公开(公告)号：TWI595109B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：TW106113179

申请日：2014-03-11

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 陳傑利 ,  CHEN,JERRY ,  馬高特森弗拉基米爾 ,  MACHKAOUTSAN,VLADIMIR ,  米利根布倫南 ,  MILLIGAN,BRENNAN ,  梅茲詹姆 威廉 ,  MAES,JAN WILLEM ,  賀加蘇維 ,  HAUKKA,SUVI ,  雪洛艾立克 ,  SHERO,ERIC ,  布倫堡湯姆 E. ,  BLOMBERG,TOM E. ,  李東 ,  LI,DONG

IPC: C23C16/32 ,  C23C16/54 ,  C23C16/56

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568

公开(公告)号：TW201725276A

公开(公告)日：2017-07-16

申请号：TW106113179

申请日：2014-03-11

Applicant: ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 陳傑利 ,  CHEN,JERRY ,  馬高特森弗拉基米爾 ,  MACHKAOUTSAN,VLADIMIR ,  米利根布倫南 ,  MILLIGAN,BRENNAN ,  梅茲詹姆 威廉 ,  MAES,JAN WILLEM ,  賀加蘇維 ,  HAUKKA,SUVI ,  雪洛艾立克 ,  SHERO,ERIC ,  布倫堡湯姆 E. ,  BLOMBERG,TOM E. ,  李東 ,  LI,DONG

IPC: C23C16/32 ,  C23C16/54 ,  C23C16/56

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568

Abstract: 一種在基板上處理氮化物薄膜的方法，以形成包括矽或硼的頂蓋層。所述在基板上處理氮化物薄膜的方法包括使所述氮化物薄膜暴露於矽烷化合物或硼烷化合物，以形成包括矽或硼的所述頂蓋層，其中所述頂蓋層至少部分避免所述氮化物薄膜在後續製程中進一步氧化或避免後續沈積在經處理的膜上的膜的進一步氧化。

Abstract in simplified Chinese: 一种在基板上处理氮化物薄膜的方法，以形成包括硅或硼的顶盖层。所述在基板上处理氮化物薄膜的方法包括使所述氮化物薄膜暴露于硅烷化合物或硼烷化合物，以形成包括硅或硼的所述顶盖层，其中所述顶盖层至少部分避免所述氮化物薄膜在后续制程中进一步氧化或避免后续沉积在经处理的膜上的膜的进一步氧化。