公开(公告)号：CN101251719B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200710162430.3

申请日：2002-10-03

Applicant: ASML美国公司

Inventor： A·源

IPC: G03F7/30 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6708 ,  B05B12/1472 ,  B05C5/027 ,  B05C11/08 ,  H01L21/67051

Abstract: 本发明涉及一种通过减少pH值突变而使显影反应物的沉淀最小化的方法。所述方法包括以下步骤：在基板位于其内的显影剂流体模块内设置层流气流场；在聚合物层的表面上的多个位置处将一定量的显影剂流体施加到基板上的聚合物层上；使至少一部分聚合物层显影；然后允许至少一部分所述一定量的显影剂流体停留在所述聚合物上，从而可控制地使pH值的随后突变最小化；以及然后利用一定量的另一流体冲洗所述聚合物。

公开(公告)号：CN101251719A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200710162430.3

申请日：2002-10-03

Applicant: ASML美国公司

Inventor： A·源

IPC: G03F7/30 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6708 ,  B05B12/1472 ,  B05C5/027 ,  B05C11/08 ,  H01L21/67051

Abstract: 本发明涉及一种通过减少pH值突变而使显影反应物的沉淀最小化的方法。所述方法包括以下步骤：在基板位于其内的显影剂流体模块内设置层流气流场；在聚合物层的表面上的多个位置处将一定量的显影剂流体施加到基板上的聚合物层上；使至少一部分聚合物层显影；然后允许至少一部分所述一定量的显影剂流体停留在所述聚合物上，从而可控制地使pH值的随后突变最小化；以及然后利用一定量的另一流体冲洗所述聚合物。