這些被處理的表面上。因此，噴沖步驟310、314能夠大大地被減少，且在清潔步驟中間可施行更多次處理步驟，以去除反應器壁上的組合沉積。

Abstract in simplified Chinese: 在原子层沉积或化学气相沉积反应器100的表面201上形成一保护层208。在原子层沉积或化学气相沉积反应器100中定义出一反应空间的零件，可利用使反应空间表面201上的反应位置210去活化的化学品206，进行现场(in situ)或非现场(ex situ)处理。在进行处理步骤504之前，一前处理步骤502可使有效的反应位置210增加到最多。反应位置210因为吸附处理反应物208而去活化。在后续的处理期间，反应物气体214可还原反应性或沉积在这些被处理的表面上。因此，喷冲步骤310、314能够大大地被减少，且在清洁步骤中间可施行更多次处理步骤，以去除反应器壁上的组合沉积。