公开(公告)号：TWI643209B

公开(公告)日：2018-12-01

申请号：TW103144295

申请日：2014-12-18

Applicant: ASML荷蘭公司 ,  ASML NETHERLANDS B. V.

Inventor： 陶 業爭 ,  TAO, YEZHENG ,  史圖華特 約翰T ,  STEWART, JOHN TOM ,  布朗 丹尼爾J W ,  BROWN, DANIEL J. W.

IPC: G21K5/00 ,  H05G2/00

公开(公告)号：TWI698677B

公开(公告)日：2020-07-11

申请号：TW104138826

申请日：2015-11-23

Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 ,  ASML NETHERLANDS B. V.

Inventor： 陶 業爭 ,  TAO, YEZHENG ,  布朗 丹尼爾 約翰 威廉 ,  BROWN, DANIEL JOHN WILLIAM ,  葛里奇 丹尼爾 詹姆士 ,  GOLICH, DANIEL JAMES ,  凱茲 麥可 ,  KATS, MICHAEL ,  史圖華特 約翰 湯姆 ,  STEWART, JOHN TOM ,  洛基司基 洛斯提斯拉夫 ,  ROKITSKI, ROSTISLAV

IPC: G02F1/11 ,  H01S3/08 ,  H01S3/082

公开(公告)号：TW201631361A

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：TW104138826

申请日：2015-11-23

Applicant: ASML荷蘭公司 ,  ASML NETHERLANDS B. V.

Inventor： 陶 業爭 ,  TAO, YEZHENG ,  布朗 丹尼爾 約翰 威廉 ,  BROWN, DANIEL JOHN WILLIAM ,  葛里奇 丹尼爾 詹姆士 ,  GOLICH, DANIEL JAMES ,  凱茲 麥可 ,  KATS, MICHAEL ,  史圖華特 約翰 湯姆 ,  STEWART, JOHN TOM ,  洛基司基 洛斯提斯拉夫 ,  ROKITSKI, ROSTISLAV

IPC: G02F1/11 ,  H01S3/08 ,  H01S3/082

CPC classification number: H05G2/008 ,  H01S3/005 ,  H01S3/0064 ,  H01S3/0085 ,  H01S3/2232 ,  H01S3/2316 ,  H01S3/2383 ,  H05G2/003 ,  H05G2/005 ,  H05G2/006

Abstract: 本發明揭示一種用於保護一雷射產生電漿(LPP)極紫外線(EUV)光系統中之種子雷射之方法及裝置。定位於一光學路徑上之一隔離級使自該LPP EUV光系統中之另外組件反射之光轉向免於到達該種子雷射。該隔離級包含藉由一延遲線而分離之兩個聲光調變器(AOM)。該等AOM在開啟時將光導向至該光學路徑上，且在關閉時將光導向遠離該光學路徑。判定由該延遲線引入之延遲，使得該等AOM之該開啟及該關閉可經計時以將一前向移動脈衝導向至該光學路徑上且在其他時間使經反射光轉向。該隔離級可定位於增益元件之間以防止經放大之經反射光到達該種子雷射且防止其他潛在有害效應。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种用于保护一激光产生等离子(LPP)极紫外线(EUV)光系统中之种子激光之方法及设备。定位于一光学路径上之一隔离级使自该LPP EUV光系统中之另外组件反射之光转向免于到达该种子激光。该隔离级包含借由一延迟线而分离之两个声光调制器(AOM)。该等AOM在打开时将光导向至该光学路径上，且在关闭时将光导向远离该光学路径。判定由该延迟线引入之延迟，使得该等AOM之该打开及该关闭可经计时以将一前向移动脉冲导向至该光学路径上且在其他时间使经反射光转向。该隔离级可定位于增益组件之间以防止经放大之经反射光到达该种子激光且防止其他潜在有害效应。

公开(公告)号：TW201532074A

公开(公告)日：2015-08-16

申请号：TW103144295

申请日：2014-12-18

Applicant: 艾司摩爾荷蘭股份有限公司 ,  ASML NETHERLANDS B. V.

Inventor： 陶 業爭 ,  TAO, YEZHENG ,  史圖華特 約翰T ,  STEWART, JOHN TOM ,  布朗 丹尼爾J W ,  BROWN, DANIEL J. W.

IPC: G21K5/00 ,  H05G2/00

CPC classification number: H05G2/008 ,  H05G2/003

Abstract: 形成一第一留存電漿，其至少部份地重合於一標靶區；提供一標靶，其包括對於標靶區呈現一第一空間性分佈之標靶材料，標靶材料係包括在轉換至電漿時發射EUV光之材料；第一留存電漿係與初始標靶交互作用，該交互作用係使標靶材料從第一空間性分佈重新配置至一經定形標靶分佈，以在標靶區中形成一經定形標靶，經定形標靶係包括被配置呈現經定形空間性分佈之標靶材料；一經放大光束係被導引朝向標靶區，以將經定形標靶中之至少部分的標靶材料轉換至一發射EUV光之電漿；且一第二留存電漿係形成於標靶區中。

Abstract in simplified Chinese: 形成一第一留存等离子，其至少部份地重合于一标靶区；提供一标靶，其包括对于标靶区呈现一第一空间性分布之标靶材料，标靶材料系包括在转换至等离子时发射EUV光之材料；第一留存等离子系与初始标靶交互作用，该交互作用系使标靶材料从第一空间性分布重新配置至一经定形标靶分布，以在标靶区中形成一经定形标靶，经定形标靶系包括被配置呈现经定形空间性分布之标靶材料；一经放大光束系被导引朝向标靶区，以将经定形标靶中之至少部分的标靶材料转换至一发射EUV光之等离子；且一第二留存等离子系形成于标靶区中。

公开(公告)号：TW201803412A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：TW106113616

申请日：2017-04-24

Applicant: ASML荷蘭公司 ,  ASML NETHERLANDS B.V.

Inventor： 拉法斯 羅伯特 傑 ,  RAFAC, ROBERT JAY ,  史圖華特 約翰 湯姆 ,  STEWART, JOHN TOM ,  拉 福吉 安德魯 大衛 ,  LA FORGE, ANDREW DAVID

IPC: H05G2/00

CPC classification number: H05G2/008 ,  H05G2/003 ,  H05G2/005 ,  H05G2/006

Abstract: 一第一目標經提供至一真空腔室之一內部，一第一光束經導引朝向該第一目標以自該第一目標之目標材料形成一第一電漿，該第一電漿與沿著一第一發射方向自該第一目標發射之粒子及輻射之一方向通量相關聯，該第一發射方向係由該第一目標之一位置判定；一第二目標經提供至該真空腔室之該內部；且一第二光束經導引朝向該第二目標以自該第二目標之目標材料形成一第二電漿，該第二電漿與沿著一第二發射方向自該第二目標發射之粒子及輻射之一方向通量相關聯，該第二發射方向係由該第二目標之一位置判定，該第一發射方向與該第二發射方向不同。

Abstract in simplified Chinese: 一第一目标经提供至一真空腔室之一内部，一第一光束经导引朝向该第一目标以自该第一目标之目标材料形成一第一等离子，该第一等离子与沿着一第一发射方向自该第一目标发射之粒子及辐射之一方向通量相关联，该第一发射方向系由该第一目标之一位置判定；一第二目标经提供至该真空腔室之该内部；且一第二光束经导引朝向该第二目标以自该第二目标之目标材料形成一第二等离子，该第二等离子与沿着一第二发射方向自该第二目标发射之粒子及辐射之一方向通量相关联，该第二发射方向系由该第二目标之一位置判定，该第一发射方向与该第二发射方向不同。