公开(公告)号：TW201708605A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：TW105122325

申请日：2016-07-15

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 川原潤 ,  KAWAHARA, JUN ,  賀加 蘇維 ,  HAUKKA, SUVI ,  尼森卡恩 安堤 ,  NISKANEN, ANTTI ,  多益斯 艾娃 ,  TOIS, EVA ,  梅特洛 雷傑 ,  MATERO, RAIJA ,  末盛 秀美 ,  SUEMORI, HIDEMI ,  安提拉 雅各 ,  ANTTILA, JAAKKO ,  森幸博 ,  MORI, YUKIHIRO

IPC: C23C16/52 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45548 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/67754 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 根據本文中的某些實施例，闡述用於沈積薄膜的方法及裝置。在某些實施例中，在多個站中執行薄膜沈積，其中每一站提供不同反應物或反應物的組合。所述站可彼此氣體隔離以最小化或防止所述不同反應物或反應物的組合之間的不期望的化學氣相沈積（CVD）及/或原子層沈積（ALD）反應。

Abstract in simplified Chinese: 根据本文中的某些实施例，阐述用于沉积薄膜的方法及设备。在某些实施例中，在多个站中运行薄膜沉积，其中每一站提供不同反应物或反应物的组合。所述站可彼此气体隔离以最小化或防止所述不同反应物或反应物的组合之间的不期望的化学气相沉积（CVD）及/或原子层沉积（ALD）反应。

公开(公告)号：TWI700391B

公开(公告)日：2020-08-01

申请号：TW105122325

申请日：2016-07-15

Applicant: 荷蘭商ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 川原潤 ,  KAWAHARA, JUN ,  賀加 蘇維 ,  HAUKKA, SUVI ,  尼森卡恩 安堤 ,  NISKANEN, ANTTI ,  多益斯 艾娃 ,  TOIS, EVA ,  梅特洛 雷傑 ,  MATERO, RAIJA ,  末盛 秀美 ,  SUEMORI, HIDEMI ,  安提拉 雅各 ,  ANTTILA, JAAKKO ,  森幸博 ,  MORI, YUKIHIRO

IPC: C23C16/52 ,  H01L21/205

公开(公告)号：TW201706444A

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：TW105122151

申请日：2016-07-14

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 宗補羅度 伯特 ,  JONGBLOED, BERT ,  隆吉 戴芬 ,  LONGRIE, DELPHINE ,  魯洛夫斯 羅賓 ,  ROELOFS, ROBIN ,  堤拉 路西安 ,  JDIRA, LUCIAN ,  賀加 蘇維 ,  HAUKKA, SUVI ,  尼斯卡嫩 安提 ,  NISKANEN, ANTTI ,  川原潤 ,  KAWAHARA, JUN ,  森幸博 ,  MORI, YUKIHIRO

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/52 ,  C23C16/54 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28556

Abstract: 根據本文中的某些實施例，提供用於沈積薄膜的方法及裝置。在某些實施例中，在多個站中執行溫度指數薄膜沈積，其中每一站提供不同反應物或反應物的組合。所述站可彼此氣體隔離，且所述基板可在不同溫度下與不同反應物接觸以最小化或防止不期望的氣相反應、化學氣相沈積（CVD）及/或原子層沈積（ALD）反應。

Abstract in simplified Chinese: 根据本文中的某些实施例，提供用于沉积薄膜的方法及设备。在某些实施例中，在多个站中运行温度指数薄膜沉积，其中每一站提供不同反应物或反应物的组合。所述站可彼此气体隔离，且所述基板可在不同温度下与不同反应物接触以最小化或防止不期望的气相反应、化学气相沉积（CVD）及/或原子层沉积（ALD）反应。

公开(公告)号：TW201718928A

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：TW105123385

申请日：2016-07-25

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B. V.

Inventor： 森幸博 ,  MORI, YUKIHIRO ,  韋爾巴斯 梅爾文 ,  VERBAAS, MELVIN

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  H01J37/32 ,  C23C16/50

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/46 ,  C23C16/463 ,  C23C16/50 ,  C23C16/509 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67248

Abstract: 一承載器包括一板部件、用以加熱板部件之一第一部分的一第一加熱器、用以加熱板部件之一第二部分的一第二加熱器以及用以使第一部分和第二部分在板部件的一上表面側彼此熱絕緣的一絕熱部。

Abstract in simplified Chinese: 一承载器包括一板部件、用以加热板部件之一第一部分的一第一加热器、用以加热板部件之一第二部分的一第二加热器以及用以使第一部分和第二部分在板部件的一上表面侧彼此热绝缘的一绝热部。