公开(公告)号：WO2016191432A1

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：PCT/US2016/033955

申请日：2016-05-24

Applicant: ASM IP HOLDING B.V. ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： SARNET, Tiina ,  HATANPÄÄ, Timo ,  RITALA, Mikko ,  LESKELÄ, Markku

IPC: C23C16/22 ,  H01L21/02 ,  H01L31/18

CPC classification number: C23C16/305 ,  C01G39/06 ,  C01P2004/03 ,  C23C16/45553 ,  G01N30/72 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/0262

Abstract: Processes for forming Mo and W containing thin films, such as MoS 2 , WS 2 , MoSe 2 , and WSe 2 thin films are provided. Methods are also provided for synthesizing Mo or W beta-diketonate precursors. Additionally, methods are provided for forming 2D materials containing Mo or W.

Abstract translation: 提供了用于形成包含MoS2，WS2，MoSe2和WSe2薄膜的Mo和W的工艺。 还提供了用于合成Mo或Wβ-二酮前体的方法。 另外，提供了用于形成含有Mo或W的2D材料的方法