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公开(公告)号:CN118355334A
公开(公告)日:2024-07-16
申请号:CN202280080786.5
申请日:2022-10-27
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 公开了一种用于确定施加到衬底的层的机械特性的方法。该方法包括:获得输入数据,该输入数据包括与所述层有关的量测数据;以及获得布局数据,其与要施加在所述层中的图案的布局有关。第一模型或第一模型项被用来至少基于输入数据来确定与所述层有关的全局机械特性;以及至少一个第二模型或至少一个第二模型项被用来基于所述第一机械特性和布局数据来预测机械特性分布或相关套刻图,该机械特性分布描述所述层上的机械特性变化。
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公开(公告)号:CN114026500B
公开(公告)日:2025-01-03
申请号:CN202080047195.9
申请日:2020-06-04
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor: M·皮萨连科 , M·范德斯卡 , 张怀辰 , 玛丽亚-克莱尔·范拉尔
Abstract: 描述了一种在半导体制造过程中应用沉积模型的方法。该方法包括:使用沉积模型预测衬底的沉积轮廓;并且使用预测沉积轮廓来增强量测目标设计。使用来自物理晶片的层的经验横截面轮廓信息来校准沉积模型。在一些实施例中,沉积模型是机器学习模型,并且校准沉积模型包括训练机器学习模型。量测目标设计可包括对准量测目标设计或重叠量测目标设计。
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公开(公告)号:CN116583785A
公开(公告)日:2023-08-11
申请号:CN202180078817.9
申请日:2021-11-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本文中描述了用于产生量测标记结构的设备和方法,所述量测标记结构可以被形成在芯片上从而通过基于图案分布确定所述量测标记结构的特征来测量由对所述芯片执行的一个或更多个过程所引起的重叠特性。所述方法涉及获得第一函数以表征由对衬底执行的过程所引起的重叠特征标识。基于所述第一函数,导出图案分布,所述图案分布指示所述衬底的一部分内的特征的数目(例如,指示密度)。基于所述图案分布,确定所述量测标记结构的所述特征的物理特性(例如,形状、大小等)。
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公开(公告)号:CN118742859A
公开(公告)日:2024-10-01
申请号:CN202380022608.1
申请日:2023-01-23
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , G06N3/0464 , G06N3/08 , G06T7/00
Abstract: 公开了一种用于确定与制造工艺中形成在衬底上的至少一个结构相关的感兴趣的参数的方法。该方法包括:获得与要被应用于所述结构的图案的布局相关的布局数据,所述图案包括所述至少一个结构;以及获得经训练的模型,该经训练的模型已经在量测数据和所述布局数据上被训练,以从至少所述布局数据中推断与感兴趣的参数相关的值和/或概率度量,该量测数据与在衬底上的相应多个测量位置处的感兴趣的参数的多个测量值相关。使用所述经训练的模型,从至少布局数据中确定与衬底上不同于所述测量位置的一个或多个位置处的感兴趣的参数相关的值和/或概率度量。
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公开(公告)号:CN118382841A
公开(公告)日:2024-07-23
申请号:CN202280081920.3
申请日:2022-11-22
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor: 张怀辰 , R·C·马斯 , S·帕拉雅·维努格帕 , J·W·必吉斯马
IPC: G03F7/20
Abstract: 公开了用于设计标记的方法和系统,所述标记用于在光刻设备中使用光刻过程将图案成像在衬底上。该方法包括:获得标记构造,获得与标记构造相关联的几何参数的空间变化,以及基于标记的空间变化和空间位置确定标记的各个图案的几何形状设计。
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公开(公告)号:CN114026500A
公开(公告)日:2022-02-08
申请号:CN202080047195.9
申请日:2020-06-04
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor: M·皮萨连科 , M·范德斯卡 , 张怀辰 , 玛丽亚-克莱尔·范拉尔
Abstract: 描述了一种在半导体制造过程中应用沉积模型的方法。该方法包括:使用沉积模型预测衬底的沉积轮廓;并且使用预测沉积轮廓来增强量测目标设计。使用来自物理晶片的层的经验横截面轮廓信息来校准沉积模型。在一些实施例中,沉积模型是机器学习模型,并且校准沉积模型包括训练机器学习模型。量测目标设计可包括对准量测目标设计或重叠量测目标设计。
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