公开(公告)号：TWI687536B

公开(公告)日：2020-03-11

申请号：TW108105023

申请日：2015-10-22

Applicant: 荷蘭商ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 賀加蘇維 ,  HAUKKA,SUVI ,  吉文斯麥克 ,  GIVENS,MICHAEL ,  雪洛艾立克 ,  SHERO,ERIC ,  溫克傑利 ,  WINKLER,JERRY ,  拉薩內尼佩托 ,  RAISANEN,PETRI ,  阿西凱寧泰瑪 ,  ASIKAINEN,TIMO ,  朱馳宇 ,  ZHU,CHIYU ,  安提拉雅各 ,  ANTTILA,JAAKKO

IPC: C23C16/08 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56

公开(公告)号：TWI595109B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：TW106113179

申请日：2014-03-11

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 陳傑利 ,  CHEN,JERRY ,  馬高特森弗拉基米爾 ,  MACHKAOUTSAN,VLADIMIR ,  米利根布倫南 ,  MILLIGAN,BRENNAN ,  梅茲詹姆 威廉 ,  MAES,JAN WILLEM ,  賀加蘇維 ,  HAUKKA,SUVI ,  雪洛艾立克 ,  SHERO,ERIC ,  布倫堡湯姆 E. ,  BLOMBERG,TOM E. ,  李東 ,  LI,DONG

IPC: C23C16/32 ,  C23C16/54 ,  C23C16/56

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568

公开(公告)号：TW201920739A

公开(公告)日：2019-06-01

申请号：TW108105023

申请日：2015-10-22

Applicant: 荷蘭商ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 賀加蘇維 ,  HAUKKA,SUVI ,  吉文斯麥克 ,  GIVENS,MICHAEL ,  雪洛艾立克 ,  SHERO,ERIC ,  溫克傑利 ,  WINKLER,JERRY ,  拉薩內尼佩托 ,  RAISANEN,PETRI ,  阿西凱寧泰瑪 ,  ASIKAINEN,TIMO ,  朱馳宇 ,  ZHU,CHIYU ,  安提拉雅各 ,  ANTTILA,JAAKKO

IPC: C23C16/08 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56

Abstract: 一種用於在反應空間中將包括氮之鈦鋁薄膜或鉭鋁薄膜沈積在基板上的製程可包含至少一個沈積循環。沈積循環可包含使基板與氣相鈦前驅體或氣相鉭前驅體及氣相鋁前驅體交替且連續地接觸。氣相鈦前驅體或氣相鉭前驅體及氣相鋁前驅體中之至少一者可在氣相氮前驅體之存在下接觸基板。

Abstract in simplified Chinese: 一种用于在反应空间中将包括氮之钛铝薄膜或钽铝薄膜沉积在基板上的制程可包含至少一个沉积循环。沉积循环可包含使基板与气相钛前驱体或气相钽前驱体及气相铝前驱体交替且连续地接触。气相钛前驱体或气相钽前驱体及气相铝前驱体中之至少一者可在气相氮前驱体之存在下接触基板。

公开(公告)号：TW201725276A

公开(公告)日：2017-07-16

申请号：TW106113179

申请日：2014-03-11

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 陳傑利 ,  CHEN,JERRY ,  馬高特森弗拉基米爾 ,  MACHKAOUTSAN,VLADIMIR ,  米利根布倫南 ,  MILLIGAN,BRENNAN ,  梅茲詹姆 威廉 ,  MAES,JAN WILLEM ,  賀加蘇維 ,  HAUKKA,SUVI ,  雪洛艾立克 ,  SHERO,ERIC ,  布倫堡湯姆 E. ,  BLOMBERG,TOM E. ,  李東 ,  LI,DONG

IPC: C23C16/32 ,  C23C16/54 ,  C23C16/56

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568

Abstract: 一種在基板上處理氮化物薄膜的方法，以形成包括矽或硼的頂蓋層。所述在基板上處理氮化物薄膜的方法包括使所述氮化物薄膜暴露於矽烷化合物或硼烷化合物，以形成包括矽或硼的所述頂蓋層，其中所述頂蓋層至少部分避免所述氮化物薄膜在後續製程中進一步氧化或避免後續沈積在經處理的膜上的膜的進一步氧化。

Abstract in simplified Chinese: 一种在基板上处理氮化物薄膜的方法，以形成包括硅或硼的顶盖层。所述在基板上处理氮化物薄膜的方法包括使所述氮化物薄膜暴露于硅烷化合物或硼烷化合物，以形成包括硅或硼的所述顶盖层，其中所述顶盖层至少部分避免所述氮化物薄膜在后续制程中进一步氧化或避免后续沉积在经处理的膜上的膜的进一步氧化。

公开(公告)号：TWI564944B

公开(公告)日：2017-01-01

申请号：TW105131349

申请日：2014-03-14

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 雪洛艾立克 ,  SHERO,ERIC ,  賀加蘇維 ,  HAUKKA,SUVI

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/02 ,  H01L21/335 ,  H01L29/772 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L21/02211 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321 ,  H01L21/76841 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  Y10S438/932